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[導(dǎo)讀]雖然此前臺(tái)積電曾明確表示不會(huì)跟進(jìn)調(diào)漲報(bào)價(jià),但仍有消息傳出臺(tái)積電將取消12英寸接單價(jià)取消往年的折讓,等同于變相漲價(jià)。

雖然此前臺(tái)積電曾明確表示不會(huì)跟進(jìn)調(diào)漲報(bào)價(jià),但仍有消息傳出臺(tái)積電將取消12英寸接單價(jià)取消往年的折讓,等同于變相漲價(jià)。這將直接影響到臺(tái)積電的所有制程,明年晶圓代工不只8英寸供不應(yīng)求,連12英寸也相當(dāng)吃緊。臺(tái)積電回應(yīng)表示不評(píng)論市場傳聞和價(jià)格問題。

中國臺(tái)灣媒體報(bào)道稱,部分晶圓廠往年均會(huì)對(duì)客戶的代工價(jià)進(jìn)行折讓,約為3-5%不等。臺(tái)積電折讓比例最低,往年約在3%左右,不過這一折扣明年還是或會(huì)被取消。

還有消息稱聯(lián)電明年也將采取同樣措施,12英寸晶圓代工產(chǎn)能吃緊情況加重。無獨(dú)有偶,各大IC設(shè)計(jì)廠、IDM大廠、世界先進(jìn)制程廠都陸續(xù)宣布將在2021年漲價(jià),8英寸、12英寸晶圓產(chǎn)能被擠爆。

通過臺(tái)積電近日公布11月份業(yè)績來看,整體營收仍然在持續(xù)增加。合并營收1248.65億元新臺(tái)幣(約合289.65億元人民幣),同比增長15.7%、環(huán)比增加4.7%,營收已連續(xù)18個(gè)月同比增長。

變相漲價(jià)!晶圓代工或迎“漲價(jià)潮”,前臺(tái)積電COO再入中芯國際


此前,臺(tái)積電受到貿(mào)易清單影響,不能為華為供貨了。在這樣的情況下,臺(tái)積電直接宣布在美國投資120億美元建設(shè)5nm的芯片生產(chǎn)線。不過,沒有讓人想到的是,失去華為這個(gè)大客戶并沒有影響到臺(tái)積電,劉德音還對(duì)外表示,限制臺(tái)積電出貨,失去了部分訂單,對(duì)臺(tái)積電并沒有影響。另一方面,臺(tái)積電董事長劉德音還表示,臺(tái)積電正在研究量子運(yùn)算。

經(jīng)過一系列操作,2021年整個(gè)晶圓代工市場或?qū)⒂瓉硪徊q價(jià)潮。信息顯示,得益于電源管理IC及邏輯晶片等終端需求旺盛,目前臺(tái)積電晶圓代工產(chǎn)能從7nm到55nm制程全線滿載,包括12英寸、8英寸晶圓代工產(chǎn)線稼動(dòng)率都在90%以上。

反觀中國大陸方面,信息消費(fèi)聯(lián)盟理事長項(xiàng)立剛表示:“大陸之所以沒有出現(xiàn)臺(tái)積電這樣的企業(yè),是因?yàn)楹蟀l(fā)的原因及市場規(guī)律。然而市場規(guī)律同樣也會(huì)給大陸未來締造出臺(tái)積電一樣的企業(yè)提供機(jī)會(huì),因?yàn)榻裉鞜o論是國家安全、產(chǎn)業(yè)格局還是發(fā)展機(jī)會(huì),都到了中國在芯片制造領(lǐng)域有所作為的時(shí)候。我們已在芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域廣泛發(fā)力,在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域取得突破,從市場占有率為0很快達(dá)到了5%以上,技術(shù)水平也居世界前列。中芯國際這樣的代工企業(yè)也在高速成長,未來5年,芯片代工企業(yè)的實(shí)力會(huì)迅速增強(qiáng),形成技術(shù)突破,搶占全球市場?!?

而最近,據(jù)digitimes報(bào)道,此前臺(tái)積電的COO將再次加盟中芯國際。業(yè)內(nèi)人士透漏,蔣尚義目前已經(jīng)返回上海,并將擔(dān)任公司董事會(huì)執(zhí)行董事、副董事長。另外,中芯國際兩位聯(lián)席CEO趙海軍、梁孟松將直接向蔣尚義匯報(bào)。

再度加盟是因?yàn)?016年12月蔣尚義曾正式加入中芯國際,任職第三類獨(dú)立非執(zhí)行董事,但在2019年6月21日辭任。隨后,蔣尚義加盟武漢弘芯,出任CEO。不過隨著武漢弘芯項(xiàng)目爛尾逐漸被曝光,蔣尚義已經(jīng)在今年11月17日發(fā)布律師函聲明,已于6月因個(gè)人原因辭去武漢弘芯一切職務(wù),弘芯也接受了此辭呈。

根據(jù)國內(nèi)媒體透露,蔣尚義曾擔(dān)任臺(tái)積電研發(fā)副總裁和共同首席運(yùn)營官(COO)等職務(wù)。在臺(tái)積電任職期間, 蔣尚義牽頭了0.25um,0.18um,0.15um,0.13um,90nm,65nm,40nm,28nm,20nm,以及16nm FinFET 等關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的研發(fā),使臺(tái)積電的行業(yè)地位從技術(shù)跟隨者發(fā)展為技術(shù)引領(lǐng)者。

據(jù)悉,蔣尚義在臺(tái)積電時(shí)曾提議做先進(jìn)封裝,最后獲得張忠謀批準(zhǔn)。目前,臺(tái)積電在3D封裝領(lǐng)域已經(jīng)取得了不錯(cuò)的技術(shù)突破,這為其延續(xù)摩爾定律提供了技術(shù)保障。

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