隨著社會(huì)的發(fā)展，人們愈來愈意識(shí)到能源緊缺和環(huán)境污染問題日益嚴(yán)重，對(duì)于多樣化及零污染新能源的需求日漸緊迫。

汽車動(dòng)力系統(tǒng)的電氣化和電動(dòng)化，是交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳中和的必由之路，作為半導(dǎo)體企業(yè)的士蘭微電子將會(huì)致力于推動(dòng)在交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳中和的終極目標(biāo)。

2021年6月25日，士蘭微電子參加了在嘉善舉行的“第四屆中國國際新能源汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)與關(guān)鍵技術(shù)論壇(PSiC2021)”，與來自整車、電驅(qū)動(dòng)、功率半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈上下游400余名工程師一起探討新能源車用功率器件的未來。

士蘭可提供多樣化的汽車級(jí)IGBT模塊及分立式器件，搭載士蘭自主研發(fā)最新五代IGBT和陽極發(fā)射效率控制FRD技術(shù)芯片，為混合動(dòng)力汽車及電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)提供支持。

士蘭汽車產(chǎn)品匯總

其中B系列模塊拓展了混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車的IGBT模塊的功率區(qū)間。該系列產(chǎn)品提供基于多種封裝的不同版本，從而實(shí)現(xiàn)了電壓及功率等級(jí)拓展性的最大化，涵蓋了270 A至1200 A以及650 V至1200 V規(guī)格范圍。

B1模塊

士蘭 B1系列模塊是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的模塊，滿足車規(guī)級(jí)認(rèn)證，適用于30-60kW的電動(dòng)汽車。該模塊以150℃工作結(jié)溫設(shè)計(jì)，配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT4芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

基于士蘭在IGBT功率模塊開發(fā)的長期經(jīng)驗(yàn)，對(duì)新材料和封裝技術(shù)的研究成果，高質(zhì)量的自動(dòng)化產(chǎn)線管控，B1模塊具備超低的導(dǎo)通損耗以及優(yōu)異的短路能力;可以使用風(fēng)冷或者水冷進(jìn)行散熱;使用銅基板、高性能Al2O3陶瓷基板同引線鍵合工藝的高度結(jié)合，為混動(dòng)汽車和純電汽車的逆變器提供出色的熱循環(huán)和溫度循環(huán)能力，保證了系統(tǒng)的最高可靠性。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

采用士蘭Trench-Field-Stop IGBT4芯片

多芯片并聯(lián)，低損耗IGBT

使用低熱阻三氧化二鋁陶瓷基板

集成NTC溫度傳感器

低VCE(sat)同時(shí)具備正溫度系數(shù)

絕緣級(jí)別：DC 4200Vrms/sec

B3模塊

士蘭 B3系列模塊是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的模塊，滿足車規(guī)級(jí)認(rèn)證，適用于80-220KW的電動(dòng)汽車應(yīng)用。該模塊以150℃工作結(jié)溫設(shè)計(jì)，配備士蘭微Trench-Field-Stop IGBT5芯片和匹配的士蘭FRD芯片。

該系列模塊是士蘭微電子基于自主研發(fā)的高密度溝槽工藝IGBT芯片技術(shù)開發(fā)的六單元拓?fù)淠K;該模塊適用于混動(dòng)和純電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級(jí)，為嚴(yán)苛環(huán)境條件下的逆變器運(yùn)行，提供更可靠的保障。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

基于精細(xì)溝槽的FS-V技術(shù)，阻斷電壓達(dá)750V

多芯片并聯(lián)，低損耗IGBT

根據(jù)不同功率等級(jí)搭配不同基板與DBC方案

每相內(nèi)置NTC熱敏電阻

低VCE(sat)同時(shí)具備正溫度系數(shù)

絕緣級(jí)別：DC 4200Vrms/sec

士蘭微電子設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造并銷售各種半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案，其業(yè)務(wù)重點(diǎn)包括汽車電子、工業(yè)電子和硬件的安全解決方案等。

士蘭微電子實(shí)現(xiàn)交通領(lǐng)域零排放為己任，將業(yè)務(wù)成功與社會(huì)責(zé)任結(jié)合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。