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[導(dǎo)讀]在持續(xù)“缺芯”的背景下,全球?qū)τ诰A代工產(chǎn)能的渴望如久旱之望甘霖。芯片制造環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的最具產(chǎn)業(yè)帶動性的關(guān)鍵一環(huán),被全球多國提至國家戰(zhàn)略方向,其重要性可以說是全球矚目。


在持續(xù)“缺芯”的背景下,全球?qū)τ诰A代工產(chǎn)能的渴望如久旱之望甘霖。芯片制造環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的最具產(chǎn)業(yè)帶動性的關(guān)鍵一環(huán),被全球多國提至國家戰(zhàn)略方向,其重要性可以說是全球矚目。

這也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)在2021年達到了規(guī)模新高度。TrendForce集邦咨詢研究顯示,受惠于多項終端應(yīng)用需求齊揚,各項零部件備貨強勁,晶圓代工產(chǎn)能自2020年起便供不應(yīng)求,各廠紛紛調(diào)漲晶圓售價及調(diào)整產(chǎn)品組合以確保獲利水平。盡管整體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2020年第四季的高基期、突發(fā)性停電意外等外部因素影響,2021年第一季前十大晶圓代工業(yè)者總產(chǎn)值仍再次突破單季歷史新高,達227.5億美元,季增1%。

在營收排名方面,臺積電第一季營收以129.0億美元穩(wěn)居全球第一,市場份額55%;第二名為三星,相關(guān)營收為41.08億美元,市場份額17%;聯(lián)電排名第三,市場份額7%;格芯和中芯國際位列第四和第五,兩者市場份額均在5%左右。值得注意的是,在前十名中,第九名和第十名分別為華虹半導(dǎo)體和上海華力,兩者同屬華虹集團,若合并計算,則華虹集團第一季總營收達6億美元,位居第六名,而第十名則由東部高科遞補。

英特爾公司作為全球芯片設(shè)計和制造領(lǐng)域排名第一的巨頭,一直以來是自己設(shè)計和制造芯片處理器,如今,在全球芯片短缺的大環(huán)境下,英特爾也開始給別人做晶圓代工了,據(jù)海外媒體報道,高通將成為英特爾晶圓代工的首個重要客戶,英特爾的入局,無疑將對臺積電和三星等晶圓代工企業(yè)產(chǎn)生比較大的影響,芯片晶圓代工的全球格局因為英特爾而改變了。

與此同時,英特爾也表示在2025年之前要加大在代工領(lǐng)域的投入,追趕三星和臺積電,重新奪取英特爾在芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

拿下高通和亞馬遜這兩個大客戶極大地增強了英特爾的信心,而此前,高通的芯片大多是由三星半導(dǎo)體來代工。

據(jù)悉,英特爾將采用最新的Intel 20A技術(shù)來制造芯片,英特爾CEO蓋辛格認為:目前的以納米為單位的工藝制程已經(jīng)逼近1nm極限,而英特爾將開創(chuàng)新的工藝進程,采用最新的晶體管架構(gòu),把芯片制造升級到埃米時代(1納米為10埃米)。

三星本周表示,將調(diào)整其半導(dǎo)體晶圓的定價,以資助其在韓國平澤附近的 S5 晶圓廠的擴張。就像其行業(yè)同行一樣,三星代工廠在滿足對其服務(wù)的需求方面存在問題,因此投資先進的生產(chǎn)設(shè)施將確保未來能夠使用其先進節(jié)點生產(chǎn)更多芯片。同時,價格上漲可能會影響三星代工廠生產(chǎn)的 GPU、SoC 和控制器的成本。

三星代工廠的 S5 Line 是該公司最先進的生產(chǎn)設(shè)施,旨在使用該公司的 5LPP (5 nm)、4LPE (4 nm) 和更薄的生產(chǎn)技術(shù)處理晶圓。由于該晶圓廠廣泛使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù),其擴建成本非常高,因為 EUV 掃描儀的成本為 1.2 億至 1.5 億美元(與現(xiàn)代 DUV 掃描儀相比顯著增加),因此三星最近一直在積極增加其資本支出年——希望它的客戶為它付費,盡管是間接的。

三星代工廠使用其最新節(jié)點為其母公司和其他幾家智能手機制造商使用的智能手機生產(chǎn)大量 Exynos 片上系統(tǒng)。此外,三星代工廠為英偉達生產(chǎn)數(shù)百萬安培圖形處理器,并為許多公司生產(chǎn)數(shù)千萬顆其他 SoC。雖然三星代工廠由于合同義務(wù)不能在一夜之間提高報價,但它可以相對較快地調(diào)整定價,這可能導(dǎo)致許多最好的顯卡變得更加昂貴。

三星代工廠的漲價將如何影響智能手機和顯卡的價格還有待觀察,但其客戶肯定會嘗試以某種方式抵消更高的制造成本。

早期的晶體管命名方式,通常以晶體管的實際柵極長度作為支撐工藝名稱。比如柵極長度90nm,制程工藝就命名為90nm。但其實從1997年開始,業(yè)界已經(jīng)意識到基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法,不再與晶體管實際的柵極長度相對應(yīng)。從2015年開始,半導(dǎo)體制程工藝的命名變得十分混亂。各個廠商之間不同的制程節(jié)點命名和編號方案,已經(jīng)無法展現(xiàn)工藝的實際能效和性能?!白罾蠈崱钡挠⑻貭枦Q定不和其他制造商玩數(shù)字游戲,徹底放棄“nm”工藝節(jié)點命名方式,創(chuàng)建了一個清晰、一致的框架,幫助客戶建立更準確的行業(yè)制程節(jié)點認知。

英特爾公司CEO帕特?基辛格表示:英特爾正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖,以確保到2025年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。對于未來十年走向超越1nm節(jié)點的創(chuàng)新,英特爾有著一條清晰的路徑。最新命名體系是基于客戶看重的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)而提出的,即性能、功率和面積。英特爾技術(shù)專家詳述了以下路線圖,其中包含新的節(jié)點命名和實現(xiàn)每個制程節(jié)點的創(chuàng)新技術(shù)。英特爾在2020年推出10nm SuperFin節(jié)點,實現(xiàn)英特爾有史以來最強大的單節(jié)點內(nèi)性能增強,英特爾不會更改10 nm SuperFin的命名。但從下一個節(jié)點Intel 7(原命名為Enhanced SuperFin)開始,英特爾后續(xù)節(jié)點將被命名為Intel 4、Intel 3和Intel 20A、Intel 18A。



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