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[導(dǎo)讀]   LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構(gòu)成,即大家熟知的磊晶晶粒(chip),該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定,在產(chǎn)品所規(guī)范的條件下使用并不易損壞,而處于一般的應(yīng)用環(huán)境中也不起化學(xué)反應(yīng),因此擁

  LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構(gòu)成,即大家熟知的磊晶晶粒(chip),該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定,在產(chǎn)品所規(guī)范的條件下使用并不易損壞,而處于一般的應(yīng)用環(huán)境中也不起化學(xué)反應(yīng),因此擁有較長的產(chǎn)品壽命。然而,為使該LED chip發(fā)光,必須由外界通入電流,因此一般會把尺寸很小的chip黏貼在特定的載臺(或稱導(dǎo)線架)上并以金屬線或銲錫等材料連接chip的正負(fù)兩極,然后用高分子材料包復(fù)整個載臺,這就是所謂的封裝制程,經(jīng)過這段制程后成為市面上常見一顆顆的LED燈粒。在實(shí)際應(yīng)用時,還會視所需把數(shù)顆LED燈粒組裝成模組,最后再與其它功能的模組組合成為終端產(chǎn)品。

  從上可知,一個LED產(chǎn)品的失效,起因可能來自于該產(chǎn)品的任何一個部份,故必須抽絲剝繭方能找到真正的失效原因。針對失效來自LED燈粒而言,因完整的LED燈粒中,LED chip本身很強(qiáng)壯,但包復(fù)chip的封裝材料則易遭受損傷,因此,LED燈粒的失效多可歸因于封裝材料的破壞或劣化所導(dǎo)致。若要充分解析這類失效,牽涉到光學(xué)、化學(xué)、材料學(xué)、電子物理學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)知識,并搭配精密的儀器與豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn),才能確認(rèn)失效點(diǎn)并推導(dǎo)真因,進(jìn)而提出改善對策。

  1. 不亮:這種失效是指LED通電后完全不發(fā)光。一般而言,導(dǎo)電路徑上的 ”斷路(open)"是本類失效的主因之一,確認(rèn)斷路的方法也十分簡易,以常見的三用電表就可驗(yàn)證。不過,要找到斷路點(diǎn)就必須做進(jìn)一步的解析,例如:可用X-ray來確認(rèn)打線是否斷線或脫離、用SEM(掃瞄式電子顯微鏡)觀察剖面結(jié)構(gòu)可檢查黏晶部份的缺陷等等。本類失效的第二個主因是 ”短路(short)” ,這是因?yàn)殡娏魑创_實(shí)通過LED chip,而是流經(jīng)”旁門左道”,故LED燈粒自然不會發(fā)光,如:因發(fā)生電子遷移導(dǎo)致電極金屬原子的不正常擴(kuò)散,譬如氧化銦錫(ITO)、銀或是GaN/InGaN二極管中的阻擋層金屬等都可能因機(jī)械應(yīng)力、高電流密度或在腐蝕性的環(huán)境發(fā)生此類異狀。其它的原因可能是打線偏移、黏晶膠爬膠等等。這種失效必須利用I-V curve(電流-電壓圖)才能判定,至于失效點(diǎn)因?yàn)閺耐庥^無法檢查到上述缺陷,故需先以X-ray來確認(rèn);或是化學(xué)溶液去除LED封裝材料后,再使用光學(xué)(OM)或電子顯微鏡(SEM)仔細(xì)檢查。

  

  短路爬膠

  

  開路斷線

  2. 變色:這類失效是指LED不點(diǎn)亮的狀況下,外觀顏色或膠材透明度與新品不同,用肉眼即可看出,通常在產(chǎn)品使用一段時間或在做完可靠度試驗(yàn)后發(fā)生。一般說來,變色區(qū)域大致可區(qū)分為發(fā)生在導(dǎo)線架或封裝膠材兩類,若發(fā)生在導(dǎo)線架,通常是因?yàn)楸砻媾c環(huán)境中的化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),如氧化或硫化,要分辨屬于哪種需仰賴成份分析,可使用的儀器包含有EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscope)、XPS(X-ray Photoelectron Spectrometer)、AES(Augur Electron Spectroscope)等等。若是封裝用的膠材發(fā)生變色,則屬于高分子材料的劣化現(xiàn)象,如環(huán)氧樹脂易受高溫或是紫外光影響而變黃,因此白光LED多改采矽膠取代之。分析此類失效應(yīng)特別留意,因膠材本身有一定的透明度,有時變色的導(dǎo)線架因被膠材蓋住而誤判為膠材變色,引導(dǎo)至錯誤的改善方向。

  

  支架變色

  3. 光衰:這種失效系指LED發(fā)出的光強(qiáng)度低于新品。如前面章節(jié)所述,光衰程度已成為評判LED照明產(chǎn)品壽命的重要指標(biāo),所以這類失效的分析就相當(dāng)重要。整體來說,本類失效的分析非常復(fù)雜,因?yàn)橛绊懝鈴?qiáng)度的因素非常多,如chip劣化、反射杯的劣化、膠材與chip間脫層、膠材透明度下降、打線接合面電阻上升、熱阻太高等等,若發(fā)生在白光LED,則還需考慮螢光粉劣化的問題,因白光LED通常使用一或多種的螢光粉,它們會受到熱或濕氣的影響而衰減并降低效率,導(dǎo)致產(chǎn)出的光色改變。分析的手法包括有:非破壞檢測,如外觀檢查、LED電性曲線、積分球的光學(xué)特性等等,用上述數(shù)據(jù)綜合判斷,逐一排除,當(dāng)推斷可能原因后,接著進(jìn)行破壞性分析,利用樣品制備技術(shù)制作出適合的分析樣品,再輔以各種儀器如SAT(Scanning AcousTIc Tomography)超音波掃瞄、FTIR(Fourier Transform InfraRed)傅立葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀、TEM(Transmission Electron Microscope)穿透式電子顯微鏡、SEM(Scanning Electron Microscope)等等加以驗(yàn)證,方能到真因。

  

  白光LED光衰分析 – 黃光強(qiáng)度衰減

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