NAND巨頭走向“升維打擊”，更高的層數(shù)意味著什么？

時(shí)間：2021-09-29 15:31:25

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[導(dǎo)讀]集成電路時(shí)代，巨頭廠商紛紛將焦點(diǎn)瞄準(zhǔn)更高維度的3D，進(jìn)行“升維打擊”。NAND閃存亦如此，2DNAND平面工藝正伴隨摩爾定律放緩而逐漸轉(zhuǎn)向3DNAND的三維層面。當(dāng)2D變?yōu)?D，檢驗(yàn)NAND閃存是否先進(jìn)的條件，便順理成章地變?yōu)槎褩訑?shù)的提升。這類似機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來提高容量密度的...

集成電路時(shí)代，巨頭廠商紛紛將焦點(diǎn)瞄準(zhǔn)更高維度的3D，進(jìn)行“升維打擊”。NAND閃存亦如此，2D NAND平面工藝正伴隨摩爾定律放緩而逐漸轉(zhuǎn)向3D NAND的三維層面。
當(dāng)2D變?yōu)?D，檢驗(yàn)NAND閃存是否先進(jìn)的條件，便順理成章地變?yōu)槎褩訑?shù)的提升。這類似機(jī)械硬盤增加碟數(shù)來提高容量密度的做法，通過增加層數(shù)NAND閃存的密度和容量獲得了提高、單位成本降低。
Micron（美光科技）率先出貨了首款176層NAND閃存，一舉刷新了行業(yè)記錄，這也是美光科技第五代的3D NAND技術(shù)。而后，其他企業(yè)也陸續(xù)開啟176層NAND閃存之路。
176層意味著什么？請(qǐng)看以下幾組數(shù)據(jù)：
30%裸片尺寸縮?。?/span>176層NAND的緊湊型設(shè)計(jì)的裸片尺寸比同類最好的競爭產(chǎn)品小30%左右，汽車、工業(yè)、消費(fèi)類和移動(dòng)等領(lǐng)域的應(yīng)用，需要使用microSD、球柵陣列SSD、eMMC、通用閃存以及多芯片封裝外形尺寸較小的封裝形式，而176層NAND是這類空間受限應(yīng)用的理想選擇。
35%讀寫延遲縮短：176層NAND與美光96層大容量浮動(dòng)?xùn)艠ONAND相比讀取和寫入延遲降低了35%以上，與美光128層替換柵極NAND相比降低了25%以上，層數(shù)的進(jìn)展顯著提高了應(yīng)用性能。
33%傳輸速度提升：176層NAND最大數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)1600MT/s，美光前兩代的96層和128層NAND產(chǎn)品為1200MT/s，相比之下提高了33%，更快的ONFI 速度意味著系統(tǒng)啟動(dòng)更迅速、應(yīng)用程序性能更出眾。
NAND巨頭走向“升維打擊”，更高的層數(shù)意味著什么？