除了投資“芯片之母”EDA企業(yè)，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司，后者注冊(cè)資本也從9027萬元增加到9770萬元，增幅8%。

據(jù)悉，東莞市天域半導(dǎo)體成立于2009年，位于松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是我國(guó)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

2010年公司與中科院半導(dǎo)體所合作成立“碳化硅技術(shù)研究院”，目前已引進(jìn)三臺(tái)世界一流的SiC-CVD及配套檢測(cè)設(shè)備，生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。天域是中國(guó)第一家碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949) 。目前，天域在中國(guó)擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。月產(chǎn)能 5000件。 憑著最先進(jìn)的外延能力和最先進(jìn)的測(cè)試和表征設(shè)備，我們?yōu)槿蚩蛻籼峁?n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFETs、BJTs、MOSFETs，GTOs 和 IGBTs等。

至于深圳哈勃科技，華為技術(shù)有限公司則出自69%、華為終端出資30%、哈勃科技出資1%，今年4月剛剛成立。

所謂第三代半導(dǎo)體，主要是二十一世紀(jì)以來以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導(dǎo)體材料，即高溫半導(dǎo)體材料。第一代半導(dǎo)體材料主要是硅（Si）、鍺元素（Ge），第二代主要是化合物半導(dǎo)體材料。