想用GD32替換STM32？這些細(xì)節(jié)一定要知道！
[導(dǎo)讀]GD32是國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說(shuō)開(kāi)發(fā)的人員是來(lái)自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來(lái)的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。不過(guò)GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開(kāi)發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說(shuō)了，下面列一下...
GD32是國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說(shuō)開(kāi)發(fā)的人員是來(lái)自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來(lái)的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。
不過(guò)GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開(kāi)發(fā)的東西還是有區(qū)別的。
相同的地方我們就不說(shuō)了，下面列一下不同的地方。
1 內(nèi)核
GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BUG。
2 主頻
使用HSE(高速外部時(shí)鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速內(nèi)部時(shí)鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M
主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會(huì)更快，項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏，開(kāi)方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。
3 供電
外部供電：GD32外部供電范圍是2.6-3.6V，STM32外部供電范圍是2-3.6V。GD的供電范圍比STM32相對(duì)要窄一點(diǎn)。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運(yùn)行的時(shí)候運(yùn)行功耗更低。
4 Flash差異
GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問(wèn)flash等待時(shí)間關(guān)系，0等待周期，當(dāng)0
Flash擦除時(shí)間：GD擦除的時(shí)間要久一點(diǎn)，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的“GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型號(hào)，Page Erase典型值100ms， 實(shí)際測(cè)量60ms左右?！睂?duì)應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase典型值 20~40ms。
5 功耗
從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運(yùn)行功耗比STM32小，但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
6 串口
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候每?jī)蓚€(gè)字節(jié)之間會(huì)有一個(gè)Bit的Idle，而STM32沒(méi)有，如下圖。
GD的串口在發(fā)送的時(shí)候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個(gè)差異對(duì)通信基本沒(méi)有影響，只是GD的通信時(shí)間會(huì)加長(zhǎng)一點(diǎn)。
7 ADC差異
GD的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對(duì)來(lái)說(shuō)要小。具體情況見(jiàn)下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時(shí)鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
8 FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
9 103系列RAM
不過(guò)GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開(kāi)發(fā)的東西還是有區(qū)別的。
相同的地方我們就不說(shuō)了，下面列一下不同的地方。
1 內(nèi)核
GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BUG。
2 主頻
使用HSE(高速外部時(shí)鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速內(nèi)部時(shí)鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M
主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會(huì)更快，項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏，開(kāi)方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。
3 供電
外部供電：GD32外部供電范圍是2.6-3.6V，STM32外部供電范圍是2-3.6V。GD的供電范圍比STM32相對(duì)要窄一點(diǎn)。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運(yùn)行的時(shí)候運(yùn)行功耗更低。
4 Flash差異
GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問(wèn)flash等待時(shí)間關(guān)系，0等待周期，當(dāng)0
Flash擦除時(shí)間：GD擦除的時(shí)間要久一點(diǎn)，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的“GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型號(hào)，Page Erase典型值100ms， 實(shí)際測(cè)量60ms左右?！睂?duì)應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase典型值 20~40ms。
5 功耗
從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運(yùn)行功耗比STM32小，但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
6 串口
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候每?jī)蓚€(gè)字節(jié)之間會(huì)有一個(gè)Bit的Idle，而STM32沒(méi)有，如下圖。
GD的串口在發(fā)送的時(shí)候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個(gè)差異對(duì)通信基本沒(méi)有影響，只是GD的通信時(shí)間會(huì)加長(zhǎng)一點(diǎn)。
7 ADC差異
GD的輸入阻抗和采樣時(shí)間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對(duì)來(lái)說(shuō)要小。具體情況見(jiàn)下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時(shí)鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
8 FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
9 103系列RAM
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