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[導讀]關(guān)于模擬CMOS集成電路第二章MOS器件物理基礎(chǔ)中的公式推導

最為書本前面的章節(jié),應該起到承上啟下的作用,即讓同學們回顧之前學到的知識,并了解將要學習的內(nèi)容會用到哪些曾經(jīng)學過的知識。從作用上來講,應該更有利于同學們學習本書,但是從過來人的親身體會來看,仍然有不少同學會在這一章卡殼,停滯不前。究其原因,無非是之前的相關(guān)課程沒學好,比如說半導體物理,半導體器件物理,數(shù)字集成電路設(shè)計等等。再細一點看的話,應該是學得不夠細致,當然,這跟老師的講課風格有關(guān),有些老師講課以為學生都懂,有些需要展開來講的知識點反而被一點帶過了……。不管什么原因,現(xiàn)在開始學還來得及,這里特意將一些重要公式進行推導,目的在于讓同學們閱讀課本時更加流暢。

首先講第二章的2.2節(jié):

**公式一:**閾值電壓


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《模集》課本上直接“由pn結(jié)理論可知…”,而要找到關(guān)于公式中這一項的完整來源,需要查看《半導體物理學》(第七版)的第160頁、第173頁和第175頁。


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要結(jié)合這三處的知識點才能推出耗盡區(qū)電荷Q dep的表達式。

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