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[導(dǎo)讀]效率和精度是兩大優(yōu)勢(shì),但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源,這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器,放置在盡可能靠近負(fù)載的位置,以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對(duì)功率...

【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?

效率和精度是兩大優(yōu)勢(shì),但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源,這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器,放置在盡可能靠近負(fù)載的位置,以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對(duì)功率級(jí)的要求都越來(lái)越高。例如,在汽車(chē)應(yīng)用中,高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達(dá)、激光雷達(dá)和視覺(jué)系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增,導(dǎo)致需要更快的數(shù)據(jù)處理(更多功耗)以最小的延遲檢測(cè)和跟蹤周?chē)奈矬w。

在這些數(shù)字系統(tǒng)中,有很多都使用高電流和低電壓,因此更需要盡可能縮短電源和負(fù)載之間的距離。高電流導(dǎo)致的一個(gè)明顯問(wèn)題是,從轉(zhuǎn)換器到負(fù)載,線(xiàn)路產(chǎn)生的電壓會(huì)不斷下降。圖1和圖2顯示了電源和負(fù)載之間引線(xiàn)電阻的最小化如何使轉(zhuǎn)換器的輸出電壓降最小化——本例中是控制器IC和為CPU供電的MOSFET。


【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖1.PCB走線(xiàn)較窄情況下的DC-DC輸出電壓降


【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖2.PCB走線(xiàn)較寬情況下的DC-DC輸出電壓降


圖2所示的較寬PCB走線(xiàn)減小了壓降以達(dá)到精度要求,但還必須考慮寄生電感。圖2中的PCB走線(xiàn)長(zhǎng)度估計(jì)有約14.1 nh的電感,如圖3的LTspice?模型所示。


? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源? ?

圖3.PCB走線(xiàn)電感的LTspice模型


電感會(huì)抑制電流的動(dòng)態(tài)變化di/dt,當(dāng)負(fù)載變化時(shí),經(jīng)過(guò)該寄生電感的電流受其時(shí)間常數(shù)限制,瞬態(tài)響應(yīng)劣化。寄生電感導(dǎo)致的結(jié)果是電壓下降,如圖4中的仿真圖所示。

? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖4.DC-DC輸出電壓突降和瞬態(tài)電流


將轉(zhuǎn)換器放在負(fù)載附近可使PCB電阻和寄生電感的影響最小。DC-DC轉(zhuǎn)換器IC應(yīng)放置在最靠近CPU的位置。注意,圖1和圖2顯示了傳統(tǒng)高電流電源(即開(kāi)關(guān)模式控制器和外部FET)的原理圖。控制器FET解決方案可以處理上述應(yīng)用所需的高電流負(fù)載??刂破鹘鉀Q方案的問(wèn)題是外部FET有空間要求,因而可能難以獲得真正的POL穩(wěn)壓器解決方案,如圖5的示例布局所示。


【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?

? ????圖5.DC-DC轉(zhuǎn)換器與CPU的理想布局


控制器的一個(gè)替代方案是單芯片解決方案,其中FET在轉(zhuǎn)換器IC內(nèi)部。例如, LTC3310S 單片降壓調(diào)節(jié)器(IC尺寸為3 mm×3 mm)可實(shí)現(xiàn)負(fù)載點(diǎn)解決方案,單個(gè)IC最多可提供10 A電流,并聯(lián)多個(gè)IC可提供20 A電流。這些IC分別如圖6和圖12所示。

? ??【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖6.LTC3310S降壓調(diào)節(jié)器


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圖7.小尺寸LTC3310S支持POL布局


除了小封裝尺寸外,LTC3310S還支持最大5 MHz的開(kāi)關(guān)頻率——高頻工作可減小必要的輸出電容和整體解決方案PCB尺寸。圖8顯示了LTC3310S的負(fù)載瞬態(tài)性能,其中8 A負(fù)載變化導(dǎo)致的輸出電壓偏移小于±40 mV,此性能的實(shí)現(xiàn)只需要110μF輸出電容。


? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖8.LTC3310S的瞬態(tài)響應(yīng)


盡管使用高功率單片POL轉(zhuǎn)換器具有明顯的優(yōu)點(diǎn),但有一個(gè)因素可能是攪局者:熱量。如果轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的熱量過(guò)多,則它將無(wú)法用于已然很熱的系統(tǒng)中。


在上述解決方案中,LTC3310S內(nèi)部溫度升幅通過(guò)高效率操作而得以最小化,即使在CPU、SoC和FPGA等高功耗器件周?chē)膼毫訙囟葪l件下,它也能夠可靠地運(yùn)行。此外,LTC3310S內(nèi)置精密溫度傳感器,支持通過(guò)SSTT引腳測(cè)量?jī)?nèi)部結(jié)溫,如圖10所示,相應(yīng)的溫度傳感器特性如圖11所示。

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圖9.LTC3310S的熱攝像頭圖像


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? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖11.軟啟動(dòng)和溫度監(jiān)控操作


某些單片穩(wěn)壓器可通過(guò)多相并聯(lián)操作擴(kuò)展到更高負(fù)載應(yīng)用。圖12顯示了多個(gè)LTC3310S器件并聯(lián)并錯(cuò)相工作,使得電流能力加倍。


控制器的時(shí)鐘由RT引腳上的單個(gè)電阻設(shè)置,子節(jié)點(diǎn)的相對(duì)相位通過(guò)RT引腳上的電阻分壓器編程。在圖12所示的情況中,RT接地,將子節(jié)點(diǎn)設(shè)置為相對(duì)于控制器相移180°。

? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖12.20 A雙相單片穩(wěn)壓器POL解決方案


圖13顯示了2通道轉(zhuǎn)換器的電感電流和輸出紋波電流,如圖12所示。同相性能與雙反相性能進(jìn)行比較。反相操作將輸出紋波電流(通過(guò)抵消)從14 A峰峰值(單相)降低到6 A峰峰值(雙相),而無(wú)需額外的外部濾波器。

? ? 【世說(shuō)芯品】請(qǐng)聽(tīng)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?? 圖13.比較兩個(gè)版本的雙通道轉(zhuǎn)換器的

電感電流和輸出電流:

(a) 同相通道與 (b) 反相通道



結(jié)論

總之,LTC3310S是一款高效且小型的POL解決方案,適用于為高耗電CPU、SoC、FPGA供電的高電流電源系統(tǒng)。其尺寸很小,并可優(yōu)化功率效率,導(dǎo)致自發(fā)熱很低,因而其可以非??拷?fù)載。它可以輕松并聯(lián),在多相解決方案中使用多個(gè)LTC3310S可提高功率。


LTC3310S
  • Silent Switcher?2架構(gòu):超低 EMI 輻射

  • 高效率:4.5mΩ NMOS和16mΩ PMOS

  • 寬帶寬、快速瞬態(tài)響應(yīng)

  • 可在過(guò)載情況下安全地承受電感器飽和

  • VIN范圍:2.25V至5.5V

  • VOUT范圍:0.5V 至 VIN

  • VOUT精度:±1%

  • 峰值電流模式控制

  • 35ns 最短導(dǎo)通時(shí)間

  • 可編程頻率至 5MHz

  • 關(guān)斷電流:1μA

  • 精準(zhǔn)的 400mV 使能門(mén)限

  • 具有電壓跟蹤功能的輸出軟啟動(dòng)

  • 電源良好輸出

  • 芯片溫度監(jiān)控器

  • 可通過(guò)配置實(shí)現(xiàn)功率級(jí)并聯(lián)

  • 散熱增強(qiáng)型3mm × 3mm LQFN封裝

  • 通過(guò)AEC-Q100汽車(chē)應(yīng)用認(rèn)證


世健提供免費(fèi)樣品、參考設(shè)計(jì)以及技術(shù)指導(dǎo),有成功案例。




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