在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MPS電源管理芯片MP2364的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果電源管理新品啊是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

MP2364 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 的單片降壓開(kāi)關(guān)變換器。在寬輸入范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 1.5A 連續(xù)輸出電流，具有出色的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整率。其電流控制模式提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)，并使環(huán)路更易穩(wěn)定。

除此以外，MP2364的故障保護(hù)功能包括逐周期限流保護(hù)和過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)。在關(guān)斷模式下，該調(diào)節(jié)器僅消耗40μA電源電流。

MP2364 電源管理芯片最大限度地減少了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)外部元器件的使用數(shù)量。

MP2364 電源管理芯片是雙通道電流模式調(diào)節(jié)器。 COMP 引腳電壓與峰值電感電流成正比。 在一個(gè)周期開(kāi)始時(shí)，上晶體管 M1 截止，下晶體管 M2 導(dǎo)通。 COMP 引腳電壓高于電流檢測(cè)放大器輸出，電流比較器輸出低。 1.4MHz CLK 信號(hào)的上升沿設(shè)置 RS 觸發(fā)器。 它的輸出關(guān)閉 M2 并打開(kāi) M1，從而將 SW 引腳和電感連接到輸入電源。增加的電感電流由電流檢測(cè)放大器檢測(cè)和放大。斜坡補(bǔ)償與電流檢測(cè)放大器輸出相加，并與電流比較器的誤差放大器輸出進(jìn)行比較。

當(dāng)電流檢測(cè)放大器輸出和斜率補(bǔ)償信號(hào)之和超過(guò) COMP 引腳電壓時(shí)，RS 觸發(fā)器復(fù)位。 MP2364 電源管理芯片恢復(fù)到其初始 M1 關(guān)閉、M2 開(kāi)啟狀態(tài)。如果電流檢測(cè)放大器輸出和斜率補(bǔ)償信號(hào)的總和不超過(guò) COMP 電壓，則 CLK 的下降沿將觸發(fā)器復(fù)位。

誤差放大器的輸出對(duì)反饋與 0.92V 帶隙基準(zhǔn)之間的電壓差進(jìn)行積分。 極性使得 FB 引腳電壓低于 0.92V 會(huì)增加 COMP 引腳電壓。 由于 COMP 引腳電壓與峰值電感電流成正比，因此其電壓的增加會(huì)增加輸送到輸出的電流。較低的 10Ω 開(kāi)關(guān)確保在輕負(fù)載條件下對(duì)自舉電容器電壓充電。 當(dāng) M1 關(guān)閉時(shí)，外部肖特基二極管 D1 承載電感電流。

在電感方面，電感器需要在由開(kāi)關(guān)輸入電壓驅(qū)動(dòng)的同時(shí)向輸出負(fù)載提供恒定電流。 電感值越大，紋波電流越小，輸出紋波電壓越低。 然而，較大值的電感器將具有較大的物理尺寸、較高的串聯(lián)電阻和/或較低的飽和電流。 確定要使用的電感的一個(gè)很好的規(guī)則是允許電感中的峰峰值紋波電流約為最大開(kāi)關(guān)電流限制的 30%。 此外，請(qǐng)確保峰值電感電流低于最大開(kāi)關(guān)電流限制。

在輸出整流二極管方面，當(dāng)高端開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，輸出整流二極管為電感提供電流。 為了減少由于二極管正向電壓和恢復(fù)時(shí)間造成的損耗，請(qǐng)使用肖特基二極管。選擇最大反向電壓額定值大于最大輸入電壓且電流額定值大于最大負(fù)載電流的二極管。

在輸入電容方面，降壓轉(zhuǎn)換器的輸入電流是不連續(xù)的，因此需要一個(gè)電容器來(lái)為降壓轉(zhuǎn)換器提供交流電流，同時(shí)保持直流輸入電壓。 使用低 ESR 電容器以獲得最佳性能。 陶瓷電容器是首選，但鉭或低 ESR 電解電容器也可能足夠。由于輸入電容器 (C1) 吸收輸入開(kāi)關(guān)電流，因此需要足夠的紋波電流額定值。

對(duì)于電源管理芯片MP2364 的PCB布局，PCB布局對(duì)于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行非常重要。

1) 保持開(kāi)關(guān)電流路徑較短，并盡量減少由輸入電容、高邊 MOSFET 和肖特基二極管形成的環(huán)路面積。

2) SW 引腳和輸入電源地之間的肖特基二極管連接盡可能短而寬。

3) 確保所有反饋連接都是短而直接的。 將反饋電阻和補(bǔ)償元件盡可能靠近芯片放置。

4) 使 SW 遠(yuǎn)離敏感的模擬區(qū)域，例如 FB。

5) 將IN、SW、特別是GND分別連接到大面積的覆銅區(qū)域，為芯片散熱，提高散熱性能和長(zhǎng)期可靠性。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關(guān)MPS電源管理芯片MP2364的內(nèi)容，如果你對(duì)本文內(nèi)容感到滿(mǎn)意，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!