種種“摧殘”下的華為，不得不賣出自己的榮耀，試圖最后拯救榮耀這一子品牌。然而在國產化的大背景下，華為又迎來了重大的好消息

21ic家獲悉，日前，IC WORLD上長江存儲(YMTC)首席執(zhí)行官楊士寧表示，很多人反映很少看到國產內存， 實際上華為Mate 40系列手機現在也使用了長江存儲的64層3D NAND閃存。

他強調，與國際存儲大廠6年的路程相比， 長江存儲僅用了短短3年時間實現了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。

會議上， 他還展示了長江存儲 先進的Xtacking技術， 他表示目前只有帶有這個標簽的終端產品才是真正的長存國產芯片。 他表示，Xtacking生態(tài)聯(lián)盟于今年8月成立，目前已匯聚20多家廠商和100多款產品。

Xtacking是什么?

Xtacking?：創(chuàng)新架構使3D NAND能擁有更快的I/O接口速度

采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

Xtacking?：創(chuàng)新架構使3D NAND能擁有更高的存儲密度

傳統(tǒng)3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。

Xtacking?：模組化的工藝將提升研發(fā)效率并縮短生產周期

Xtacking?技術充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，實現了并行的、模塊化的產品設計及制造，產品開發(fā)時間可縮短三個月，生產周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實現NAND閃存的定制化提供了可能。

“長江存儲是走在國際最前沿的，技術也是非常先進的，以后可以委托給中芯國際” ，他如是說。

搭載在華為Mate40系列手機的是SFS1.0閃存，容量上擁有128GB、256GB、512GB三種，實測持續(xù)讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s。

通過測試，這個SFS1.0比UFS 3.1閃存還要快。此前手機閃存大多使用的是三星、海力士、美光等進口產品。

長江存儲官方網站顯示，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢，是一家專注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案。長江存儲為全球合作伙伴供應3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

2017年10月，長江存儲通過自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。

2019年9月，搭載長江存儲自主創(chuàng)新Xtacking?架構的64層TLC 3D NAND閃存正式量產。

2020年4月，長江存儲宣布128層TLC/QLC兩款產品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為業(yè)界首款128層QLC閃存，擁有業(yè)界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設有研發(fā)中心，全球共有員工6000余人，其中資深研發(fā)工程師約2200人。通過不懈努力和技術創(chuàng)新，長江存儲致力于成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商。

21ic家注意到，長江存儲日前在市場占有率越來越高，2020年第三季度數據顯示，長江存儲已進入全球第七。楊士寧更是表示，近三年長江存儲每年增加10倍，長江存儲將借助Xtacking平臺，堅持合作開放，不斷深化國際國內方面的合作。

Mate 40作為華為發(fā)布的最高端的產品系列，研發(fā)經費達到了37億，也是華為的匠心之作。 除了長江存儲，這款手機還使用了京東方的國產OLED屏幕。

值得一提的，紫光集團下紫光展銳也迎來好消息，紫光展銳執(zhí)行副總裁周晨，在近日接受采訪時表示， 自研6nm 5G芯片即將在明年量產。