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[導(dǎo)讀]Flash是大家常使用的存儲(chǔ)之一,對(duì)于Flash,大家或多或少有所了解。上篇文章中,小編對(duì)Flash閃存的類型有所介紹。為繼續(xù)增進(jìn)大家對(duì)Flash的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)Flash盤(pán)、Flash盤(pán)結(jié)構(gòu)以及Flash讀寫(xiě)操作予以介紹。

Flash是大家常使用的存儲(chǔ)之一,對(duì)于Flash,大家或多或少有所了解。上篇文章中,小編對(duì)Flash閃存的類型有所介紹。為繼續(xù)增進(jìn)大家對(duì)Flash的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)Flash盤(pán)、Flash盤(pán)結(jié)構(gòu)以及Flash讀寫(xiě)操作予以介紹。如果你對(duì)本文內(nèi)容具有興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、Flash 盤(pán)的FAT 結(jié)構(gòu)

Flash 硬盤(pán)與普通的磁頭、柱面式介質(zhì)不一樣。在開(kāi)發(fā)U 盤(pán)的過(guò)程中,使用Flash 作為存儲(chǔ)介質(zhì)。它有其特定的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。以16M 的三星K9F2808U0A-YCB0 Flash 為例,它有1024 個(gè)Block,每個(gè)Block 有32個(gè)Page,每個(gè)Page 有512+16=528 個(gè)字節(jié)。

二、Flash 的結(jié)構(gòu)

Flash 的讀寫(xiě)有其自身特點(diǎn):1)必須以Page 為單位進(jìn)行讀寫(xiě);2)寫(xiě)之前必須先擦除原有內(nèi)容;3)擦除操作必須對(duì)Block 進(jìn)行,即一次至少擦除一個(gè)Block 的內(nèi)容。針對(duì)這種情況,將Flash 的一個(gè)Page 定為1 個(gè)扇區(qū),將其2 個(gè)Block,64 個(gè)扇區(qū)定為一個(gè)簇,這樣,簇的容量剛好為512*64=32K,滿足FAT16 對(duì)簇大小的要求。FAT 分配空間的時(shí)候,是按簇來(lái)分配的,但是其給出的地址卻是LBA(Logical Block Address),即它只給出一個(gè)扇區(qū)號(hào),比如對(duì)此Flash 而言,若給出LBA 為0x40,實(shí)代表簇1的扇區(qū)1。因此需要將Logical Block Address 轉(zhuǎn)換為物理地址,這樣,才可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存取操作。根據(jù)我們定義的結(jié)構(gòu),轉(zhuǎn)換公式為:

Flash 的Block = Logical Block Address/0x20

Flash 的Page = Logical Block Address %0x20

實(shí)際上,如果定義每個(gè)簇為32 個(gè)扇區(qū)是最好的,因?yàn)檫@樣物理結(jié)構(gòu)和邏輯結(jié)構(gòu)剛好一致。但是這也無(wú)防,因?yàn)椴还躄ogical Block Address 給出什么值,只要按上述公式,總可以得到物理上正確的Block 和Page,再使用Flash 的讀寫(xiě)命令讀取對(duì)應(yīng)的Block 和Page 就可以了,讀的問(wèn)題復(fù)雜一些,在后面介紹。因此簇和扇區(qū)的概念只是在BPB 中給出存儲(chǔ)介質(zhì)信息的時(shí)候告之系統(tǒng)就可以了,我們只要做好LBA 與物理地址間的轉(zhuǎn)換就可以了。

由于做為U 盤(pán)的Flash 不要求啟動(dòng),因此可以沒(méi)有MBR 區(qū),只包含DBR、FAT、DIR

和DATA 四個(gè)區(qū)。因此,F(xiàn)lash 的前兩個(gè)Block 的內(nèi)容如下:

LBA Block/Page 長(zhǎng)度 內(nèi)容說(shuō)明

0 0,0 512 字節(jié) MBR=BPB+Excutable Code+55AA(查看內(nèi)容)

1~2 0,1~0,2 1024 字FAT 區(qū)(第一份FAT)節(jié)

3~4 0,3~0,4 1024字節(jié) FAT 區(qū)備份(第二份FAT)

5~39H 目錄區(qū)(在BPB 中調(diào)整目錄項(xiàng)數(shù),使其剛好占盡本簇)

40H~ 數(shù)據(jù)區(qū)(因目錄區(qū)占盡一個(gè)簇,故數(shù)據(jù)區(qū)始于新簇首扇)

當(dāng)Host 發(fā)出READ 命令后,F(xiàn)lash 讀寫(xiě)操作即告開(kāi)始,Host 首先讀取MBR,得到有關(guān)存儲(chǔ)介質(zhì)的有關(guān)信息,諸如扇區(qū)長(zhǎng)度、每簇扇區(qū)數(shù)以及總扇區(qū)數(shù)等內(nèi)容,以便知道此盤(pán)有多大。如果讀取正確,會(huì)接著讀取文件分配表,借以在PC 機(jī)上的可移動(dòng)盤(pán)符中顯示文件目錄,并可以復(fù)制、刪除或是創(chuàng)建文件。系統(tǒng)自動(dòng)將這些命令都轉(zhuǎn)換成Read 或Write 兩種命令,通過(guò)USB 的READ 或WRITE 命令塊描述符來(lái)從Flash 中相應(yīng)扇區(qū)讀取數(shù)據(jù),或是將特定長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)寫(xiě)入Flash 相應(yīng)簇中。

三、Flash 的讀寫(xiě)

針對(duì)Flash 讀寫(xiě)的特點(diǎn),特別是其可隨機(jī)讀,但無(wú)法隨機(jī)寫(xiě)的問(wèn)題,需要通過(guò)設(shè)置緩沖區(qū)來(lái)解決。在與USB Host 進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的過(guò)程中,最小的單位是扇區(qū):512 字節(jié)。由于Flash在寫(xiě)之前必須先擦除,而一擦又必須擦一個(gè)Block,因此在擦除某Block 之前必須保存同一個(gè)Block 中有關(guān)扇區(qū)的數(shù)據(jù)。因此,如果每收到一個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容就進(jìn)行一次擦、保存、寫(xiě)的操作,系統(tǒng)任務(wù)將十分繁重,無(wú)法及時(shí)響應(yīng)USB Host 端的請(qǐng)求。

因此,在系統(tǒng)中設(shè)置32K 的緩沖區(qū)(ARM7 系統(tǒng)具有2M SDRAM,因此內(nèi)存足夠,如果在8051 平臺(tái)上,則需要另外想辦法),每完成一次數(shù)據(jù)傳輸后,記下本次要寫(xiě)的開(kāi)始扇區(qū)和總扇區(qū)數(shù),將本次要寫(xiě)的數(shù)據(jù)所涉及的扇區(qū)以外的數(shù)據(jù)從Flash 中讀出來(lái),存放在緩沖區(qū)中對(duì)應(yīng)位置,然后擦除一個(gè)Block,再將緩沖區(qū)中內(nèi)容一次全部重新寫(xiě)入Flash。

以上便是此次小編帶來(lái)的“Flash”相關(guān)內(nèi)容,通過(guò)本文,希望大家對(duì)Flash盤(pán)的結(jié)構(gòu)以及Flash的讀寫(xiě)操作等內(nèi)容具備一定的了解。如果你喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦,小編將于后期帶來(lái)更多精彩內(nèi)容。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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