2020年12月8日消息 在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞸K 海力士 176 層 TLC 4D NAND 閃存的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

SK海力士宣布，已開發(fā)出176層512Gb TLC 4D NAND，并已在上個(gè)月給主控廠商提供樣品，稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND，預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世。

SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)，數(shù)據(jù)傳輸速度提高了 33%，達(dá)到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動(dòng)解決方案產(chǎn)品，并計(jì)劃推出消費(fèi)者和企業(yè) SSD 產(chǎn)品，進(jìn)而擴(kuò)大該產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng)。

SK 海力士還計(jì)劃開發(fā)基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續(xù)增強(qiáng)其在NAND閃存業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。

4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。

除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術(shù)可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。

SK海力士4D NAND結(jié)合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計(jì)、PUC(Peri. Under Cell)技術(shù)，2019年送樣第一代96層4D NAND，同年次月又推出了第二代128層4D NAND，本次成功研發(fā)出的176層NAND是第三代4D NAND產(chǎn)品。

SK海力士預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品明年年中上市，目前主控廠商已經(jīng)在測(cè)試樣品，預(yù)計(jì)會(huì)在手機(jī)閃存領(lǐng)域首發(fā)，目標(biāo)是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會(huì)應(yīng)用到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)產(chǎn)品上。

根據(jù)一份CFM(中國(guó)閃存市場(chǎng))的數(shù)據(jù)顯示，2020年第三季度NAND Flash營(yíng)收三星仍以市場(chǎng)份額33.3%高居第一;鎧俠市場(chǎng)份額21.4%，排名第二，西部數(shù)據(jù)排第三;SK海力士排名第四;美光位列第五;英特爾排名第六位，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市占份額已經(jīng)超過1%排名第七。

在SK海力士之前，美光也發(fā)布了176層3D NAND，這是繼128層之后NAND Flash新一代技術(shù)制高點(diǎn)。值得注意的是，在美光和SK海力士新技術(shù)進(jìn)展加速推動(dòng)下，2021年原廠將可能直接在176層NAND技術(shù)上展開競(jìng)爭(zhēng)。

目前存儲(chǔ)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，各家廠商技技術(shù)迭代非?？?，NAND顆粒的堆疊的數(shù)字也是越來越大，而且隨著國(guó)產(chǎn)廠商的努力，市場(chǎng)也變的不再是那么的壟斷，前面的領(lǐng)頭廠商為了市場(chǎng)地位，對(duì)新技術(shù)的研發(fā)力度也會(huì)繼續(xù)增大。

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