半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)是高科技的制高點，各大國家及地區(qū)都在積極擴張自己的半導體實力，其中半導體制造產(chǎn)能是重點。在這個領域，國內(nèi)的芯片產(chǎn)能今年有望超越日本，進入世界前三。

半導體行業(yè)的權(quán)威機構(gòu)ICinsights日前發(fā)布了2021-2025年全球晶圓月產(chǎn)能報告，統(tǒng)計了2020年底全球各個國家及地區(qū)的芯片產(chǎn)能，其中按照歸屬地來算，比如三星在美國的工廠就算到美國產(chǎn)能中，在中國大陸的產(chǎn)能就會算到國內(nèi)產(chǎn)能中。

根據(jù)這個報告，截至2020年12月，全球芯片產(chǎn)能最高的是中國臺灣地區(qū)，占全球21.4%的份額，第二位的是韓國，份額20.4%，這兩個地區(qū)遙遙領先。

其中臺灣地區(qū)的產(chǎn)能領先的主要是8英寸晶圓，12英寸晶圓產(chǎn)能中韓國公司還是略勝一籌，主要是三星、SK海力士的內(nèi)存、閃存芯片多數(shù)都使用12英寸晶圓，臺灣的臺積電、聯(lián)電等晶圓廠還有龐大的8英寸邏輯代工業(yè)務。

臺灣地區(qū)的芯片產(chǎn)能在2011年超越日本，2015年超越韓國，成為新的第一，預計到2025年依然會是全球第一，產(chǎn)能還會繼續(xù)增加140萬片等效8英寸晶圓/月。

在這個名單中，國內(nèi)的晶圓產(chǎn)能也在快速增加，2020年底的時候份額15.3%，略低于日本的15.8%，但是考慮到國內(nèi)晶圓廠建設力度是超強的，2021年國內(nèi)芯片產(chǎn)能超過日本毫無懸念，首次進入世界前三。

國內(nèi)的晶圓產(chǎn)能在2010年超過歐洲，2019年超過北美，2020-2025年期間還會繼續(xù)增加份額，預計2025年可達19%，增加3.7百分點，而其他國家和地區(qū)的份額比例會下降。

這半年來全球半導體產(chǎn)能大缺貨，各大企業(yè)紛紛漲價，擴張半導體產(chǎn)能已經(jīng)是迫在眉睫。

國內(nèi)現(xiàn)在也在大力投資半導體，很多人認為國內(nèi)最缺的工藝是各種先進工藝，比如14nm，7nm甚至5nm等，然而實際情況可能大出意外。

來自芯片行業(yè)的專業(yè)人士@芯謀研究顧文軍的消息稱，國內(nèi)現(xiàn)在最缺的不是28nm，也不是14nm，或者7nm工藝，而是55nm。

雖然產(chǎn)能緊張，但是28nm及更先進的工藝實際上還有空余產(chǎn)能，55nm工藝今年全都滿了。

55nm工藝量產(chǎn)至少10多年了，在很多人看來已經(jīng)是非常落伍的工藝了，高性能計算市場當然不會采用55nm工藝了，然而直到現(xiàn)在依然有很多芯片在用，特別是車載電子等工業(yè)產(chǎn)品中，工藝成熟、價格低廉是優(yōu)勢。

至于先進工藝，國內(nèi)實際上已經(jīng)在快速追趕了，中芯國際的財報中顯示，完成了1.5萬塊晶圓的FinFET安裝產(chǎn)能目標，第一代量產(chǎn)穩(wěn)步推進，第二代進入風險量產(chǎn)——中芯國際的N+1、N+2代工藝大概相當于8nm、7nm的水平，今年也會試產(chǎn)了。

據(jù)中國臺灣媒體報道，半導體巨頭臺積電南京廠目前月產(chǎn)能已達成原定2萬片目標，而之前依計劃擴增南京廠產(chǎn)能，今年月產(chǎn)能已由1.5萬片擴增至2萬片，制程技術(shù)以12nm及16nm為主。

此前有消息稱，臺積電決定啟動南京廠第2期擴建，并以28nm制程為主。對于這個消息，臺積電表示，目前南京廠尚無進一步擴產(chǎn)具體計劃。

臺積電財報顯示，臺積電南京廠去年即轉(zhuǎn)虧為盈，全年獲利新臺幣12.89億元(約合人民幣 2.97 億元)。隨著產(chǎn)能規(guī)模擴大，今年前3季獲利擴增至新臺幣91.29億元(約合人民幣21億元)。

此前還有媒體報道稱，為了保持領先，臺積電已經(jīng)下單訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機，將會在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時間表尚不清楚。同時，明年臺積電實際需求的數(shù)量可能是高達16到17臺EUV光刻機。

目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機在其N7+以及N5節(jié)點上制造芯片，但在未來幾個季度，該公司將增加N6(實際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進入HVM)以及同樣具有EUV層的N5P工藝。臺積電對EUV工具的需求正在增加是因為其技術(shù)越來越復雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少制造高度復雜的電路時多圖案技術(shù)的使用。