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[導讀]點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦!光電耦合器光電耦合器對于每一個電子從業(yè)人員來說都不陌生,得益于器件獨特的信號轉(zhuǎn)換傳輸機制,被廣泛地應用在需要被電氣隔離的環(huán)境中,從而增強抗干擾能力以及增加工作的穩(wěn)定性。在一些高精度信號的傳輸場景中,對光耦的傳輸速率有著較高的要求,但是市面上很多...


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光電耦合器

光電耦合器對于每一個電子從業(yè)人員來說都不陌生,得益于器件獨特的信號轉(zhuǎn)換傳輸機制,被廣泛地應用在需要被電氣隔離的環(huán)境中,從而增強抗干擾能力以及增加工作的穩(wěn)定性。


在一些高精度信號的傳輸場景中,對光耦的傳輸速率有著較高的要求,但是市面上很多的光耦器件存在著傳輸延遲問題,開關速度達不到要求,對驅(qū)動前后的脈沖沿會產(chǎn)生遲滯,進而影響控制精度。




作為一家在光電子領域耕耘多年的半導體企業(yè),東芝研發(fā)出了一款具有高傳輸速率的光耦器件——TLP2363,它能夠更好地幫助電子工程師解決光耦傳輸延時性的問題。


一、TLP2363的特征屬性分析

① 反向邏輯:集電極開漏輸出

② 封裝類型:5pin SO6

③ 工作電壓范圍:2.7V至5.5V

④ 最大工作電流:4mA

⑤ 輸入電流閾值:0.3mA至2.4mA(VCC=3.3V,RL=1kΩ)

⑥ 輸入電流閾值:5.0mA(最大值)

⑦ 工作溫度范圍:-40℃至105℃

⑧ 共模瞬變抗擾度:±20kV/μs(最小值)

⑨ 最小隔離電壓:3750Vrms

⑩ 數(shù)據(jù)傳輸速率:15Mbps(典型值)

? 具備UL、cUL、VDE、CQC安全標準認證



圖示可以看出TLP2363秉承了傳統(tǒng)光耦應有的工作機制,在電源側(cè)需要獨立的電源對紅外發(fā)光二極管進行單獨供電,通過控制供電占空頻率來匹配發(fā)射固定波長的紅外波束,耦合側(cè)的紅外感應二極管則對發(fā)出的紅外波束脈沖進行接收并轉(zhuǎn)換成固定頻率的電信號,配合運算比例放大器后,作用于MOSFET或IGBT管上,就實現(xiàn)了輸入端與輸出端互不干擾的隔離輸出了。


二、邏輯耦合器的高速分析

一個器件的傳輸效率往往可以很直觀地反射出它的性能,TLP2363的數(shù)據(jù)信號傳輸速率能夠達到15Mbps,這得益于發(fā)光紅外二極管能對如此高頻的電源信號進行轉(zhuǎn)換并發(fā)射,以及光感應傳感器高敏感地接收轉(zhuǎn)換。由于IPM接口光電耦合器傳輸PWM信號,因此它們必須足夠快地進行切換,通常其傳輸延遲時間(tpHL/tpLH)小于800ns對于高速數(shù)據(jù)傳輸來說才是精確實時的。TLP2363提供的傳輸延遲為80ns,相較于市場上其他廠商的光耦器件,傳輸轉(zhuǎn)換速率提升了近10倍,這對于高速數(shù)據(jù)的吞吐有著極大的提升和幫助,實質(zhì)性的提高了PWM信號的傳輸精度。同時TLP2363在耦合側(cè)內(nèi)置了高速運算放大器,保證由光感應傳感器傳輸過來的電信號能夠?qū)崟r地作用在輸出端,從而實現(xiàn)無差別調(diào)節(jié)輸出。



三、設計參數(shù)及其開關特性分析

在電路設計中,引腳6和引腳4之間應連接一個容量為0.1uF的陶瓷電容器,以穩(wěn)定高增益線性放大器的運行,否則這個光電耦合器可能不能正常開關。為了進一步保證旁路電容對器件的作用,旁路電容應放置在每個引腳的1cm內(nèi)。


在開關特性上應注意如果電源輸入信號的脈沖寬度小于等于1ms,那么會作用于紅外發(fā)光二極管產(chǎn)生50%固定的占空比輸出。傳輸延遲時間tpHL和tpLH表示從輸入信號被檢測到輸出邏輯被反轉(zhuǎn)的時間,脈沖寬度失真|tpHL-tpLH|是一個絕對值,表示給定乘積下tpHL和tpLH之間的差值。這是傳輸波形中失真程度的有用指標,可以幫助設計者后續(xù)整定延時誤差。同時RL電阻值也是一個很重要的參數(shù)指標,它的反饋會影響IF電流對光耦開關的屬性。



四、應用場景分析

TLP2363作為一款強大的高速光耦器件,不僅保證了抗擾能力和穩(wěn)定性,也將傳輸效率提升到一流的水平,從而奠定了它在市場上廣闊的應用前景。隨著工業(yè)信息化進程被不斷的革新推進,高速光耦的應用場景更是被進一步拓寬。在一些工業(yè)自動化生產(chǎn)線上,高速光耦在實時控制、電氣隔離中起著至關重要的作用,因而被廣泛的部署應用。不僅如此,高速光耦在數(shù)字處理系統(tǒng)中也占據(jù)著舉足輕重的地位,比如在可編程邏輯控制器(PLC)、測量儀器系統(tǒng)中都能見到它的身影。



東芝在光半導體器件研發(fā)設計中積累了豐富的技術經(jīng)驗,并不斷地在技術設計上進行改進和創(chuàng)新,讓光耦器件性能得到了極大地提升,使得其在單向性的光耦隔離電路中極具應用和參考價值。

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