10月11日，中國領先的一站式IP和定制芯片領軍企業(yè)芯動科技(INNOSILICON)官宣：已完成了全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過，這是過去數月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

“N+1”是中芯國際對其第二代先進工藝的代號，其與現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

據官網信息，芯動科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領軍企業(yè)，提供全球主流代工廠(臺積電/三星/格芯/中芯國際/聯(lián)華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等)，從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定制解決方案，尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋，是迄今為止國內唯一具備兩家代工廠(臺積電、三星)5nm工藝庫和設計流片能力的技術提供商。

芯動科技持續(xù)聚焦全球先進工藝芯片IP和定制，擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術，多次在先進工藝上填補國內空白，核心技術支持了全球客戶數十億顆高端SOC量產。

自2019年始，芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團隊全程攻堅克難，投入數千萬元設計優(yōu)化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片經過數月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。如今，芯動科技基于國產N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗證成功，為國產半導體生態(tài)鏈再立新功。

21ic家此前也曾報道，中芯國際針對其N+1代工藝進展曾公開回應，中芯國際表示2020年底小批量試產N+1工藝。那可以預見N+1量產的時間也將不會太遠了。