長(zhǎng)期以來(lái)，中國(guó)在芯片市場(chǎng)缺少話語(yǔ)權(quán)和定價(jià)權(quán)，這導(dǎo)致國(guó)內(nèi)一直被海外國(guó)際大廠壟斷。雖然我國(guó)已經(jīng)在盡力追趕，但技術(shù)上仍然與國(guó)際大廠有不小的差距。

國(guó)內(nèi)廠商由于仍處于起步階段，存儲(chǔ)器的研發(fā)能否成功，未來(lái)幾年將是關(guān)鍵期;研發(fā)成功后，良率能否提升到較高水平，成本控制是否能夠達(dá)到預(yù)期，知識(shí)產(chǎn)權(quán)能否做到有效保護(hù)等，仍然有一定的不確定性;從研發(fā)成功至量產(chǎn)并形成銷售，仍然需要長(zhǎng)達(dá)幾年時(shí)間。

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體行業(yè)的重要分支，在經(jīng)歷了2015和2016年的持續(xù)走低后，2017年，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)迎來(lái)了爆發(fā)，增長(zhǎng)率達(dá)到60%，銷售額超過(guò)1200億美元，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總值的30.1%。

20年下半年以來(lái)，全球汽車行業(yè)遭到芯片短缺的嚴(yán)重影響，不少一二線車企的部分工廠都已經(jīng)因?yàn)椤盁o(wú)芯可用”而被迫停工停產(chǎn)。

令人意想不到的是，汽車行業(yè)的缺芯現(xiàn)象已經(jīng)逐漸蔓延至智能手機(jī)行業(yè)以及游戲機(jī)行業(yè)。全球芯片短缺的狀況在2021年或?qū)⒊掷m(xù)存在。

從去年底開(kāi)始，DRAM內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)格下滑趨勢(shì)已經(jīng)止住了，在停電、火災(zāi)等意外因素影響下開(kāi)始漲價(jià)，2021年全球內(nèi)存漲價(jià)已經(jīng)是定局。截止2月3日，8GB DDR4內(nèi)存顆粒的報(bào)價(jià)來(lái)到3.93美元。要知道，在2020年8月，相關(guān)產(chǎn)品的報(bào)價(jià)僅為2.54美元。這短短六個(gè)月的時(shí)間，價(jià)格漲幅就達(dá)到54.7%。威剛DDR4-3200 16GB單條，去年11月是399元，截稿前已經(jīng)漲到了569元。實(shí)際上，按照華邦電子的說(shuō)法，DRAM和閃存價(jià)格的上揚(yáng)將有助于公司在3、4月份實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)。

內(nèi)存接口芯片集成于DRAM內(nèi)存模組(存儲(chǔ)介質(zhì))中，是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度和穩(wěn)定性，以匹配CPU日益提高的運(yùn)行速度和性能。內(nèi)存接口芯片具有較高的技術(shù)門檻，認(rèn)證過(guò)程嚴(yán)格，尤以CPU廠商認(rèn)證最為關(guān)鍵，按功能劃分，內(nèi)存接口芯片主要分為：寄存緩沖器(RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、內(nèi)存緩沖器(MB/AMB)三類。

DDR是21世紀(jì)初主流內(nèi)存規(guī)范，內(nèi)存接口芯片技術(shù)經(jīng)歷了DDR2、DDR3、DDR4世代，目前DDR4內(nèi)存技術(shù)處于成熟期，隨著內(nèi)存接口芯片的不斷升級(jí)，內(nèi)存技術(shù)逐漸由DDR4向DDR5升級(jí)迭代，相比于前一代內(nèi)存接口芯片，DDR5可以支持更低電壓工作環(huán)境及更高的運(yùn)行速率。

其實(shí)，全球半導(dǎo)體目前正經(jīng)歷著大缺貨，雪上加霜的是，美國(guó)得州遭遇重大自然災(zāi)害，日本福島發(fā)生7.3級(jí)地震，導(dǎo)致部分半導(dǎo)體廠商暫時(shí)停產(chǎn)，比如三星的S2晶圓廠。

由于市場(chǎng)供不應(yīng)求、供需狀況得到控制，再加上智能手機(jī)、服務(wù)器市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)，2020年的內(nèi)存行業(yè)還是十分賺錢的內(nèi)存行業(yè)的寡頭現(xiàn)象也是越來(lái)越明顯，前五大廠商拿走了81%毛利潤(rùn)，前十大廠商則占了總收入的92%。但這對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片而言，卻是一個(gè)不可多得的機(jī)遇。

在全球內(nèi)存版圖中，三星、SK海力士及美光是三大巨頭，合計(jì)占據(jù)全球95%以上的產(chǎn)能，其他廠商的份額非常小，后來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)者面臨著強(qiáng)大的壓力。

相比三星等廠商進(jìn)軍第三代、第四代10nm級(jí)內(nèi)存工藝(1Znm之后)，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的19nm工藝還是第一代的，好在合肥長(zhǎng)鑫之前已經(jīng)表態(tài)會(huì)攻克17nm工藝，達(dá)到第二代10nm級(jí)工藝的水平，同時(shí)還會(huì)推出DDR5、LPDDR5等新標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存。

以內(nèi)存芯片為例。時(shí)至今日，三星等頭部廠商已經(jīng)在進(jìn)軍第三代、第四代(10nm級(jí)別)內(nèi)存工藝。反觀國(guó)產(chǎn)內(nèi)存芯片的工藝依然停留在19nm，而且還是第一代。

對(duì)國(guó)產(chǎn)廠商來(lái)說(shuō)，2021年內(nèi)存漲價(jià)是個(gè)極好的機(jī)遇，但面臨的挑戰(zhàn)也不少，主要來(lái)自于技術(shù)及產(chǎn)能上的。近年來(lái)，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的崛起之勢(shì)全球有目共睹。由于美國(guó)芯片出口的規(guī)則改變，全球芯片出口格局也在發(fā)生重大變化。為此，中國(guó)也在加快步伐，試圖盡快實(shí)現(xiàn)芯片國(guó)產(chǎn)化，其中最為典型的就是中科院，該院上周已經(jīng)宣布，要將光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備列入科研清單。最后也希望屬于我們自己的光刻機(jī)早日可以研發(fā)出來(lái)，制造出屬于我們自己的核心芯片，不再受外國(guó)力量的制裁和牽制。