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[導讀]在昨天的《DCDC的Layout終極奧義》中,列舉了BUCK的例子,給出了我自己的布局走線方式。然后有兩位兄弟留言說,他們會將Buck輸入濾波電容按照最近的方式放置,開關節(jié)點SW打孔走出去,也就是下面這兩種方式的右邊那種。?這兩種方式最大的區(qū)別就是SW的處理不一樣,我之前也有想過...

在昨天的《DCDC的Layout終極奧義》中,列舉了BUCK的例子,給出了我自己的布局走線方式。


然后有兩位兄弟留言說,他們會將Buck輸入濾波電容按照最近的方式放置,開關節(jié)點SW打孔走出去,也就是下面這兩種方式的右邊那種。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?

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這兩種方式最大的區(qū)別就是SW的處理不一樣,我之前也有想過,不過我無法確定哪種方式更好,因為各有優(yōu)劣勢,我不是很清楚影響有多大。


下面說下我的一些想法。

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關于要讓Buck的輸入環(huán)路最小這一點,大家也都是同意的,問題就在于要不要做到極致?


留言的兩位兄弟傾向于做到極致,那么就是輸入濾波電容直接跨接到Vin和GND上,然后開關節(jié)點SW打孔換層,然后再打孔回來。這樣的好處是做到了輸入環(huán)路最小了,壞處是頂層SW打孔換層,然后再打孔換回頂層。

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那么SW到底要不要打孔呢?或者能不能打孔呢?

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首先我們要明白為什么有這個問題存在?或者說考慮了哪些方面才會覺得SW打孔不好?


它存在的原因,是因為開關節(jié)點SW的電壓是矩形波,在開關切換的時候,dV/dt很大,有很多的高頻諧波分量,所以容易引起EMI問題。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?


但是如何引起EMI問題,我一直是不太明白。

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怎么說呢?關于EMI,我們估計都有聽說這么一句話dI/dt或者dV/dt很大的時候,會意味著存在很多的高頻分量,很容易引起EMI問題


dI/dt很大導致EMI問題,這個相對來說好理解一點。電流會產(chǎn)生磁場,那么在這個環(huán)內(nèi)產(chǎn)生的磁場會隨電流變化而變化,dI/dt越大,那么環(huán)內(nèi)的磁場也會劇烈變化,磁生電,電生磁,就形成電磁輻射了,這個輻射也叫做差模輻射,這種無意中形成的環(huán)形的輻射裝置可以看成是環(huán)路天線。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?

我前面說我不太明白,就是我無法像電流環(huán)輻射那樣,讓dV/dt在腦子里面構成一幅輻射的圖景。


不過就在上次我發(fā)了文章之后,也有一個兄弟在留言區(qū)推薦了MPS的一個視頻。名稱叫“MPS汽車電子中DCDC芯片的EMI設計”。


B站網(wǎng)址是這個(清晰度更高):

https://www.bilibili.com/video/BV1k64y1D76C


MPS官網(wǎng)也有(可以下載課件):

https://www.monolithicpower.cn/cn/support/videos/webinar-20200320-dcdc-emi.html


視頻確實很不錯,舉了很多例子,兄弟們可以看看。

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視頻里面有下面這一張圖:


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?


這個圖給了我啟發(fā):這個SW節(jié)點Layout一般是一塊銅皮,與其它的導體(比如長的金屬導體,或者是線纜—比如電源線)形成寄生電容,也就是說這個SW快速變化的電壓會耦合到這些線材或是導體上面。


當然了,也會耦合到其它地方,只不過線纜一般比較長,是一個很好的天線,這種輻射一般叫共模輻射,最終它在我腦子里面大致是這樣的。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?

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這有什么用呢?


我們要減少輻射,那么就要減小SW的面積,這樣SW與線纜之間的寄生電容就更小,耦合到線纜的噪聲電壓也就越小了,因此可以降低輻射。從這個角度來說,Layout我們盡量減小SW的面積。


當然,另一方面,SW節(jié)點也是要流過大電流的,過流能力是必須要保證的,走線不能太細。


總的來說,就是要減小不必要的SW的銅皮,比如下圖,右邊這個鋪銅就不好。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?


回到SW打孔的問題,SW打孔走線,必然比直接連接電感有更大的面積,也就是會增加共模輻射的風險。

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這里還有一點值得說明下,有人會認為:SW打過孔,會有寄生電感存在,這個不好


其實這是沒有關系的,很容易看出來,這個寄生電感是跟原本就有的功率電感是串聯(lián)到一起的,那么這個過孔電感就可以合并到原來的功率電感里面,僅僅只是讓原來的功率電感感量增大了一丟丟,這個自然沒有什么影響。


或者用一個兄弟留言的話說:這個SW過孔就相當于是免費增大輸出電感了。


DCDC的開關節(jié)點SW能打孔嗎?

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總的來說,文章前面提到的2種Buck的Layout情況:


SW不打孔,輸入濾波電容稍微繞一下:輸入環(huán)路沒有做到最小,差模輻射會大些。


SW打孔,輸入濾波電容最近:輸入環(huán)路做到了最小,但是SW的面積必然會加大,共模輻射可能會大些。


至于具體用哪種,我覺得不用過多糾結,隨便挑一個就行,本來就不一定超標,其它相關的注意事項注意了,一般也不會有問題。

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以上就是我個人的理解,如果有不同意見或者是補充,可以留言指出。

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