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[導讀]摘要:分析了缺陷地結構(DGS)的基本理論及其等效模型,提出了一種新型的缺陷地結構微帶線定向耦合器的設計方法,同時分析了該缺陷地結構對耦合器耦合度的影響。仿真和實驗結果表明,該缺陷地結構能很好的增強耦合器的耦合度。

引言

隨著通信、電子技術的發(fā)展,被廣泛使用的微波電路朝著集成化、小型化方向不斷發(fā)展。元件尺寸和性能成為衛(wèi)星通信、雷達系統(tǒng)等電子系統(tǒng)設計的主要因素。相繼問世的PBG(電磁帶隙)、DGS(缺陷地結構)、SIW(基片集成波導)等新結構為微波電路的設計帶來了新的活力。

光子帶隙結構(PhotonicBandgap,PBG)是一種介質材料在另一種介質材料中周期分布所組成的周期性陣列結構,由于其在某些頻段內具有帶阻特性,所以在微波頻段得到了廣泛應用。然而PBG結構由于其模型復雜、周期性特點導致其物理尺寸較大,所以在實際應用中存在一定困難。在此基礎上,韓國學者JutrSeekPark和Chui-SooKim等人提出缺陷地結構(DefectedGroundStructure-DGS),DGS是在微帶、共面波導等傳輸線的接地金屬板上刻蝕周期或非周期的各種柵格結構,以改變電路襯底有效介電常數(shù)的分布,從而改變基于該介質上傳輸線的分布電感和分布電容,使此類傳輸線具有帶隙特性和慢波特性。由于DGS的單極點低通特性、慢波效應和高特性阻抗等獨特性能,使得其廣泛應用于微波無源、有源電路、天線等設計當中。

本文首先研究了DGS的基本特性,并在此基礎上設計了一種新型定向耦合器,最后分析研究了缺陷地結構對該耦合器耦合度的影響。

1 DGS的基本結構和特性

傳統(tǒng)的DGS單元為啞鈴型,由兩個正方形和它們之間的一個狹槽構成。圖1所示為一段缺陷地結構(DGS),圖中的虛線部分為刻蝕于介質襯底的背面接地金屬板上的“啞鈴型”DGS結構。它由兩個邊長為的正方形和一個狹縫組成。狹縫的寬度為給g,其高度與微帶線的寬度一致,均為w,圖2給出了該結構的典型頻率響應曲線。由圖2可以看出,DGS結構的微帶線具有高阻特性,能產(chǎn)生明顯的阻帶,該單元可近似等效為一個并聯(lián)的RLC諧振電路,其等效電路如圖3所示。

DGS單元尺寸的變化會引起微帶線的等效電感、電容的變化,從而實現(xiàn)所需的帶阻特性。

2 DGS微帶定向耦合器的分析設計

傳統(tǒng)微帶線定向耦合器為四端口網(wǎng)絡,基本工作原理如圖4所示。當電磁波從端口1輸入時,除了有一部分能量直接從端口2輸出外,通過兩線之間的電磁耦合,還有部分能量從端口3或4輸出。由于電場耦合在副線中向端口3和端口4產(chǎn)生的電壓是等幅同相的,而磁場耦合在副線中向端口3和端口4產(chǎn)生的電壓是等幅反相的。因此,副線中端口4處的電壓是同相疊加,而副線中端口3處的電壓是反向而抵消的,這種定向耦合器稱為反向定向耦合器。 

新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

它的耦合系數(shù)為:

新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

式中,新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究是奇模下的有效介電常數(shù)。由此可以看出,可以通過DGS結構改變有效介電常數(shù),從而控制耦合器的耦合系數(shù)。

在偶模下,電場是對稱的,通常在耦合器的中間線部分是不連續(xù)的,DGS結構相當于開路,這樣就可以把它看做一個串聯(lián)的短截線,信號會通過這個串聯(lián)的短截線進行傳播,因而其傳播的路徑會變長,這相當于信號的傳播速度被DGS結構減慢了,圖5所示是偶模電場下的信號傳播示意圖。

 新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

在奇模下,電場是不對稱的,在耦合器的中間線部分是連續(xù)的,DGS結構相當于短路,信號依然將通過原來的路徑進行傳播,因而其信號的傳播速度并不受DGS結構的影響。圖6所示是奇模電場下的信號傳播示意圖。

新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

由以上分析可知,在偶模下信號的傳播速度會被DGS結構減慢,在奇模下信號的傳播速度不會受DGS結構的影響。對于有效介電常數(shù),則有:

新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

可見,有效介電常數(shù)與信號的相速是成反比例關系的,有效介電常數(shù)會隨著相速的減慢而迅速增加。使用的DGS結構越多,相速會越慢,有效介電常數(shù)就會越大,甚至可以得到比基本介電常數(shù)更大的有效介電常數(shù)。因此,耦合系數(shù)會隨DGS結構的數(shù)量增多而增大。

3實物測試

本文設計了一個中心頻率在2.45GHz的DGS結構微帶定向耦合器,為研究分析DGS結構對耦合器耦合度的影響,分別設計測試了四種不同結構進行比較。圖7所示是四種不同結構的測試結果。其翕測試結果如表1所列。

新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

由以上測試結果可知,隨著使用的DGS結構數(shù)量的增多,定向耦合器耦合系數(shù)會不斷增大,但是,增大的幅度會越來越小。最終設計的實物圖如圖8所示。

 新型缺陷地結構定向耦合器的耦合度研究

4結語

本文使用缺陷地結構控制定向耦合器的耦合系數(shù),并分析和驗證了該缺陷地結構對耦合器耦合度的影響。由分析和測試可知,隨著DGS結構數(shù)量的增多,耦合器耦合系數(shù)會不斷增大。

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