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[導(dǎo)讀]點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!環(huán)境和能源問題是一個(gè)重要的全球性問題。同時(shí),隨著電力需求持續(xù)升高,對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能,將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換...


點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!


環(huán)境和能源問題是一個(gè)重要的全球性問題。同時(shí),隨著電力需求持續(xù)升高,對節(jié)能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。

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功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能,將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換器功能,還具有改變交流電頻率的變頻器功能,是幫助各類器件實(shí)現(xiàn)節(jié)能的重要器件。


相比于傳統(tǒng)的硅(Si)MOSFET和IGBT產(chǎn)品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高壓,高速開關(guān),低導(dǎo)通電阻性能。除減少產(chǎn)品尺寸外,該類產(chǎn)品可極大降低功率損耗,從而大幅提升系統(tǒng)的能源效率。SiC MOSFET適用于大功率且高效的各類應(yīng)用,包括工業(yè)電源、太陽能逆變器和UPS等。


東芝SiC MOSFET參考設(shè)計(jì)內(nèi)含福利|東芝SiC?MOSFET為您開啟電源新大門為您的設(shè)計(jì)添磚加瓦內(nèi)含福利|東芝SiC?MOSFET為您開啟電源新大門

電動汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)

3相AC 400V輸入PFC轉(zhuǎn)換器


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隨著電動汽車的日益普及,對于高效、緊湊型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求不斷提高?;跂|芝TW070J120B的3相400V交流輸入功率因數(shù)校正(PFC)電路的參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了97%的功率轉(zhuǎn)換效率,功率因數(shù)可達(dá)0.99或更高。該參考設(shè)計(jì)為諸如電動汽車(EV)充電站等大功率轉(zhuǎn)換器的PFC(柵極驅(qū)動電路、傳感器電路、輸出功率開關(guān))的提供了一個(gè)很好的起點(diǎn),它可用作原型設(shè)計(jì)和開發(fā)應(yīng)用程序的基礎(chǔ),有助于發(fā)揮全部潛能。


特點(diǎn):

  • 具有3相圖騰柱配置的無橋配置,可直接切換每一相。

  • 通過將SiC MOSFET用于功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)了高功率轉(zhuǎn)換效率。

  • 可以通過調(diào)整柵極驅(qū)動電路的開關(guān)速度來優(yōu)化權(quán)衡效率和EMI。


規(guī)格:

  • 輸入電壓:3相AC 312V至528V

  • 輸出電壓:DC 750V

  • 輸出功率:4.0kW


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電動汽車充電站及太陽能發(fā)電機(jī)逆變器參考設(shè)計(jì)

5kW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器


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基于東芝TW070J120B的5KW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)采用雙有源橋(DAB)法,是此類大功率轉(zhuǎn)換器的最受歡迎拓?fù)渲弧AB拓?fù)涞膬蓚?cè)均有全橋,以便通過調(diào)節(jié)左右側(cè)橋電路之間的相位差來控制功率方向和大小。這種高度通用的參考設(shè)計(jì)是開發(fā)諸如電動汽車充電站和太陽能發(fā)電機(jī)逆變器等大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用及原型設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。


特點(diǎn):

  • 通過DAB方法實(shí)現(xiàn)雙向大功率轉(zhuǎn)換。

  • 在高壓側(cè)使用SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。

  • 包括低壓側(cè)MOSFET(TK49N65W5)和柵極驅(qū)動IC(TLP5214A)的整體解決方案。


規(guī)格:

  • 高壓側(cè):DC 732V至768V

  • 低壓側(cè):DC 396V至404V

  • 額定功率:5.0kW


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東芝TW070J120B—適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET—

TW070J120B采用第2代芯片設(shè)計(jì)(內(nèi)嵌SiC SBD),具有高耐壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵極電壓閥值閾電壓等特性。在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中,這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達(dá)到提高效率的目的,而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。


TW070J120B可提供-10V至25V的高柵極電壓閥值(Vth),可預(yù)防故障;-10V至25V的柵極-源極電壓(VGSS),支持更簡單的柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)。


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隨著東芝在功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)不斷深入,未來將有更多優(yōu)質(zhì)的電子器件推向市場,助力電子產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。



看!電源的新大門已經(jīng)在你眼前

歡迎你推開這扇門,了解一個(gè)新世界

現(xiàn)在

入()門(獎(jiǎng))第()一()步來了!

問題1:SiC MOSFET有哪些特性?

A.耐高壓

B.高速開關(guān)

C.低導(dǎo)通電阻

D.以上都是


問題2:你對于東芝的SiC MOSFET產(chǎn)品、技術(shù)方案有哪些了解?


關(guān)注【東芝半導(dǎo)體】微信公眾號,7月15日17:30至23日12:00在本文末留言區(qū),留下問題1答案選項(xiàng)針對問題2描述你的了解。并邀請好友為你的留言點(diǎn)贊。


我們將按照留言點(diǎn)贊量排名順序,并保證問題1答案正確、問題2回答得“真情實(shí)感”的前5位,每人發(fā)放現(xiàn)金紅包10元。



溫馨提示:

最終結(jié)果將在7月23日15:00,于文本末留言區(qū)公開;

我們會在人工審核后發(fā)放中獎(jiǎng)紅包;

若排名并列將按照具體情況調(diào)整紅包發(fā)放規(guī)則;

活動最終解釋權(quán)歸【東芝半導(dǎo)體】公眾號所有。


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關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社


東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。


公司22,000名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過7,100億日元(65億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。


如需了解有關(guān)東芝電子元件及存儲裝置株式會社的更多信息,請復(fù)制以下鏈接進(jìn)行訪問:https://toshiba-semicon-storage.com


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