以下內(nèi)容中，小編將對ADI AD5121電位計的相關內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對AD5121電位計的了解，和小編一起來看看吧。

一、AD5121電位計概述

AD5121電位計為128/256位調(diào)整應用提供一種非易失性解決方案，保證±8%的低電阻容差誤差，A, B和W引腳提供最高±6 mA的電流密度。

低電阻容差和低標稱溫度系數(shù)簡化了開環(huán)應用和需要容差匹配的應用。

線性增益設置模式允許對數(shù)字電位計端子RAW和RWB之間的電阻獨立編程，使電阻匹配非常精確。

寬帶寬和低總諧波失真(THD)確保對于交流信號具有最佳性能，適合濾波器設計。

在電阻陣列末端的低游標電阻僅40 ?，允許進行引腳到引腳連接。

游標電阻值可通過一個SPI/I2C兼容數(shù)字接口設置，也可利用該接口回讀游標寄存器和EEMEM內(nèi)容。

AD5121/AD5141采用緊湊型16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C的擴展工業(yè)溫度范圍。

AD5121/AD5141 數(shù)字可編程電位器設計為在 VSS < VTERM < VDD 的終端電壓范圍內(nèi)用作模擬信號的真正可變電阻器。 電阻抽頭位置由 RDAC 寄存器內(nèi)容決定。 RDAC 寄存器充當暫存器寄存器，允許無限制地更改電阻設置。 輔助寄存器(輸入寄存器)可用于預加載 RDAC 寄存器數(shù)據(jù)。

可以使用 I2C 或 SPI 接口(取決于型號)使用任何位置設置對 RDAC 寄存器進行編程。 當找到理想的雨刷位置時，該值可以存儲在 EEPROM 存儲器中。 此后，雨刮器位置總是恢復到該位置以供后續(xù)通電使用。 存儲 EEPROM 數(shù)據(jù)大約需要 18 ms; 在此期間，設備被鎖定并且不確認任何新命令，從而防止發(fā)生任何更改。

二、AD5121電位計詳述

通過上面的介紹，想必大家對AD5121電位計已經(jīng)具備了初步認識。下面，我們再從AD5121電位計的組成構(gòu)件上詳細了解一下。

(一)RDAC 寄存器和 EEPROM

RDAC 寄存器直接控制數(shù)字電位計游標的位置。 例如，當 RDAC 寄存器加載 0x80(AD5141，256 個抽頭)時，抽頭連接到可變電阻器的半量程。 RDAC 寄存器是標準的邏輯寄存器; 允許的更改次數(shù)沒有限制。

可以使用數(shù)字接口寫入和讀取 RDAC 寄存器。

可以使用命令 9 將 RDAC 寄存器的內(nèi)容存儲到 EEPROM 中。此后，RDAC 寄存器始終設置在該位置以用于未來的任何開關電源序列。 可以使用命令 3 回讀保存在 EEPROM 中的數(shù)據(jù)?；蛘撸梢允褂妹?1 獨立寫入 EEPROM。

(二)輸入移位寄存器

對于 AD5121/AD5141，輸入移位寄存器為 16 位寬。 16 位字由 4 個控制位組成，后跟 4 個地址位和 8 個數(shù)據(jù)位 如果 AD5121 RDAC 或 EEPROM 寄存器讀取或?qū)懭胱畹蛿?shù)據(jù)位(位 0)，則忽略。數(shù)據(jù)首先加載 MSB (位 15)。

(三)串行數(shù)據(jù)數(shù)字接口選擇，DIS

AD5121/AD5141 LFSCP 提供了可選接口的靈活性。 當數(shù)字接口選擇 (DIS) 引腳被拉低時，SPI 模式被啟用。 當 DIS 引腳拉高時，I2C 模式被啟用。

(四)SDO 引腳

串行數(shù)據(jù)輸出引腳 (SDO) 有兩個用途：使用命令 3 回讀控制、EEPROM、RDAC 和輸入寄存器的內(nèi)容，以及將 AD5121/AD5141 連接到菊花鏈模式。 SDO 引腳包含一個需要外部上拉電阻的內(nèi)部開漏輸出。 SDO 引腳在 SYNC 拉低時啟用，數(shù)據(jù)在 SCLK 的上升沿從 SDO 時鐘輸出。

(五)菊花鏈連接

菊花鏈最大限度地減少了控制 IC 所需的端口引腳數(shù)。 一個封裝的 SDO 引腳必須連接到下一個封裝的 SDI 引腳。 由于后續(xù)設備之間線路的傳播延遲，可能需要增加時鐘周期。 當兩個 AD5121 器件采用菊花鏈連接時，需要 32 位數(shù)據(jù)。 前 16 位分配給 U2，后 16 位分配給 U1。 保持 SYNC 引腳為低電平，直到所有 32 位都被計時到各自的串行寄存器中。 然后 SYNC 引腳被拉高以完成操作。

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