【2020年9月29日，德國(guó)慕尼黑訊】繼推出采用EconoDUAL?3和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)之后，英飛凌科技股份公司近日又推出業(yè)界領(lǐng)先的、基于分立式封裝，即采用電壓為650 V的TO-247封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)。全新TRENCHSTOP產(chǎn)品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A這些電流等級(jí)組成。它既能用于取代前代技術(shù)，也能與前代技術(shù)并行使用。該版本的IGBT7尤其適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率因數(shù)校正、光伏發(fā)電和不間斷電源等應(yīng)用。

由于采用新型微溝槽技術(shù)，TRENCHSTOP IGBT7芯片的靜態(tài)損耗大大降低。在相同的電流等級(jí)下，TRENCHSTOP IGBT7芯片的通態(tài)電壓可以降低10%。這使得應(yīng)用中的損耗大幅降低，尤其能使通常在中等開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行的工業(yè)驅(qū)動(dòng)的損耗大大降低。IGBT T7技術(shù)的飽和電壓(V CE(sat))很低，并帶有發(fā)射極控制的第七代(EC7)二極管，該二極管的正向壓降(V F)可減小150 mV，同時(shí)還能提高反向恢復(fù)軟度。

TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過(guò)調(diào)整來(lái)達(dá)到特定于應(yīng)用的最佳dv/dt和開(kāi)關(guān)損耗。650V TRENCHSTOP IGBT7擁有應(yīng)用所需的抗短路能力。此外，它還通過(guò)了基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的HV-H3TRB(高壓高濕高溫反偏)試驗(yàn)，證明該器件在常見(jiàn)的工業(yè)應(yīng)用的高濕環(huán)境中具有良好的耐用性。

供貨情況

650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件現(xiàn)已接受訂購(gòu)。