手指一戳，車規(guī)級MOSFET就到面前了
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MOSFET
MOSFET所具備的開關(guān)特性和驅(qū)動特性在整個電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的歷史進(jìn)程中都具備劃時代的意義。
其中，汽車電子領(lǐng)域?qū)OSFET有很嚴(yán)苛的要求：1、在傳輸數(shù)字信號時候，精度要高；2、開關(guān)特性、驅(qū)動特性下的抗干擾能力要強(qiáng)；3、在正常運(yùn)行下自身不能產(chǎn)生過高的噪聲和電磁干擾。
作為一家在功率MOSFET耕耘多年的企業(yè)，東芝半導(dǎo)體通過不斷的創(chuàng)新迭代，針對汽車應(yīng)用推出了全新40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——TPHR7904PB、TPH1R104PB。
一、MOSFET的特征屬性分析
TPHR7904PB、TPH1R104PB是用于汽車應(yīng)用的新型40V的N通道功率MOSFET產(chǎn)品，且都是采用SOP Advance(WF)封裝，在電路設(shè)計(jì)中能夠很好的節(jié)省板載空間。另外，此封裝還降低了U-MOSIX-H系列產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻，使得本身屬性有了一個質(zhì)的飛躍。
①M(fèi)OSFET的低導(dǎo)通特性提升，極大的降低了導(dǎo)通損耗，降低了信號MOSFET導(dǎo)通前后的精度誤差，保證了精度質(zhì)量。RDS(ON)＝0.79mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPHR7904PB）RDS(ON)＝1.14mΩ（最大值）@VGS＝10V（TPH1R104PB）②具備低噪聲特性，進(jìn)一步的降低電磁干擾，從而保證在特定的數(shù)字信號及其無線信號交互傳輸下的工作環(huán)境。③具備小型低電阻封裝的可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)，允許對板上的安裝進(jìn)行自動光學(xué)檢查的引腳結(jié)構(gòu)。④具備AEC-Q101認(rèn)證。
二、MOSFET的應(yīng)用電路分析
U-MOSIX-H系列是前一代系列（U-MOSIV）的迭代升級產(chǎn)品，在對應(yīng)電氣屬性內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)迭代替換，從而更好的改善電路整體的功能屬性。作為功率MOSFET器件，絕大多數(shù)是配合驅(qū)動器來控制設(shè)備的。下面例舉一個EPS_Motor控制電路。
上圖就是一個驅(qū)動器左邊接入了MCU的PWM控制型號，右邊連入了多個MOSFET功率器件。當(dāng)MCU的控制信號經(jīng)過驅(qū)動器后會對信號進(jìn)行增幅放大，然后再將這個增幅信號傳遞給各個MOSFET功率器件來對電機(jī)驅(qū)動，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精度控制。提到這里可能有專業(yè)人士就會問MOSFET的PWM精度了，畢竟這個轉(zhuǎn)向控制對精度實(shí)時性要求比較高。以下是對MOSFET動態(tài)特性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，能夠充分的對TPHR7904PB、TPH1R104PB的實(shí)時性傳輸加以佐證。三、應(yīng)用場景分析
TPHR7904PB、TPH1R104PB作為全新封裝的U-MOSIX-H系列功率器件，不僅降低導(dǎo)通電阻特性，也將傳輸效率推上了浪尖，從而奠定了它在市場上有著不俗的應(yīng)用場景。在電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)電路、電動泵電路中具有很高的實(shí)用價值。
東芝在功率半導(dǎo)體器件研發(fā)設(shè)計(jì)中積累了豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，堅(jiān)持不斷的在技術(shù)設(shè)計(jì)上改進(jìn)和創(chuàng)新，助力汽車控制應(yīng)用市場，在汽車EPS轉(zhuǎn)向系統(tǒng)電路中具有強(qiáng)力的參考和應(yīng)用價值。
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
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