技術(shù)干貨 | 計(jì)算電流測量精度以提高功能安全
[導(dǎo)讀]點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們!隨著功能安全要求日益受到重視,改進(jìn)系統(tǒng)診斷功能勢在必行。其中,電流測量便是診斷評估的一項(xiàng)重要內(nèi)容。要確定設(shè)計(jì)的測量精度,務(wù)必要了解誤差源。了解如何解讀數(shù)據(jù)表對于計(jì)算高側(cè)電流測量的精度非常重要。此外,了解外部元件的影響對于獲得正確的電流測量結(jié)果也至關(guān)重要。高側(cè)...
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圖 1. 用于高側(cè)電流測量的運(yùn)算放大器電路
圖 2. 用于高側(cè)電流測量的電流檢測放大器電路
其中
基于此基本傳遞函數(shù),有兩種誤差類型:增益和失調(diào)電壓。
圖 3. INA186-Q1 增益誤差和
可以看出,當(dāng) V_SHUNT (IxR_SHUNT) 接近失調(diào)電壓值時(shí),失調(diào)電壓誤差很重要,并且隨著電流變?yōu)?0,失調(diào)電壓誤差將接近無窮大。相反,如果 V_SHUNT >> V_(TOTAL OFFSET),那么此誤差項(xiàng)將接近 0。
圖 4. INA186-Q1 在固定共模電壓和
圖 5. TLV2186 在固定共模電壓
圖 6 所示為不同增益和電阻器容差下計(jì)算出的電阻器 CMRR(以分貝為單位),您可從中看到不同增益和電阻器容差所產(chǎn)生的影響。
圖 6. 在三種不同增益配置、不同電阻容差下
圖 7 列出了使用 INA186-Q1 和 TLV2186 且增益為 20 時(shí)的關(guān)鍵性能指標(biāo)。
圖 7. 使用 INA186-Q1 或 TLV2186 實(shí)現(xiàn)
圖 8. 高側(cè)電流測量方案結(jié)合使用 INA186-Q1 或 TLV2186 以及 10mΩ、0.5%、50ppm/°C R_SHUNT 時(shí)的平方和根誤差曲線
-
使用差分運(yùn)算放大器,如圖 1 所示。
圖 1. 用于高側(cè)電流測量的運(yùn)算放大器電路
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使用電流檢測放大器,如圖 2 所示。
圖 2. 用于高側(cè)電流測量的電流檢測放大器電路
其中
-
y 是輸出電壓 (V_OUT)。
-
m 是系統(tǒng)增益,對于此系統(tǒng)為 R_SHUNT×G。G 是為大多數(shù)電流檢測放大器預(yù)定義的,而對于運(yùn)算放大器,則為 R_F/R_I。
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x 是輸入電流 (I)。
-
b 是系統(tǒng)的失調(diào)電壓。如果系統(tǒng)測量雙向電流,當(dāng)輸入電流為零時(shí),b 是輸出電壓。如果單向測量,b 在 0A 下的理想電壓為 0V,但它可能會(huì)受到放大器輸出擺幅規(guī)格的限制。對于運(yùn)算放大器和電流檢測放大器,V_OFFSET 通常是以輸入為參考規(guī)格。因此,b 實(shí)際上還需要考慮系統(tǒng)的增益。
基于此基本傳遞函數(shù),有兩種誤差類型:增益和失調(diào)電壓。
圖 3. INA186-Q1 增益誤差和
可以看出,當(dāng) V_SHUNT (IxR_SHUNT) 接近失調(diào)電壓值時(shí),失調(diào)電壓誤差很重要,并且隨著電流變?yōu)?0,失調(diào)電壓誤差將接近無窮大。相反,如果 V_SHUNT >> V_(TOTAL OFFSET),那么此誤差項(xiàng)將接近 0。
-
放大器 V_OFFSET 規(guī)格和漂移。
-
共模抑制比 (CMRR)。
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電源抑制比 (PSRR)。
圖 4. INA186-Q1 在固定共模電壓和
圖 5. TLV2186 在固定共模電壓
圖 6 所示為不同增益和電阻器容差下計(jì)算出的電阻器 CMRR(以分貝為單位),您可從中看到不同增益和電阻器容差所產(chǎn)生的影響。
圖 6. 在三種不同增益配置、不同電阻容差下
圖 7 列出了使用 INA186-Q1 和 TLV2186 且增益為 20 時(shí)的關(guān)鍵性能指標(biāo)。
圖 7. 使用 INA186-Q1 或 TLV2186 實(shí)現(xiàn)
圖 8. 高側(cè)電流測量方案結(jié)合使用 INA186-Q1 或 TLV2186 以及 10mΩ、0.5%、50ppm/°C R_SHUNT 時(shí)的平方和根誤差曲線





