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[導讀]6月2日,臺積電在2021年技術(shù)論壇上表示,3年1000億美元投資案已全面啟動,現(xiàn)在正以5倍的速度加快擴產(chǎn)腳步,包括將在南科擴建5nm晶圓廠及興建3nm晶圓廠,以及在竹科興建研發(fā)晶圓廠及2nm晶圓廠。以臺積電興建中及計劃中的投資案來看,等于要再蓋12座晶圓廠,極紫外光(EUV)產(chǎn)能將大爆發(fā)。

據(jù)臺媒工商時報報道,面對全球半導體產(chǎn)能供不應求,晶圓代工龍頭臺積電在6月2日舉辦的2021年技術(shù)論壇上表示,3年1000億美元投資案已全面啟動,現(xiàn)在正以5倍的速度加快擴產(chǎn)腳步,包括將在南科擴建5nm晶圓廠及興建3nm晶圓廠,以及在竹科興建研發(fā)晶圓廠及2nm晶圓廠。以臺積電興建中及計劃中的投資案來看,等于要再蓋12座晶圓廠,極紫外光(EUV)產(chǎn)能將大爆發(fā)。

此外,臺積電在南科及竹南封測廠興建已啟動,美國亞利桑那州12吋廠開始興建。隨著臺積電加快建廠腳步,及擴大設備及備品采購規(guī)模,臺積電大同盟合作伙伴的業(yè)績可望再旺3年。

臺積電表示,過去33年產(chǎn)出的晶圓片數(shù)量已超過1億片,而目前年產(chǎn)量也超過1300萬片12吋約當晶圓。臺積電過去以穩(wěn)健方式擴產(chǎn),但因應客戶強勁需求,目前正以5倍速度擴充產(chǎn)能,累積達到的無塵室面積更達到百萬平方公尺。臺積電今年資本支出上調(diào)至300億美元,3年1000億美元投資案全面啟動,而臺積電已開始興建3nm晶圓廠,未來會是全球首座3nm晶圓廠。

臺積電急擴產(chǎn):在建及規(guī)劃中的晶圓廠已達12座!

臺積電營運資深副總經(jīng)理秦永沛說明了建廠計劃:南科Fab 18超大型晶圓廠(GigaFab)將建置P1~P4共4座5nm晶圓廠,P5~P8共4座3nm晶圓廠。其中P1~P3廠已進入量產(chǎn),P4~P6廠正在興建中,未來將再擴建P7~P8廠。另外,南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠為特殊制程生產(chǎn)基地,AP2C封測廠亦興建中。

臺積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴建P8~P9廠為研發(fā)中心,P8廠將在今年完成。臺積電預計在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠,現(xiàn)在仍在土地取得程序,未來將成為2nm生產(chǎn)重鎮(zhèn)。至于美國亞利桑那州5nm晶圓廠已開始興建,2024年以月產(chǎn)能2萬片量產(chǎn)計劃不變。

在封測廠投資部份,秦永沛指出,臺積電已有4座先進封測廠區(qū),主要提供晶圓凸塊、先進測試、后段3D封裝等業(yè)務,現(xiàn)在竹南興建的第5座封測廠AP6,未來將以前段3D封裝及芯片堆疊等先進技術(shù)為主。而竹南封測AP6廠總面積是4座封測廠總面積的1.3倍,預計2022年下半年開始量產(chǎn)SoIC先進封裝制程。

臺積電急擴產(chǎn):在建及規(guī)劃中的晶圓廠已達12座!

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