半導體的導電性

電子在電場力作用下的定向運動是漂移運動。熱運動是無規(guī)則的，雜亂無章的運動。

遷移率表示單位場強下電子的平均漂移速度。

散射指載流子在半導體中運動時與熱振動的晶格原子或電離的雜質離子作用，載流子的速度大小和方向發(fā)生改變。兩次連續(xù)散射間自由運動的平均路程稱為平均自由程，平均時間稱為平均自由時間。散射率是平均自由時間的倒數(shù)，表示單位時間內(nèi)一個載流子受到的散射的次數(shù)。

電離雜質散射是電離的施主或受主帶電形成庫倫勢場，局部的破壞了雜質附近的周期性勢場，載流子運動到電離雜質附近時，運動方向發(fā)生改變。特點是低溫使載流子的運動速度降低，散射更大，遷移率隨溫度上升而增加，散射軌跡是以帶電中心為焦點的雙曲線。

晶格散射有聲學波散射和光學波散射。聲學波原胞內(nèi)兩個原子的振動沿同一方向。光學波原胞內(nèi)兩個原子的振動沿相反方向這兩種波都包含一個縱波和兩個橫波。長波和縱波的散射起主要作用，對禁帶寬度有影響。溫度升高，晶格散射更顯著。

其他散射機構還有谷間散射，是非彈性散射，低溫時谷間散射很小。中性雜質散射只有在雜質濃度高的重摻雜半導體中，并且溫度很低時，晶格散射和電離雜質散射都很微弱的情況下才起主要作用。位錯散射，散射概率與位錯密度有關。合金散射是混合晶體中特有的反射機制。載流子之間也有散射作用，但是只有在強簡并時才顯著。

回旋共振實驗用來測量半導體內(nèi)載流子的有效質量。

回旋共振實驗測有效質量的公式。

電導有效質量。電導遷移率

Ex電場，B磁場，通x方向電流將產(chǎn)生Ey方向電場。稱為霍爾效應。

磁阻效應，在與電流垂直的方向加磁場后，沿外加電場方向的電流密度有所降低及電阻增大。

磁阻效應分類有：一，物理磁阻效應，材料電阻率隨磁場增大而增大，又稱磁阻率效應。物理磁阻效應，單種載流子不計入速度統(tǒng)計分布時，因為運動路徑為曲線散射率增大，電阻率增大，計入速度統(tǒng)計分布，載流子不是恰好在平衡速度時，運動路徑會偏離外加電場方向，使得單位時間內(nèi)通過的載流子減少，電阻率上升。

二，幾何磁阻效應不同形狀，樣品在同樣磁場下電阻不同。幾何磁阻效應是磁場作用下電流偏轉，從而流經(jīng)的路徑增加，即L增加。若長條樣品l比b遠大于一，則增大不明顯，若l比b遠小于一，霍爾效應降低l明顯增加，電阻增加多。

柯比諾圓盤，從圓盤中心施加輻射形式向外的電場，任何位置不積累電荷，也不產(chǎn)生霍耳電場，電流僅以螺旋路徑流通，電極間電阻明顯增加。