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[導(dǎo)讀]電源的輸入部分,為了防止誤操作,將電源的正負(fù)極接反,對電路造成損壞,一般會對其進(jìn)行防護(hù),如采用保險絲,二極管,MOS管等方式,這里就稍微做一下梳理總結(jié)。

1.概論

電源的輸入部分,為了防止誤操作,將電源的正負(fù)極接反,對電路造成損壞,一般會對其進(jìn)行防護(hù),如采用保險絲,二極管,MOS管等方式,這里就稍微做一下梳理總結(jié)。

2.方式介紹

2.1 二極管防反接

采用二極管進(jìn)行保護(hù),電路簡單,成本低,占用空間小。但是二極管的PN結(jié)在導(dǎo)通時,存在一個 <= 0.7V的壓降,對電路造成不必要的損耗,比如對電池供電的系統(tǒng),電流較大的電路都會造成比較明顯的影響(電路中,功耗,發(fā)熱都是不可忽略的問題)。

電源防反接小知識錦囊

2.2 保險絲防護(hù)

很多常見的電子產(chǎn)品,拆開之后都可以看到電源部分加了保險絲,在電源接反,電路中存在短路的時候由于大電流,進(jìn)而將保險絲熔斷,起到保護(hù)電路的作用,但這種方式修理更換比較麻煩。

2.3 MOS管防護(hù)

MOS管因工藝提升,自身性質(zhì)等因素,其導(dǎo)通內(nèi)阻技校,很多都是毫歐級,甚至更小,這樣對電路的壓降,功耗造成的損失特別小,甚至可以忽略不計(jì),所以選擇MOS管對電路進(jìn)行保護(hù)是比較推薦的方式。

2.3.1 NMOS防護(hù)

如下圖:上電瞬間,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,系統(tǒng)形成回路,源極S的電位大約為0.6V,而柵極G的電位為Vbat,MOS管的開啟電壓極為:Ugs = Vbat - Vs,柵極表現(xiàn)為高電平,NMOS的ds導(dǎo)通,寄生二極管被短路,系統(tǒng)通過NMOS的ds接入形成回路。

若電源接反,NMOS的導(dǎo)通電壓為0,NMOS截止,寄生二極管反接,電路是斷開的,從而形成保護(hù)。

2.3.2 PMOS防護(hù)

如下圖:上電瞬間,MOS管的寄生二極管導(dǎo)通,系統(tǒng)形成回路,源極S的電位大約為Vbat-0.6V,而柵極G的電位為0,MOS管的開啟電壓極為:Ugs = 0 -(Vbat-0.6),柵極表現(xiàn)為低電平,PMOS的ds導(dǎo)通,寄生二極管被短路,系統(tǒng)通過PMOS的ds接入形成回路。

若電源接反,PMOS的導(dǎo)通電壓大于0,PMOS截止,寄生二極管反接,電路是斷開的,從而形成保護(hù)。

注:NMOS管將ds串到負(fù)極,PMOS管ds串到正極,寄生二極管方向朝向正確連接的電流方向;

MOS管的D極和S極的接入:通常使用N溝道的MOS管時,一般是電流由D極進(jìn)入而從S極流出,PMOS則S進(jìn)D出,應(yīng)用在這個電路中時則正好相反,通過寄生二極管的導(dǎo)通來滿足MOS管導(dǎo)通的電壓條件。MOS管只要在G和S極之間建立一個合適的電壓就會完全導(dǎo)通。導(dǎo)通之后D和S之間就像是一個開關(guān)閉合了,電流是從D到S或S到D都一樣的電阻。

實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串接一個電阻,為了防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管。并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。在電流開始流過的瞬間,電容充電,G極的電壓逐步建立起來。

對于PMOS,相比NOMS導(dǎo)通需要Vgs大于閾值電壓,由于其開啟電壓可以為0,DS之間的壓差不大,比NMOS更具有優(yōu)勢。

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