神操作！如何快速讀寫MCU內(nèi)部flash？
[導(dǎo)讀]大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash，關(guān)于103系列的單片機(jī)大家可以參考選項(xiàng)手冊查看flash的容量。一、芯片F(xiàn)LASH容量分類：可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的，網(wǎng)上也有人說它可以支持到128K，但是官方給出的解釋是前6...
大家好，今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash，關(guān)于103系列的單片機(jī)大家可以參考選項(xiàng)手冊查看flash的容量。
一、芯片F(xiàn)LASH容量分類：
可以看到我們今天介紹的這款芯片的flash大小是64K的，網(wǎng)上也有人說它可以支持到128K，但是官方給出的解釋是前64K是有保證的，后面的無法保證，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
現(xiàn)在芯片的flash大小我們知道了，下面就可以看看這個(gè)flash是怎么劃分的了，通過芯片數(shù)據(jù)手冊，我們能看到今天說的STM32F103C8T6是屬于中等容量的設(shè)備。
既然是中等容量的設(shè)備了，那我們就來看看flash劃分吧，在STM32的閃存編程手冊中有這樣一段話：按照不同容量，存儲器組織成：
32個(gè)1K字節(jié)/頁(小容量)128個(gè)1K字節(jié)/頁(中容量)256個(gè)2K字節(jié)/頁(大容量)
這段話怎么理解呢，就是告訴我們小容量的設(shè)備（內(nèi)存是6K和32K）的設(shè)備是由1K字節(jié)每頁組成的。
中容量的設(shè)備（內(nèi)存是64K和128K）的設(shè)備是由1K字節(jié)每頁組成的。大容量的設(shè)備（內(nèi)存是256K、384K和512K）的設(shè)備是由2K字節(jié)每頁組成的。
舉個(gè)例子吧：
一個(gè)芯片的存儲容量是64K，這64K是什么呢，就是64*1024個(gè)BYTE，一個(gè)BYTE是由8位0或1組成的，（比如0000 1111 這8個(gè)二進(jìn)制數(shù)組成了一個(gè)字節(jié)，用十進(jìn)制來說就是15）
小結(jié)一下：64K的flash可以存儲64*1024個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。
咱們繼續(xù)說，這64K的數(shù)據(jù)怎么劃分，存儲是按照頁為單位進(jìn)行存儲的，一頁1K的容量，也就說一頁可以存儲1024個(gè)字節(jié)。
一共是多少頁？
答案是：64頁，我們看一下官方是不是這么說的。
在閃存編程手冊里確實(shí)是這么說的，所以我們剛才說是64頁是正確的
二、 讀寫步驟：
上面我們知道了芯片是怎么分類的，下面我們就重點(diǎn)來講解一下芯片是怎么讀寫的。
內(nèi)部flash我們參照HAL庫或者標(biāo)準(zhǔn)庫，直接調(diào)用ST公司給我們封裝好的庫進(jìn)行編程就可以了，這里我用的是標(biāo)準(zhǔn)庫，有興趣的小伙伴可以去看看HAL庫。
是不是有小伙伴會疑問什么是標(biāo)準(zhǔn)庫，什么是HAL庫？
在這里給大家解釋一下，這兩個(gè)庫都是ST公司，直接把寄存器封裝成函數(shù)，供大家直接調(diào)用某一個(gè)函數(shù)，就可以完成各種寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便閱讀和使用，因?yàn)槊總€(gè)函數(shù)的名稱功能都是不一樣的，在調(diào)用前可以參考函數(shù)的注釋，在F0和F4的標(biāo)準(zhǔn)庫里甚至有每個(gè)函數(shù)的用法，不知道為什么在F1的庫里把使用步驟去掉了。
咱們繼續(xù)，讀寫的話庫函數(shù)分為：
/*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);void FLASH_Unlock(void);void FLASH_Lock(void);FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);/*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/void FLASH_UnlockBank1(void);void FLASH_LockBank1(void);FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);FLASH_Status?FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t?Timeout);在這里就不一個(gè)一個(gè)的詳細(xì)說了，我們說一下常用的就行
1. 解鎖void FLASH_Unlock(void);
2. 上鎖void FLASH_Lock(void);
3. 頁擦除FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
4. 半字寫入FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
上面這4個(gè)函數(shù)就是我們最常用的。
下面說一下數(shù)據(jù)寫入的步驟：
第一步：解鎖。
第二步：判斷寫入的數(shù)據(jù)是否被擦除過，也就是判斷寫入的地址內(nèi)存放的是不是0xFFFF 這里要重點(diǎn)說一下，為什么要判斷是不是0xFFFF而不是判斷是不是0xFF呢？因?yàn)槲覀兠看螌懭霐?shù)據(jù)都要寫入半字，也就是兩個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)才行，而且寫入的地址只能是2的整數(shù)倍，不能是奇數(shù)。這里大家注意一下。
第三步：寫入數(shù)據(jù) STM32F103C8T6只能按照半字的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入，寫入前的數(shù)據(jù)必須是0XFFFF，因?yàn)镕LASH數(shù)據(jù)寫入，只能寫0，不能寫1，這也就是為什么我們要先確保寫入前的數(shù)據(jù)是被擦除了的原因。
第四步：上鎖。
第五步：驗(yàn)證寫入是否正確。
其實(shí)第五步可以省略。
