瑞薩電子開發(fā)出同時降低了導(dǎo)通電阻和EMI（電磁噪聲）的30～40V耐壓車載用超結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET），并在“ISPSD 2013（日本電氣學(xué)會主辦，2013年5月26～30日在石川縣金澤市舉行）”上發(fā)布了技術(shù)詳情（演講序號4－2）。通過在水平方向和垂直方向兩個方向上縮小SJ-MOSFET柵極周邊的尺寸，實現(xiàn)了出色的特性。這是該公司的第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內(nèi)開始量產(chǎn)。

　　用于驅(qū)動車載馬達等、電流超過100A的功率MOSFET不僅要減小開關(guān)損失，還要降低導(dǎo)通電阻和柵極電荷量。因此，瑞薩首先縮小了超結(jié)構(gòu)造水平方向的尺寸（p/n層的間距）和垂直方向的尺寸（耐壓層的厚度），從而實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻。p/n層的最小間距為1.0μm，比原來縮小了30％。但這種構(gòu)造的缺點是柵極電荷量容易增加。因此，瑞薩電子通過加厚柵極絕緣膜抑制了柵極電荷量的增加。

　　大容量功率MOSFET面臨的另一個技術(shù)課題是如何降低體二極管恢復(fù)時的電流過沖。在低端MOSFET電流增大而高端MOSFET電流減小的過程中，后者降到負數(shù)后會重新變成正數(shù)。這種電流過沖會引起EMI。此次瑞薩分析了恢復(fù)時剩余空穴的狀態(tài)，并由此減小了p型基極的雜質(zhì)添加量，從而實現(xiàn)了較小的電流過沖恢復(fù)（軟恢復(fù)）。表示電流過沖的指標(biāo)——亞閾值系數(shù)比原來改善了20％以上。

　　此次試制的功率MOSFET電流為150A，介電擊穿電壓為32.8V。導(dǎo)通電阻值為4.75mΩmm2，在耐壓30V級的功率MOSFET中屬于業(yè)內(nèi)最佳水平。