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[導(dǎo)讀]   相較于白熾燈泡,高亮度發(fā)光二極管(HB LED)能提供更佳的效能及更好的穩(wěn)定性,尤其現(xiàn)今全球籠罩在能源危機(jī)的陰影下,人類對(duì)高亮度LED的重視程度也日益升高。高亮度LED與白熾燈泡不同,因?yàn)榱?

  相較于白熾燈泡,高亮度發(fā)光二極管(HB LED)能提供更佳的效能及更好的穩(wěn)定性,尤其現(xiàn)今全球籠罩在能源危機(jī)的陰影下,人類對(duì)高亮度LED的重視程度也日益升高。高亮度LED與白熾燈泡不同,因?yàn)榱炼扰c色溫都與LED的順向電流有關(guān),因此,高亮度LED需要準(zhǔn)確及穩(wěn)定的電流驅(qū)動(dòng),以維持穩(wěn)定的光線輸出。這個(gè)基本的要求對(duì)進(jìn)行設(shè)計(jì)的工程人員來(lái)說(shuō)仍是一大挑戰(zhàn)。

  此外,高亮度LED的驅(qū)動(dòng)電流範(fàn)圍非常廣泛,可由0.35安培至最高的10安培以上,因此必須提高整體的功率效能,否則高亮度LED難以廣泛應(yīng)用。本文將逐步解析這類功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)步驟,并且示範(fàn)如何使用這個(gè)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)0.35安培的高亮度LED燈串。

  從功率轉(zhuǎn)換的效率來(lái)看,開(kāi)關(guān)式電源供應(yīng)器(SMPS)絕對(duì)比線性穩(wěn)壓器具備更大的優(yōu)勢(shì)。在眾多適用于SMPS拓?fù)浞椒ㄖ?,我們?huì)依據(jù)可用的輸入電源供應(yīng)及需要驅(qū)動(dòng)的高亮度LED數(shù)量選擇最適當(dāng)?shù)耐負(fù)?。本文將討論非隔離式降壓開(kāi)關(guān)式電源供應(yīng)器的降壓轉(zhuǎn)換器廣泛性和簡(jiǎn)易性。

  首先,針對(duì)這種應(yīng)用挑選了一個(gè)內(nèi)建降壓轉(zhuǎn)換器最經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的拓?fù)浞桨福缓筢槍?duì)這個(gè)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行調(diào)變,以改善系統(tǒng)的耐用性和功率效能。最后,再將全新的脈衝電平調(diào)變(PLM)控制方法搭配已強(qiáng)化的轉(zhuǎn)換器,希望藉此把塬本犧牲的電流穩(wěn)壓準(zhǔn)確性再重新提高。而最后一個(gè)步驟,則是進(jìn)行電路的實(shí)際測(cè)試以驗(yàn)證它的功效。

  浮動(dòng)降壓拓?fù)?有助簡(jiǎn)易閘極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

  圖1所示為用于驅(qū)動(dòng)高亮度LED的各種不同非隔離式降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,其中圖1(a)和(b)為兩種典型的降壓拓?fù)浞椒?,而圖1(c)和(d)則屬于浮動(dòng)降壓拓?fù)?。一般?lái)說(shuō),由于N-MOSFET(N-FET)的Rds|on比P-MOSFET(P-FET)來(lái)得低,因此圖1(a)和(c)中的降壓轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)一般被視為擁有更佳的功率效能。設(shè)計(jì)工程人員在採(cǎi)用降壓轉(zhuǎn)換器時(shí),大多傾向採(cǎi)用圖1(a)和(c)中的降壓轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),而不是圖1(b)和(d)中的電路。圖1(a)在驅(qū)動(dòng)高階N-FET方面比圖1(c)驅(qū)動(dòng)低階N-FET的更加復(fù)雜,塬因是圖1(a)採(cǎi)用了自Bootstrapping 閘極驅(qū)動(dòng)技術(shù),除了圖中所示的閘極驅(qū)動(dòng)電壓電源Vcc以外,該電路還包括一個(gè)整流二極管和一個(gè)飛輪電容器。相同的情況也可應(yīng)用到圖1(d)和圖1(b)。對(duì)于比較簡(jiǎn)易的閘極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)而言,採(cǎi)用圖1(c)的降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋾?huì)比圖1(a)更好,這也是採(cǎi)用具備低端N-FET的浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器的塬因。

  

  圖1 適用于驅(qū)動(dòng)高亮度LED的降壓轉(zhuǎn)換器,其電源開(kāi)關(guān)技術(shù)分別採(cǎi)用(a)高階N-FET、(b)高階P-FET、(c)低階 N-FET、(d)低階 P-FET

