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[導(dǎo)讀]關(guān)于模擬CMOS集成電路第二章MOS器件物理基礎(chǔ)中的公式推導(dǎo)

最為書(shū)本前面的章節(jié),應(yīng)該起到承上啟下的作用,即讓同學(xué)們回顧之前學(xué)到的知識(shí),并了解將要學(xué)習(xí)的內(nèi)容會(huì)用到哪些曾經(jīng)學(xué)過(guò)的知識(shí)。從作用上來(lái)講,應(yīng)該更有利于同學(xué)們學(xué)習(xí)本書(shū),但是從過(guò)來(lái)人的親身體會(huì)來(lái)看,仍然有不少同學(xué)會(huì)在這一章卡殼,停滯不前。究其原因,無(wú)非是之前的相關(guān)課程沒(méi)學(xué)好,比如說(shuō)半導(dǎo)體物理,半導(dǎo)體器件物理,數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)等等。再細(xì)一點(diǎn)看的話(huà),應(yīng)該是學(xué)得不夠細(xì)致,當(dāng)然,這跟老師的講課風(fēng)格有關(guān),有些老師講課以為學(xué)生都懂,有些需要展開(kāi)來(lái)講的知識(shí)點(diǎn)反而被一點(diǎn)帶過(guò)了……。不管什么原因,現(xiàn)在開(kāi)始學(xué)還來(lái)得及,這里特意將一些重要公式進(jìn)行推導(dǎo),目的在于讓同學(xué)們閱讀課本時(shí)更加流暢。

首先講第二章的2.2節(jié):

**公式一:**閾值電壓


怎么學(xué)好模擬cmos集成電路

《模集》課本上直接“由pn結(jié)理論可知…”,而要找到關(guān)于公式中這一項(xiàng)的完整來(lái)源,需要查看《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版)的第160頁(yè)、第173頁(yè)和第175頁(yè)。


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要結(jié)合這三處的知識(shí)點(diǎn)才能推出耗盡區(qū)電荷Q dep的表達(dá)式。

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