中國(guó)上海，2020年10月19日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源)，并于今日開(kāi)始出貨。

該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料，與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。

新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗降低80%左右，開(kāi)關(guān)時(shí)間(下降時(shí)間)縮短大約70%，并且能夠在不超過(guò)20A的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。

它的柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi)，有助于減少故障風(fēng)險(xiǎn)(意外開(kāi)啟或關(guān)閉)。此外，內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)也有助于降低功率損耗。

在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中，這種新型MOSFET不僅將通過(guò)降低功率損耗來(lái)達(dá)到提高效率的目的，而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。

應(yīng)用：

?大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器

?光伏逆變器

?大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器

特性：

?第2代芯片設(shè)計(jì)(內(nèi)置碳化硅SBD)

?高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：

    VDSS=1200V，Ciss=1680pF(典型值)，Qg=67nC(典型值)，

    RDS(ON)=70mΩ(典型值)，VDSF=-1.35V(典型值)，Vth=4.2～5.8V

?增強(qiáng)類型易于操作

主要規(guī)格：