物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應用將帶動全耗盡型（Fully Detleted）制程技術加速成長。為滿足低功耗、低成本、高效能之設計需求，格羅方德（GlobalFoundries）除持續(xù)發(fā)展14納米及7納米鰭式晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。

　　格羅方德技術長暨全球研發(fā)資深副總裁Gary Patton表示，F(xiàn)inFET雖為目前主流制程技術，但也相對復雜且成本高，有些中小型的IC設計公司無法負擔FinFET昂貴的光罩成本。為滿足物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品少量多樣需求，并降低成本，且又要具備一定效能，F(xiàn)D-SOI技術逐漸興起。未來十年5G將會是FD-SOI市場重要的成長推手；另外，行動運算、人工智能、虛擬現(xiàn)實（VR）/擴增實境（AR），以及汽車電子等應用市場，也都是此一技術應用重點。

　　Patton進一步指出，物聯(lián)網(wǎng)，行動運算和5G的巨大商機，可望加速FDX成長，而FDX和FinFET技術事實上是互補的，并非互相競爭的關系，兩者各有不同的市場定位。一般來說，F(xiàn)inFET適用于較大的裸晶（Die），F(xiàn)DX適用于較小的裸晶；對于較無成本考慮的客戶而言，可使用FinFET以實現(xiàn)高性能與高密度產(chǎn)品，若是有成本考慮的客戶，則能采用FDX，以滿足低功耗、低成本及小尺寸需求。

　　據(jù)悉，GlobalFoundries在FD-SOI技術上目前已有兩項產(chǎn)品規(guī)劃。首先是22FDX，該產(chǎn)品已于2015年發(fā)布，其運作電壓為0.4伏特，可達到超低動態(tài)功耗、更低熱效應，以及更精巧的產(chǎn)品尺寸規(guī)格。相較于28納米，22FDX尺寸縮減20%，光罩數(shù)目減少10%，功耗比28nm HKMG制程減少70%，且單一芯片可以整合RF功能。目前22FDX制程設計套件已于2016年第2季完成，預計2017年第1季可以進入量產(chǎn)。

　　至于12FDX則號稱可提供與10納米FinFET制程相當?shù)男阅?，但是功耗表現(xiàn)更好，成本也比16納米FinFET低，將適用于行動運算、5G通訊、人工智能、AR/VR、無人機，以及自動駕駛車輛等應用領域。12FDX制程的客戶投片時程預計在2019上半年。