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[導(dǎo)讀]華為在內(nèi)部開啟塔山計劃,根據(jù)消息,華為已經(jīng)開始與相關(guān)企業(yè)合作,準(zhǔn)備建設(shè)一條完全沒有美國技術(shù)的45nm的芯片生產(chǎn)線,預(yù)計年內(nèi)建成,同時還在探索合作建立28nm的自主技術(shù)芯片生產(chǎn)線。

華為在內(nèi)部開啟塔山計劃,根據(jù)消息,華為已經(jīng)開始與相關(guān)企業(yè)合作,準(zhǔn)備建設(shè)一條完全沒有美國技術(shù)的45nm的芯片生產(chǎn)線,預(yù)計年內(nèi)建成,同時還在探索合作建立28nm的自主技術(shù)芯片生產(chǎn)線。

一旦臺積電向我們斷供,中國大陸芯片的真實現(xiàn)狀就是,落后西方5-10年,甚至更多。這也是華為“塔山計劃”迅速開啟的原因。芯片生產(chǎn)大致分芯片設(shè)計、芯片制造、芯片封測三大環(huán)節(jié)。我國在芯片封測領(lǐng)域的技術(shù)水平相對于其他兩個環(huán)節(jié)來說較為領(lǐng)先。

芯片設(shè)計:芯片設(shè)計的工具,用的是國外的EDA軟件,就連中國最好的芯片設(shè)計公司華為海思,也只是剛剛開始“去美國化”。

芯片制造:全球最大最好的芯片制造廠商,就是臺積電。臺積電現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)5納米工藝制式的量產(chǎn),而大陸最好的芯片制造公司中芯國際,剛剛完成14納米的量產(chǎn)。

而制造最先進制程芯片使用的光刻機,都得從荷蘭ASML公司進口。但現(xiàn)在也買不到了,因為美國不讓。大陸最好的光刻機生產(chǎn)廠商是上海微電子,現(xiàn)在生產(chǎn)的是90納米的光刻機。

中芯國際為代表的中國芯片代工制造現(xiàn)在已經(jīng)處于事實上的被制裁狀態(tài),由于得不到EUV光刻機,它的技術(shù)上限已經(jīng)被美國封鎖,預(yù)計2-3年內(nèi)到達技術(shù)上限,美國已經(jīng)給我們設(shè)置了天花板,也就是說,如果我們搞不定國產(chǎn)半導(dǎo)體裝備,那么中國制造將會停留在7nm的天花板。

芯片封測:封裝測試屬于芯片產(chǎn)業(yè)鏈末端,相比光刻、蝕刻等工藝對技術(shù)要求沒那么高。高端市場方面,盡管美國、德國、日本企業(yè)占據(jù)了較大比例,但我國大陸和臺灣不少芯片封測公司在規(guī)模、速度和工藝標(biāo)準(zhǔn)上也絲毫不遜色。

芯片的發(fā)展除了人才,核心材料也是制約國內(nèi)芯片企業(yè)發(fā)展的重要因素,我們一起來看看影響芯片發(fā)展的核心材料目前在國內(nèi)的發(fā)展現(xiàn)狀:

1.單晶硅:晶圓和硅片的核心材料

單晶硅是制作芯片的重要材料,制作難度在于純度要求高。目前高純度單晶硅產(chǎn)量較領(lǐng)先的企業(yè)都集中在日本,我國作為后起之秀,近年來也開始具備生產(chǎn)高純度晶圓的能力,不僅實現(xiàn)了對內(nèi)供給,如今更是出口半導(dǎo)體強國韓國。

2.CMP拋光材料:晶圓CMP工藝的關(guān)鍵耗材

拋光材料的技術(shù)具有一定的行業(yè)壁壘,主要受技術(shù)要求、資金成本和認(rèn)證體系影響,目前在這一領(lǐng)域我國專利技術(shù)積累不高,主要還是依賴向美日韓進口。

3.光掩膜版:芯片制程的核心瓶頸

光掩膜版是光刻設(shè)備的關(guān)鍵器件,也是限制芯片工藝最小線寬的核心瓶頸,技術(shù)門檻較高。目前世界上已可以量產(chǎn)7納米制程的芯片,更小制程的研發(fā)也即將上流水線,這對光掩膜版的要求將進一步提高。

在光刻機生產(chǎn)方面,荷蘭ASML公司一家獨大,而能生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)光掩膜版的企業(yè),目前也是以臺積電、韓國三星、美國英特爾等半導(dǎo)體巨頭為主。

4.光刻膠:芯片光刻的重要材料

當(dāng)今世界光刻膠市場,主流以光刻波長為248nm的KrF和193nm的ArF為主,這一系列的光刻膠技術(shù)大多被日本和美國壟斷,我國光刻膠近年來也掌握了436nm和365nm光刻波長的技術(shù),逐步從低端向高端發(fā)展。

5.濕電子化學(xué)品:蝕刻和清洗的重要耗材

我國的蝕刻技術(shù)基本與世界持平,雖然目前濕電子化學(xué)品市場依舊主要被歐美日韓等地區(qū)企業(yè)瓜分,但他們已無法對我們形成壟斷,甚至有被我們?nèi)〈内厔荨?

6.電子氣體:芯片制造的血液

電子特種氣體行業(yè)集中度高,我國已有不少新興企業(yè)擁有生產(chǎn)資質(zhì),盡管在國際市場方面依舊被一些傳統(tǒng)半導(dǎo)體地區(qū)壟斷,但目前我國企業(yè)已形成有力的挑戰(zhàn)。

7.濺射靶材:摻雜和鍍膜的主要材料

高純度濺射靶材的制造有一定的技術(shù)門檻,對制造設(shè)備的投資金額要求也相對較高,早年間這一領(lǐng)域被美日壟斷,但近年來隨著國產(chǎn)技術(shù)的成熟,這一領(lǐng)域市場規(guī)模增速高于全球增速,正逐漸占領(lǐng)世界市場。

8.晶圓封裝材料:先進封裝工藝的耗材

傳統(tǒng)芯片封裝工藝是先切割晶圓,后封裝芯片,這會增加約20%的原芯片體積,晶圓級芯片規(guī)模封裝技術(shù)是先封裝測試后切割成芯片,這一方法不僅可以減少封裝體積,也可以提升芯片穩(wěn)定性,這對晶元封裝材料,如陶瓷基板、封裝基板、引線框架等要求更高。

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