中國(guó)，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的 STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng) GaN 增強(qiáng)型 FET 高頻開(kāi)關(guān)。

STDRIVEG600 的驅(qū)動(dòng)電源電壓高達(dá) 20V，還適用于驅(qū)動(dòng) N 溝道硅基 MOSFET管，在驅(qū)動(dòng) GaN 器件時(shí)，可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS)，確保導(dǎo)通電阻 Rds(on)保持在較低水平。此外，驅(qū)動(dòng)器還集成一個(gè)自舉電路，可大限度降低物料清單成本，簡(jiǎn)化電路板布局。自舉電路使用同步整流 MOSFET開(kāi)關(guān)管，使自舉電壓達(dá)到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅(qū)動(dòng)器只使用一個(gè)電源，而無(wú)需低壓降穩(wěn)壓器 (LDO)。

STDRIVEG600的 dV/dt為±200V/ns，確保柵極控制在惡劣的電氣環(huán)境中具有較高的可靠性。邏輯輸入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信號(hào)，方便連接主微控制器或 DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達(dá) 600V，可用于高壓總線高達(dá) 500V 的應(yīng)用領(lǐng)域。

驅(qū)動(dòng)器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A，并提供獨(dú)立的導(dǎo)通和關(guān)斷引腳，讓設(shè)計(jì)人員可以選擇適合的柵極控制方式。此外，高低邊電路都支持與功率開(kāi)關(guān)源極相連的開(kāi)爾文連接方法，以增強(qiáng)控制性能。低邊驅(qū)動(dòng)器的專用接地和電源電壓引腳可實(shí)現(xiàn)開(kāi)爾文連接，確保開(kāi)關(guān)操作穩(wěn)定，并允許使用分流電阻器檢測(cè)電流，而無(wú)需額外的隔離或輸入濾波電路。

驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置完備的安全保護(hù)功能，其中，高低邊驅(qū)動(dòng)欠壓鎖定 (UVLO)可以防止功率開(kāi)關(guān)管在低效率或危險(xiǎn)工況下運(yùn)行;互鎖保護(hù)可以避免開(kāi)關(guān)管交叉導(dǎo)通。其他保護(hù)功能包括過(guò)熱保護(hù)、 省電關(guān)閉功能專用引腳。

STDRIVEG600 適用于高壓 PFC、DC/DC 和 DC/AC 變換器、開(kāi)關(guān)電源、UPS 電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能發(fā)電，以及家用電器、工廠自動(dòng)化和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等應(yīng)用。

驅(qū)動(dòng)器有兩款配套開(kāi)發(fā)板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)新項(xiàng)目，其中，EVSTDRIVEG600DG 板載一個(gè) 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管，該晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝，帶有Kelvin驅(qū)動(dòng)源引腳;EVSTDRIVEG600DM開(kāi)發(fā)板配備一個(gè)STL33N60DM2 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率開(kāi)關(guān)，該晶體管采用帶有Kelvin驅(qū)動(dòng)源引腳的8mm x 8mm PowerFLAT封裝或者 DPAK 封裝。

STDRIVEG600 驅(qū)動(dòng)芯片已量產(chǎn)，采用 16 引腳 SO16 封裝。