在這篇文章中，小編將對(duì)半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)設(shè)備中的兩款設(shè)備加以闡述，以增進(jìn)大家對(duì)半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)的理解。如果你對(duì)本文內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)引言

半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。

隨著技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體芯片晶體管密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這對(duì)于芯片設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)而言是前所未有的挑戰(zhàn)。另一方面，隨著芯片開(kāi)發(fā)周期的縮短，對(duì)于流片的成功率要求非常高，任何一次失敗，對(duì)企業(yè)而言都是無(wú)法承受的。為此，在芯片設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)過(guò)程中，需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。除此之外，半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，需要面臨大量的技術(shù)挑戰(zhàn)，測(cè)試變得更加重要。那么，半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)中會(huì)用到哪些設(shè)備呢?

二、半導(dǎo)體封裝測(cè)評(píng)設(shè)備

(一)減薄機(jī)

由于制造工藝的要求，對(duì)晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶格結(jié)構(gòu)提出很高要求。因此在幾百道工藝流程中只能采用一定厚度的晶片在工藝過(guò)程中傳遞、流片。通常在集成電路封裝前，需要對(duì)晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過(guò)程稱之為晶片背面減薄工藝，對(duì)應(yīng)裝備就是晶片減薄機(jī)。減薄機(jī)是通過(guò)減薄/研磨的方式對(duì)晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果，減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

(二)四探針

測(cè)量不透明薄膜厚度。由于不透明薄膜無(wú)法利用光學(xué)原理進(jìn)行測(cè)量，因此會(huì)利用四探針儀器測(cè)量方塊電阻，根據(jù)膜厚與方塊電阻之間的關(guān)系間接測(cè)量膜厚。方塊電阻可以理解為硅片上正方形薄膜兩端之間的電阻，它與薄膜的電阻率和厚度相關(guān)，與正方形薄層的尺寸無(wú)關(guān)。四探針將四個(gè)在一條直線上等距離放置的探針依次與硅片進(jìn)行接觸，在外面的兩根探針之間施加已知的電流，同時(shí)測(cè)得內(nèi)側(cè)兩根探針之間的電勢(shì)差，由此便可得到方塊電阻值。

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