DDR5相比DDR4有什么新特性？

時(shí)間：2020-11-25 00:29:29

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[導(dǎo)讀]由于DRAM本身的局限性，它的技術(shù)進(jìn)步一直很痛苦。DDR3到DDR4的小進(jìn)步花了五年；DDR4從2012年發(fā)布第一版到今天DDR5確定標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)9年多，如果等到明年正式產(chǎn)品問世接近10年。從DDR4到DDR5花了將近10年，DDR5將有什么重大突破？它和現(xiàn)在市面上流行的DDR4有什么區(qū)別呢？

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由于DRAM本身的局限性，它的技術(shù)進(jìn)步一直很痛苦。DDR3到DDR4的小進(jìn)步花了五年；DDR4從2012年發(fā)布第一版到今天DDR5確定標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)9年多，如果等到明年正式產(chǎn)品問世接近10年。

從DDR4到DDR5花了將近10年，DDR5將有什么重大突破？它和現(xiàn)在市面上流行的DDR4有什么區(qū)別呢？

第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語：double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory，縮寫DDR5 SDRAM）是一種正在開發(fā)的高帶寬電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

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DDR5發(fā)展歷史

2017年6月，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC宣稱，下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5將亮相，并預(yù)計(jì)在2018年完成最終的標(biāo)準(zhǔn)制定。

2017年9月22日，Rambus宣布在實(shí)驗(yàn)室中實(shí)現(xiàn)完整功能的DDR5 DIMM芯片，預(yù)期將在2019年開始量產(chǎn)。

2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。

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DDR5的特性

1.性能改進(jìn)

2. 更省電

DDR5從DDR4 1.2V進(jìn)一步降低到1.1V，可以更加省電。

3.更大容量

DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB。

簡單概括DDR5的特點(diǎn)有四個(gè)：更快的速度，更大的容量，更高的穩(wěn)定性以及更低的能耗。

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DDR5和DDR4對(duì)比

DDR5是DRAM的下一步發(fā)展，帶來了一系列旨在增強(qiáng)可靠性，可用性和可維護(hù)性（RAS）的新功能。降低功率；并大大提高性能。DDR4和DDR5之間的一些關(guān)鍵功能差異如下：

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