  藉由準(zhǔn)確性折衷以提高LED效率

  圖2中的浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器用來(lái)驅(qū)動(dòng)一條多燈串的遠(yuǎn)距離高亮度LED陣列,在既有的系統(tǒng)中,無(wú)論是基于散熱、不利的作業(yè)環(huán)境、維修的便利或是模組更換的問(wèn)題,大部分的控制器都與LED分開(kāi),典型的例子包括大型戶外商業(yè)電子看板和建筑物外墻燈飾等。將電流感測(cè)電阻器RISNS放置在主要的電源開(kāi)關(guān)下面,就可以更有利于採(cǎi)用低端電流感測(cè),如此就可將線路的數(shù)量減少接近一半。更重要的是更短的電流感測(cè)線路可防止LED的電流穩(wěn)壓受到電磁干擾。

  在圖2(b)的系統(tǒng)中,由于重新設(shè)計(jì)了RISNS的位置,使其功率效能相對(duì)于圖2(a)改善不少。此外,基于低階N-FET和圖2(b)中的RISNS只會(huì)在週期的上斜坡部分傳導(dǎo)電感電流,而圖2(a)中的RISNS則可覆蓋電感器電流的整個(gè)週期,因此圖2(b)RISNS的功率損耗是圖2(a)RISNS的功率損耗乘以開(kāi)關(guān)工作週期,而這個(gè)工作週期的數(shù)值通常低于1。所以圖2(b)中的RISNS功率損耗會(huì)降低了一個(gè)開(kāi)關(guān)週期因數(shù),而節(jié)省的功率P可以用下列的方程式表示:

  

  

  圖2 用于驅(qū)動(dòng)多條遠(yuǎn)距離高亮度LED燈串的降壓轉(zhuǎn)換器,所採(cǎi)用的技術(shù)分別為(a)高端電流感測(cè)電阻器(遠(yuǎn)距線路數(shù)量為2N)、(b)高端電流感測(cè)電阻器(遠(yuǎn)距線路數(shù)量為N+1)

  在方程式中的RISNS是電流感測(cè)電阻器,D 是工作週期,Ipeak是電感器電流的峰值,L是電感值,T是開(kāi)關(guān)週期時(shí)間,而Vout則是輸出電壓。圖2(b)採(cǎi)用傳統(tǒng)的控制方法調(diào)節(jié)峰值的電流,儘管採(cǎi)用較大的電感值可使調(diào)節(jié)的峰值電流與系統(tǒng)實(shí)際上的平均電流更為接近,但這種做法欠缺完整的思慮,而且也很容易受到線路電壓和元件數(shù)值變化的影響。

  PLM解決LED燈串平均電流調(diào)節(jié)

  配合重新配置感測(cè)電阻器RISNS的位置,浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器可說(shuō)是驅(qū)動(dòng)高亮度LED最簡(jiǎn)單的架構(gòu),并且也是最耐用及功率效能最佳的系統(tǒng)解決方案。但是傳統(tǒng)的控制方法只能針對(duì)峰值電流進(jìn)行調(diào)節(jié),而不能為L(zhǎng)ED燈串提供實(shí)際的平均電流調(diào)節(jié)。為了解決這個(gè)問(wèn)題,一個(gè)全新的控制方法--脈衝電平調(diào)變控制應(yīng)運(yùn)而生。

  圖3(a)所示為應(yīng)用在浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器上的PLM架構(gòu)示意圖,而3(b)則表示PLM電路的主要波形。傳統(tǒng)的SMPS控制方法整合一個(gè)誤差放大器,它可以把相對(duì)于固定參考電壓的調(diào)節(jié)誤差降到最低。至于PLM方面,它把誤差放大器應(yīng)用在感測(cè)波形的時(shí)間積分VISNS(t)上,其中的調(diào)節(jié)是相對(duì)于參考波形的時(shí)間積分VRP(t)來(lái)進(jìn)行。圖3(a)中的波形(v)表示PLM正在調(diào)節(jié)感測(cè)訊號(hào)的梯形脈衝鏈,當(dāng)中的調(diào)節(jié)是相對(duì)于一個(gè)具備參考電平的方形波脈衝鏈來(lái)進(jìn)行。由于兩者擁有相同的工作週期,梯形波斜率的中間點(diǎn)便與參考電平相同?;谏鲜鲋虚g點(diǎn)的線性特質(zhì),平均電感器電流或是平均LED電流便會(huì)被調(diào)節(jié)到與參考電流相等。圖4所示為在圖3(a)封閉迴路作業(yè)中的調(diào)節(jié)過(guò)程。

  

  圖3?。╝)為PLM浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器的架構(gòu)示意圖;(b)為PLM主要波形

  

  圖4 封閉回路作業(yè)下VISNS和VRP波形

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