半導(dǎo)體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體（LED）照明驅(qū)動IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET）產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。

　　恩智浦區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅(qū)動IC方案確?？蛻粽莆肇浽礋o虞。

　　恩智浦（NXP）區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示，2013年LED照明市場將會更加蓬勃發(fā)展，然目前LED照明系統(tǒng)開發(fā)商卻因?yàn)楦邏篗OSFET嚴(yán)重缺貨，而陷入擁有眾多訂單卻無法出貨的困境，難以在市場上大施拳腳。

　　為避免因高壓MOSFET供貨不足影響市場擴(kuò)展進(jìn)度，包括恩智浦、意法半導(dǎo)體（ST）、包爾英特（PI）等晶片製造商，已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案，以確?？蛻鬖ED照明產(chǎn)品出貨無虞，同時藉機(jī)壯大在LED照明驅(qū)動IC的市場版圖。

　　恩智浦大中華區(qū)照明產(chǎn)品市場經(jīng)理張偉超指出，為生產(chǎn)整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC，須具備高壓製程，不過，由于高壓制程技術(shù)門檻過高，并非所有的晶片商皆有能力發(fā)展，因此預(yù)期在此波缺貨風(fēng)潮下，恐將出現(xiàn)LED照明驅(qū)動IC供應(yīng)商勢力消長的態(tài)勢。

　　為大舉插旗高整合度LED驅(qū)動IC方案市場，王永斌強(qiáng)調(diào)，恩智浦已將塬先SOI-HV高壓制程轉(zhuǎn)換為更適用于LED照明應(yīng)用的ABCD3製程，預(yù)計2013年啟動量產(chǎn)，該制程不僅更適合整合高壓MOSFET，并可減少漏電流，同時省卻LED照明應(yīng)用不必要的功能，能量產(chǎn)出更高性價比的LED驅(qū)動IC產(chǎn)品。

　　除強(qiáng)化高壓製程技術(shù)外，由于現(xiàn)階段僅有意法半導(dǎo)體、東芝（Toshiba）及英飛凌（Infineon）等少數(shù)高壓MOSFET製造商供貨，因此為確保高整合方案能順利開發(fā)，恩智浦也已做好萬全的備料準(zhǔn)備。

　　張偉超透露，恩智浦預(yù)估2012年下半年LED照明市場規(guī)模將急速擴(kuò)張，因此已提早向高壓MOSFET業(yè)者采購產(chǎn)品，現(xiàn)今能保證客戶在六至八周內(nèi)即可取得高整合度LED照明驅(qū)動IC方案，未來更將縮短至三至四周即可取貨。此外，恩智浦亦有計劃投資高壓MOSFET廠商，以掌握更穩(wěn)定的供貨來。