在Intel、臺(tái)積電各自推出自家的3D芯片封裝技術(shù)之后，三星也宣布新一代3D芯片技術(shù)—;—;X-Cube，基于TSV硅穿孔技術(shù)，可以將不同芯片搭積木一樣堆疊起來，目前已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝。

關(guān)于3D芯片封裝，了解半導(dǎo)體芯片技術(shù)的玩家應(yīng)該不陌生了，現(xiàn)有的芯片都是2D平面堆疊的，隨著芯片數(shù)量的增多，占用的面積越來越大，不利于提高集成度。

3D封裝顧名思義，就是將芯片從平面堆疊變成了垂直堆疊，類似搭積木那樣一層層疊加，減少了芯片面積，提高了集成度。

臺(tái)積電、Intel之前都公布了3D封裝技術(shù)，技術(shù)風(fēng)向大同小異，具體的實(shí)現(xiàn)方法不同，Intel的3D封裝叫做Foveros，已經(jīng)在Lakefield芯片上應(yīng)用，集成了10nm CPU、22nm IO核心。

三星自家的3D封裝技術(shù)叫做X-Cube，基于TSV硅穿孔技術(shù)將不同芯片堆疊，已經(jīng)可以將SRAM芯片堆疊到芯片上方，釋放了占用空間，可以堆棧更多內(nèi)存芯片。

此外，TSV技術(shù)還可以大幅縮短芯片之間的信號(hào)距離，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度，降低了功耗，并且客戶還可以按需定制內(nèi)存帶寬及密度。

目前三星的X-Cube技術(shù)已經(jīng)可以用于7nm及5nm工藝，三星將繼續(xù)與全球無經(jīng)驗(yàn)半導(dǎo)體公司合作，將該技術(shù)部署在新一代高性能芯片中。