人類(lèi)社會(huì)的進(jìn)步離不開(kāi)社會(huì)各界的努力，而各種電子產(chǎn)品的升級(jí)離不開(kāi)設(shè)計(jì)師的努力。 實(shí)際上，許多人不了解LED等電子產(chǎn)品的組成。 LED芯片制造的主要目的是生產(chǎn)有效且可靠的低歐姆接觸電極，該電極可滿(mǎn)足可接觸材料之間的相對(duì)較小的電壓降，并提供用于焊接導(dǎo)線(xiàn)的壓墊，同時(shí)盡可能多地發(fā)光。 膜過(guò)渡過(guò)程通常使用真空蒸鍍方法。 在4Pa的高真空下，材料通過(guò)電阻加熱或電子束轟擊加熱而熔化，并且BZX79C18在低壓下變成沉積在半導(dǎo)體材料表面的金屬蒸氣。

常用的P型接觸金屬包括AuBe，AuZn和其他合金，AuGeNi合金通常用作N表面的接觸金屬。 涂覆后形成的合金層還需要通過(guò)光刻工藝暴露出盡可能多的發(fā)光區(qū)域，以便剩余的合金層可以滿(mǎn)足有效且可靠的低歐姆接觸電極和引線(xiàn)鍵合焊盤(pán)的要求。 光刻工藝完成后，需要進(jìn)行合金化工藝。 合金化通常在H2或N2的保護(hù)下進(jìn)行。 合金化的時(shí)間和溫度通常由諸如半導(dǎo)體材料的特性和合金爐形式的因素決定。 當(dāng)然，如果諸如藍(lán)色和綠色的芯片電極工藝更加復(fù)雜，則必須增加鈍化膜的生長(zhǎng)和等離子體蝕刻工藝。

一般而言，LED外延生產(chǎn)完成后，其主要電性能已經(jīng)確定，芯片制造不會(huì)改變其生產(chǎn)性質(zhì)。 但是，在涂層和合金化工藝中不適當(dāng)?shù)臈l件將導(dǎo)致某些電氣參數(shù)變差。 例如，較低或較高的合金化溫度將導(dǎo)致不良的歐姆接觸。 歐姆接觸不良是芯片制造中正向壓降VF高的主要原因。 切割后，如果在芯片的邊緣上執(zhí)行一些蝕刻工藝，將更好地改善芯片的反向泄漏。 這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀懈詈?，更多的碎屑和粉末?huì)殘留在切屑的邊緣。 如果這些附著在LED芯片的PN結(jié)上，將導(dǎo)致泄漏甚至擊穿。

LED芯片的大小可以根據(jù)功率大小分為小功率芯片，中功率芯片和大功率芯片。 根據(jù)客戶(hù)要求，可分為單管級(jí)、數(shù)碼級(jí)、點(diǎn)陣級(jí)和裝飾照明。 至于芯片的具體尺寸，是根據(jù)不同芯片廠(chǎng)商的實(shí)際生產(chǎn)水平確定的，沒(méi)有特別要求。 只要工藝通過(guò)，芯片尺寸就可以增加單位產(chǎn)量并降低成本，并且光電性能不會(huì)發(fā)生根本變化。 芯片使用的電流實(shí)際上與流過(guò)芯片的電流密度有關(guān)。 小芯片使用小電流，大芯片使用大電流。 它們的單位電流密度基本相同。 考慮到散熱是大電流下的主要問(wèn)題，其發(fā)光效率低于小電流。

所謂的透明電極必須能夠?qū)щ?，另一個(gè)必須能夠透射光。 這種材料現(xiàn)在在液晶生產(chǎn)過(guò)程中得到了更廣泛的使用，其名稱(chēng)為銦錫氧化物(英語(yǔ)縮寫(xiě)ITO)，但不能用作焊盤(pán)。 在生產(chǎn)過(guò)程中，必須在芯片的表面上制成歐姆電極，然后在該表面上覆蓋一層ITO，然后在ITO的表面上鍍一層焊盤(pán)。 這樣，從引線(xiàn)流出的電流通過(guò)ITO層均勻地分布到每個(gè)歐姆接觸電極。

隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，在照明領(lǐng)域中越來(lái)越多的應(yīng)用。 特別地，白光LED的出現(xiàn)已經(jīng)成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。 但是，關(guān)鍵的芯片和封裝技術(shù)有待改進(jìn)，芯片應(yīng)朝著高功率，高光效和低熱阻的方向發(fā)展。 增加功率意味著增加芯片使用的電流。 更直接的方法是增加芯片的尺寸。 如今，大功率芯片一般出現(xiàn)在1mm×1mm左右，電流為350mA。

藍(lán)色LED通常使用Al2O3基板。 Al 2 O 3襯底具有高硬度，低導(dǎo)熱率和低導(dǎo)電率。 如果采用前裝式結(jié)構(gòu)，一方面會(huì)帶來(lái)防靜電問(wèn)題，另一方面，在大電流條件下散熱也會(huì)成為問(wèn)題。 主要問(wèn)題。 同時(shí)，由于前電極面朝上，所以一部分光將被阻擋，并且發(fā)光效率將降低。 大功率藍(lán)色LED通過(guò)芯片倒裝芯片技術(shù)可以獲得比傳統(tǒng)封裝技術(shù)更有效的發(fā)光。

這種結(jié)構(gòu)的特征在于外延層與硅襯底直接接觸，并且硅襯底的熱阻比藍(lán)寶石襯底的熱阻低得多，因此很好地解決了散熱問(wèn)題。翻轉(zhuǎn)后，藍(lán)寶石基板面朝上成為發(fā)光面，并且藍(lán)寶石是透明的，因此也解決了發(fā)光問(wèn)題。以上是LED技術(shù)的相關(guān)知識(shí)。相信隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，未來(lái)的LED燈將越來(lái)越高效，使用壽命將大大提高，這將給我們帶來(lái)更大的便利。