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東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

時(shí)間：2021-08-19 15:10:54
關(guān)鍵字： 碳化硅    電源    東芝   
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[導(dǎo)讀]點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用（包括大容量電源），將于今日開(kāi)始出貨。該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的...


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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用（包括大容量電源），將于今日開(kāi)始出貨。



該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。


新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)[1]，實(shí)現(xiàn)了低輸入電容、低柵輸入電荷、低漏源導(dǎo)通電阻等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗降低80%左右，開(kāi)關(guān)時(shí)間（下降時(shí)間）縮短大約70%，并且能夠在不超過(guò)20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。


它的柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi)，有助于減少故障風(fēng)險(xiǎn)（意外開(kāi)啟或關(guān)閉）。此外，內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。


在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中，這種新型MOSFET不僅將通過(guò)降低功率損耗來(lái)達(dá)到提高效率的目的，而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。


應(yīng)用

  • 大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器

  • 光伏逆變器

  • 大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器


特性

  • 第2代芯片設(shè)計(jì)（內(nèi)置碳化硅SBD）

  • 高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：

VDSS＝1200VCiss＝1680pF（典型值）Qg＝67nC（典型值）RDS（ON）＝70mΩ（典型值）VDSF＝-1.35V（典型值）Vth＝4.2～5.8V
  • 增強(qiáng)類型易于操作


主要規(guī)格

（除非另有說(shuō)明，@Ta=25℃）


注釋：

[1] 東芝于2020年7月30日發(fā)布的新聞：“可提高碳化硅（SiC）MOSFET可靠性的東芝新器件結(jié)構(gòu)問(wèn)世”

https://toshiba.semicon-storage.com/cn/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html

[2] 環(huán)境溫度25℃


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TW070J120B

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*其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。


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關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社


東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社，融新公司活力與經(jīng)驗(yàn)智慧于一身。自2017年7月成為獨(dú)立公司以來(lái)，已躋身通用元器件公司前列，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。


公司24,000名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化。東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開(kāi)拓新市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)7500億日元（68億美元）的年銷售額。公司期望為世界各地的人們建設(shè)更加美好的未來(lái)。


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