在持續(xù)“缺芯”的背景下，全球?qū)τ诰A代工產(chǎn)能的渴望如久旱之望甘霖。芯片制造環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的最具產(chǎn)業(yè)帶動性的關(guān)鍵一環(huán)，被全球多國提至國家戰(zhàn)略方向，其重要性可以說是全球矚目。

這也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)在2021年達(dá)到了規(guī)模新高度。TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于多項(xiàng)終端應(yīng)用需求齊揚(yáng)，各項(xiàng)零部件備貨強(qiáng)勁，晶圓代工產(chǎn)能自2020年起便供不應(yīng)求，各廠紛紛調(diào)漲晶圓售價(jià)及調(diào)整產(chǎn)品組合以確保獲利水平。盡管整體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2020年第四季的高基期、突發(fā)性停電意外等外部因素影響，2021年第一季前十大晶圓代工業(yè)者總產(chǎn)值仍再次突破單季歷史新高，達(dá)227.5億美元，季增1%。

在營收排名方面，臺積電第一季營收以129.0億美元穩(wěn)居全球第一，市場份額55%;第二名為三星，相關(guān)營收為41.08億美元，市場份額17%;聯(lián)電排名第三，市場份額7%;格芯和中芯國際位列第四和第五，兩者市場份額均在5%左右。值得注意的是，在前十名中，第九名和第十名分別為華虹半導(dǎo)體和上海華力，兩者同屬華虹集團(tuán)，若合并計(jì)算，則華虹集團(tuán)第一季總營收達(dá)6億美元，位居第六名，而第十名則由東部高科遞補(bǔ)。

英特爾公司作為全球芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域排名第一的巨頭，一直以來是自己設(shè)計(jì)和制造芯片處理器，如今，在全球芯片短缺的大環(huán)境下，英特爾也開始給別人做晶圓代工了，據(jù)海外媒體報(bào)道，高通將成為英特爾晶圓代工的首個(gè)重要客戶，英特爾的入局，無疑將對臺積電和三星等晶圓代工企業(yè)產(chǎn)生比較大的影響，芯片晶圓代工的全球格局因?yàn)橛⑻貭柖淖兞恕?

與此同時(shí)，英特爾也表示在2025年之前要加大在代工領(lǐng)域的投入，追趕三星和臺積電，重新奪取英特爾在芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

拿下高通和亞馬遜這兩個(gè)大客戶極大地增強(qiáng)了英特爾的信心，而此前，高通的芯片大多是由三星半導(dǎo)體來代工。

據(jù)悉，英特爾將采用最新的Intel 20A技術(shù)來制造芯片，英特爾CEO蓋辛格認(rèn)為：目前的以納米為單位的工藝制程已經(jīng)逼近1nm極限，而英特爾將開創(chuàng)新的工藝進(jìn)程，采用最新的晶體管架構(gòu)，把芯片制造升級到埃米時(shí)代(1納米為10埃米)。

三星本周表示，將調(diào)整其半導(dǎo)體晶圓的定價(jià)，以資助其在韓國平澤附近的 S5 晶圓廠的擴(kuò)張。就像其行業(yè)同行一樣，三星代工廠在滿足對其服務(wù)的需求方面存在問題，因此投資先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)施將確保未來能夠使用其先進(jìn)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)更多芯片。同時(shí)，價(jià)格上漲可能會影響三星代工廠生產(chǎn)的 GPU、SoC 和控制器的成本。

三星代工廠的 S5 Line 是該公司最先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)施，旨在使用該公司的 5LPP (5 nm)、4LPE (4 nm) 和更薄的生產(chǎn)技術(shù)處理晶圓。由于該晶圓廠廣泛使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，其擴(kuò)建成本非常高，因?yàn)?EUV 掃描儀的成本為 1.2 億至 1.5 億美元(與現(xiàn)代 DUV 掃描儀相比顯著增加)，因此三星最近一直在積極增加其資本支出年——希望它的客戶為它付費(fèi)，盡管是間接的。

三星代工廠使用其最新節(jié)點(diǎn)為其母公司和其他幾家智能手機(jī)制造商使用的智能手機(jī)生產(chǎn)大量 Exynos 片上系統(tǒng)。此外，三星代工廠為英偉達(dá)生產(chǎn)數(shù)百萬安培圖形處理器，并為許多公司生產(chǎn)數(shù)千萬顆其他 SoC。雖然三星代工廠由于合同義務(wù)不能在一夜之間提高報(bào)價(jià)，但它可以相對較快地調(diào)整定價(jià)，這可能導(dǎo)致許多最好的顯卡變得更加昂貴。

三星代工廠的漲價(jià)將如何影響智能手機(jī)和顯卡的價(jià)格還有待觀察，但其客戶肯定會嘗試以某種方式抵消更高的制造成本。

早期的晶體管命名方式，通常以晶體管的實(shí)際柵極長度作為支撐工藝名稱。比如柵極長度90nm，制程工藝就命名為90nm。但其實(shí)從1997年開始，業(yè)界已經(jīng)意識到基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點(diǎn)命名方法，不再與晶體管實(shí)際的柵極長度相對應(yīng)。從2015年開始，半導(dǎo)體制程工藝的命名變得十分混亂。各個(gè)廠商之間不同的制程節(jié)點(diǎn)命名和編號方案，已經(jīng)無法展現(xiàn)工藝的實(shí)際能效和性能?！白罾蠈?shí)”的英特爾決定不和其他制造商玩數(shù)字游戲，徹底放棄“nm”工藝節(jié)點(diǎn)命名方式，創(chuàng)建了一個(gè)清晰、一致的框架，幫助客戶建立更準(zhǔn)確的行業(yè)制程節(jié)點(diǎn)認(rèn)知。

英特爾公司CEO帕特?基辛格表示：英特爾正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖，以確保到2025年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。對于未來十年走向超越1nm節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑。最新命名體系是基于客戶看重的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)而提出的，即性能、功率和面積。英特爾技術(shù)專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節(jié)點(diǎn)命名和實(shí)現(xiàn)每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新技術(shù)。英特爾在2020年推出10nm SuperFin節(jié)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)英特爾有史以來最強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)，英特爾不會更改10 nm SuperFin的命名。但從下一個(gè)節(jié)點(diǎn)Intel 7(原命名為Enhanced SuperFin)開始，英特爾后續(xù)節(jié)點(diǎn)將被命名為Intel 4、Intel 3和Intel 20A、Intel 18A。