在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的**，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)碳化硅MOSFET器件。

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。

當(dāng)小于40A 時(shí)，CoolSiCTM MOSFET 顯示出近乎電阻性的特性，而IGBT 則在輸出特性上有一個(gè)拐點(diǎn)，一般在1V~2V, 拐點(diǎn)之后電流隨電壓線性增長(zhǎng)。

通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對(duì)于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)用尤其具有吸引力。特別是隨著先進(jìn)AI和IoT的發(fā)展，對(duì)于云服務(wù)的需求不斷增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心面臨著在降低功耗的同時(shí)還要提高容量和性能的挑戰(zhàn)。

當(dāng)負(fù)載電流為15A 時(shí)，在常溫下，CoolSiCTM 的正向壓降只有IGBT 的一半，在175℃結(jié)溫下，CoolSiCTM MOSFET 的正向壓降約是IGBT 的80%。在實(shí)際器件設(shè)計(jì)中，CoolSiCTM MOSFET比IGBT 具有更低的導(dǎo)通損耗。

配套評(píng)測(cè)板(P02SCT3040KR-EVK-001)帶有針對(duì)驅(qū)動(dòng)SiC器件而優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器IC (BM6101FV-C)。多個(gè)電源IC和分立組件有利于應(yīng)用評(píng)測(cè)和開發(fā)。由于兼容兩種封裝類型(TO-247-4L和TO-247N)，可在相同的條件下進(jìn)行評(píng)測(cè)。這個(gè)評(píng)測(cè)板可用于升壓電路、2級(jí)逆變器和同步整流降壓電路中的雙脈沖測(cè)試和組件評(píng)測(cè)。

相信通過閱讀上面的內(nèi)容，大家對(duì)碳化硅MOSFET器件有了初步的了解，同時(shí)也希望大家在學(xué)習(xí)過程中，做好總結(jié)，這樣才能不斷提升自己的設(shè)計(jì)水平。