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[導(dǎo)讀]目前狀態(tài)是整個芯片市場,包括(MLCC) 的短缺日益嚴(yán)重,這種情況很可能會持續(xù)到 2023 年。片式多層陶瓷電容器 (Multi-layer Ceramic Capacitor 簡稱MLCC)是電子整機中主要的被動貼片元件之一,MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點。

1.前言

目前狀態(tài)是整個芯片市場,包括(MLCC) 的短缺日益嚴(yán)重,這種情況很可能會持續(xù)到 2023 年。片式多層陶瓷電容器 (Multi-layer Ceramic Capacitor 簡稱MLCC)是電子整機中主要的被動貼片元件之一,MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點。

2.MLCC的優(yōu)點
1、由于使用多層介質(zhì)疊加的結(jié)構(gòu),高頻時電感非常低,具有非常低的等效串聯(lián)電阻,因此可以使用在高頻和甚高頻電路濾波無對手;

2、無極性,可以使用在存在非常高的紋波電路或交流電路;
3、使用在低阻抗電路不需要大幅度降額;
4、擊穿時不燃燒爆炸,安全性高。

MLCC可適用于各種電路,如振蕩電路、定時或延時電路、耦合電路、往耦電路、平濾濾波電路、抑制高頻噪聲電路、旁路等。近年來還在DC/DC變換器電路、電荷泵變換器電路中得到了極其廣泛的應(yīng)用。這些電源電路中的工作頻率已進步到1~3MHz,在這個頻率范圍內(nèi)MLCC有極好的性能,它不僅減小了能量損耗、紋波電壓,進步了轉(zhuǎn)換頻率,并且體積小,本錢低(取代了鉭電解),這對便攜產(chǎn)品具有重要意義

3.解決方案

所以芯片廠家現(xiàn)在正在尋求用聚合物或其他電容器類型代替陶瓷電容器。與競爭解決方案相比,TI D-CAP+? 控制模式多相控制器、轉(zhuǎn)換器和模塊(如TPSM831D31 )可以幫助硬件設(shè)計人員減少其主板上的 MLCC 數(shù)量。

D-CAP+ 控制模式是 TI 專有的脈寬調(diào)制控制器和轉(zhuǎn)換器控制架構(gòu),可在輸入電壓和相數(shù)等變化條件下實現(xiàn)非常簡單的環(huán)路補償和出色的環(huán)路穩(wěn)定性。

它是一種電流模式恒定導(dǎo)通時間控制,它使用真正的電感器電流檢測實現(xiàn),而不是 D-CAP2? 和 D-CAP3? 控制拓撲中使用的注入或仿真紋波電流方案。D-CAP+ 控制模式具有固定的穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通時間和負載瞬態(tài)條件下的自適應(yīng)關(guān)斷時間(交流響應(yīng)),其中調(diào)整關(guān)斷時間并產(chǎn)生(拉入)更多脈沖以快速響應(yīng)負載瞬變并保持輸出電壓處于穩(wěn)壓狀態(tài)。 

由于導(dǎo)通時間受到調(diào)節(jié),因此在非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 中存在自然周期拉伸,從而在跨越連續(xù)導(dǎo)通模式和 DCM 邊界時產(chǎn)生更高的效率和平滑的控制。D-CAP+ 控制模式非常容易補償,并且不需要電壓模式控制架構(gòu)中所需的復(fù)雜類型 3 補償電路。有關(guān) D-CAP+ 控制模式的更多信息。

由于 D-CAP+ 控制模式對處理器/專用集成電路/現(xiàn)場可編程門陣列負載瞬態(tài)的響應(yīng)速度比固定頻率控制架構(gòu)快得多,因此它可以滿足嚴(yán)格的容差規(guī)范,而無需使用其他方式的 MLCC 數(shù)量需要放電或充電以向負載提供所需的能量。

圖 1 比較了 TI 電壓模式控制器與 D-CAP+ 控制器在此類負載瞬變期間的情況。該TPS53647  d-CAP +控制模式控制器具有較低的過沖和下沖,盡管具有較低的交越頻率。

使用 D-CAP+? 控制模式減少電路種 MLCC 的數(shù)量

圖 1:電壓模式和 D-CAP+ 控制器之間的負載瞬態(tài)響應(yīng)比較

在與具有非 D-CAP+ 控制的競爭多相控制器進行比較時,結(jié)果是相似的。圖 2 比較了 1kHz 負載瞬態(tài)重復(fù)率下從 180A 到 240A 的 60A 負載階躍。D-CAP+ 控制器再次導(dǎo)致較低的過沖和下沖。這些結(jié)果在完全相同的條件下在相同的主板上復(fù)制。該TPS53681  d-CAP +控制器可以達到更好的負載瞬態(tài)響應(yīng)和更快的輸出電壓穩(wěn)定。

使用 D-CAP+? 控制模式減少電路種 MLCC 的數(shù)量

圖 2:競爭器件與 TI 的 D-CAP+ 控制器之間的負載瞬態(tài)響應(yīng)比較

作為最后一個示例,讓我們將中央處理器 (CPU) 供應(yīng)商的參考設(shè)計與我們自己的 Vcore 設(shè)計進行比較。熱設(shè)計電流 (TDC) 為 116 A,而最大電流 (I MAX ) 為 395 A。

測試數(shù)據(jù)顯示,D-CAP+ 控制器可實現(xiàn)更快的負載瞬態(tài)響應(yīng),與 CPU 供應(yīng)商參考設(shè)計相比,這意味著可顯著節(jié)省 MLCC。

表 1 總結(jié)了結(jié)果。D-CAP+ 控制解決方案仍然滿足 CPU 過沖和下沖規(guī)范,同時消除了 42 個 MLCC 和 >700 μF 的輸出電容。表 1 比較適用于任何 D-CAP+ 控制模式穩(wěn)壓器與競爭穩(wěn)壓器。


使用 D-CAP+? 控制模式減少電路種 MLCC 的數(shù)量

表 1:116-A TDC 和 395 I MAX設(shè)計的CPU 參考設(shè)計與 D-CAP+ 解決方案 MLCC 計數(shù)比較

MLCC 短缺不會很快消失。如果我們想減少設(shè)計物料清單中的 MLCC 數(shù)量,以便更快地將新項目推向市場,請考慮使用 TI 的 D-CAP+ 控制器、轉(zhuǎn)換器和模塊。


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