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[導(dǎo)讀]處理器,內(nèi)存和互連(I/O)三個系統(tǒng)模塊之間需要互相協(xié)調(diào),提升每個模塊的性能。但是隨著處理器和內(nèi)存速度的大幅提高,模塊之間的互連也需要發(fā)展,以免整體性能出現(xiàn)短板效應(yīng)!

處理器,內(nèi)存和互連(I/O)三個系統(tǒng)模塊之間需要互相協(xié)調(diào),提升每個模塊的性能。但是隨著處理器和內(nèi)存速度的大幅提高,模塊之間的互連也需要發(fā)展,以免整體性能出現(xiàn)短板效應(yīng)!

但是銅纜鏈路正面臨著一些明顯的障礙,電光互連似乎是解決方案,但要使其發(fā)揮潛能并與硅一起工作一直是一個重大挑戰(zhàn)。

不過,最近有一次演示展示了英特爾與AyarLabs(加利福尼亞州埃默里維爾)之間的合作所取得的巨大進(jìn)步,該項目是由美國國防高級研究計劃局(DARPA)在其“光子學(xué)”中贊助的。該計劃希望使用先進(jìn)的封裝內(nèi)硅光子接口來實現(xiàn)每秒1T位(Tb/s)以上的數(shù)據(jù)速率,同時所需的能耗不到1皮焦耳/bit。并能實現(xiàn)千米級的傳輸距離(圖1)。

SoC器件顯示(左)各個小芯片的位置以及完整的封裝(右)。

英特爾/Ayar項目尚未實現(xiàn)這些目標(biāo),但確實朝著這些目標(biāo)邁出了重要一步。在2020年光纖會議(OFC)上的線上演示中,Ayar展示了其TeraPHY光學(xué)芯片技術(shù),該技術(shù)已集成到通常使用銅互連的改進(jìn)型商用IC(英特爾Stratix10FPGA)中(圖2)。

這是一種非常高級的光學(xué)I/O系統(tǒng)架構(gòu),圖片顯示了主要組件的互連

從硅電子中產(chǎn)生光數(shù)據(jù)流并不僅僅是先進(jìn)的LED、激光二極管、增強(qiáng)摻雜或獨特的制造結(jié)構(gòu)的問題,盡管這些結(jié)構(gòu)都具有更高的性能和扭曲度。。相反,它需要一種新的思維方式,需要先進(jìn)的深層電光物理學(xué)見解,其中涉及合適結(jié)構(gòu)中電子、電場和光子之間的關(guān)系。

利用硅光子技術(shù)

基本設(shè)計是基于使用硅光子學(xué)作為構(gòu)件,包括波導(dǎo)、定向耦合器和微環(huán)諧振器。與廣泛使用的馬赫-曾德爾干涉儀(MZI)相比,后者是耦合和能量傳輸?shù)氖走x,因為它提供了大約縮小100倍的小尺寸,25-50倍的高帶寬密度和50倍的高能量效率。然而,它也需要更復(fù)雜的設(shè)計和精密制造。

Ayar公司的TeraPHY芯片片采用GlobalFoundries公司的45-nmSOICMOS制造工藝制造,該芯片集成了微米級的光波導(dǎo)。TeraPHY芯片上的光波導(dǎo)被蝕刻在硅片中,提供的功能是基于銅的能量和信號路徑的光學(xué)模擬。將兩個波導(dǎo)靠近,就能將光子和功率從一個波導(dǎo)轉(zhuǎn)移到另一個波導(dǎo),從而形成一個能量耦合器。在耦合器內(nèi),一個直徑為10微米的微環(huán)諧振器可以對相位進(jìn)行電調(diào)制,并控制光的方向,要么通過芯片,要么直至芯片頂部,從而創(chuàng)建I/O端口。

TeraPHY平臺由單片集成的硅光子和CMOS組成(圖3),采用倒裝片系統(tǒng)封裝(SiP),可將一個SoC的綜合功能拆分在一個封裝的多個小芯片上。這些小芯片采用密集、節(jié)能、短距離的封裝內(nèi)電氣互連方式互連在一起。

圖片展示了一個TeraPHY芯片的例子,顯示了16通道25G光子發(fā)射(Tx)和接收(Rx)宏以及相應(yīng)的串行器/解串器(SerDes)(a)。多芯片模塊(b)的分解圖包括一個系統(tǒng)級芯片裸片和兩個TeraPHY芯片。

SiP技術(shù)的主要優(yōu)勢在于能夠使每個小芯片提供不同的專門功能,并使用最適合實現(xiàn)該功能的工藝技術(shù)進(jìn)行制造,只要該小芯片仍可以符合標(biāo)準(zhǔn)的SiP集成和封裝約束。這類似于在SiP中使用高密度CMOS來制作處理器或FPGA,再加上專業(yè)的模擬處理來實現(xiàn)精密數(shù)據(jù)采集和調(diào)理。

盡管目標(biāo)為1pJ/bit,但在這種類型的設(shè)計中,散熱方面的考慮與電子和光學(xué)方面的考慮一樣重要,因為SoC耗散了300W,TeraPHY耗散4.7W。分析表明,解決TeraPHY耗散問題的實用解決方案將其分為TxRx,電氣I/O和GPIO區(qū)域。

當(dāng)然,封裝也是分析的一部分,所得到的溫度曲線說明了高性能系統(tǒng)中預(yù)期的熱環(huán)境(圖4)。盡管CMOS器件可以承受這些工作溫度,但任何共封裝的激光器都將降低效率并降低可靠性,因此TeraPHY被設(shè)計為使用外部激光源。

多芯片模塊(MCM)的等距剖視圖

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