我們看看官方給的寫入過程：
好了，其實(shí)是一樣的。下面我就和大家來分享一下（百分之九十九參考的正點(diǎn)原子的例程）。
//不檢查的寫入//WriteAddr:起始地址//pBuffer:數(shù)據(jù)指針//NumToWrite:半字(16位)數(shù) void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u16 i; for(i=0;i { FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer); WriteAddr =2;//地址增加2. } }//從指定地址開始寫入指定長度的數(shù)據(jù)//WriteAddr:起始地址(此地址必須為2的倍數(shù)!!)//pBuffer:數(shù)據(jù)指針//NumToWrite:半字(16位)數(shù)(就是要寫入的16位數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù).)u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字節(jié)void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) { u32 secpos; //扇區(qū)地址 u16 secoff; //扇區(qū)內(nèi)偏移地址(16位字計(jì)算) u16 secremain; //扇區(qū)內(nèi)剩余地址(16位字計(jì)算) u16 i; u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址 if(WriteAddr=(STM32_FLASH_BASE 1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 FLASH_Unlock(); //解鎖 offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //實(shí)際偏移地址. secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇區(qū)地址 0~127 for STM32F103RBT6 secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇區(qū)內(nèi)的偏移(2個(gè)字節(jié)為基本單位.) secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇區(qū)剩余空間大小 if(NumToWrite<=secremain) { secremain=NumToWrite;//不大于該扇區(qū)范圍 } while(1) { STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE) STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//讀出整個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容 for(i=0;i//校驗(yàn)數(shù)據(jù) // for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i )//校驗(yàn)數(shù)據(jù) { if(STMFLASH_BUF[secoff i]!=0XFFFF)break;//需要擦除 // if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除 } FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); if(i//需要擦除 // if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除 { FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE);//擦除這個(gè)扇區(qū) for(i=0;i//復(fù)制 { STMFLASH_BUF[i secoff]=pBuffer; } STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//寫入整個(gè)扇區(qū) }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//寫已經(jīng)擦除了的,直接寫入扇區(qū)剩余區(qū)間. if(NumToWrite==secremain)break;//寫入結(jié)束了 else//寫入未結(jié)束 { secpos ; //扇區(qū)地址增1 secoff=0; //偏移位置為0 pBuffer =secremain; //指針偏移 WriteAddr =（secremain*2）; //寫地址偏移 NumToWrite-=secremain; //字節(jié)(16位)數(shù)遞減 if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2)) { secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一個(gè)扇區(qū)還是寫不完 } else { secremain=NumToWrite;//下一個(gè)扇區(qū)可以寫完了 } } } FLASH_Lock();//上鎖}最終我們調(diào)用STMFLASH_Write（）函數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入，是不是有沒看懂的小伙伴，我給大家解釋一下寫入的過程吧。
這個(gè)STMFLASH_Write（）函數(shù)，是說給定一個(gè)寫入的地址、數(shù)據(jù)和寫入的個(gè)數(shù)，然后按照給定的地址開始寫數(shù)據(jù)，注意紅色字體。
寫數(shù)據(jù)是怎么做的呢？
首先是整理一下寫入的頁地址和需要寫入多少頁，每一頁寫入的話起始地址是什么然后開始一頁一頁的寫，當(dāng)遇到跨頁寫入的時(shí)候，把第二頁的地址寫進(jìn)去，寫的個(gè)數(shù)繼續(xù)寫入就行。
還有一個(gè)地方很重要，就是我修改了庫函數(shù)：
/** * [url=home.php?mod=space 
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