品牌：TI

型號;TPS62080DSGR

封裝：WSON8

包裝：3000

年份：18+

產(chǎn)地：MY

數(shù)量：30000

為了滿足系統(tǒng)電源軌需求，內(nèi)部補償電路支持使用高于100μF的外部輸出電容。該器件采用帶有散熱焊盤的2mm x 2mm WSON封裝。

DCS-控制架構(gòu)，用于快速瞬態(tài)穩(wěn)壓 貪睡模式下的超低靜態(tài)電流為6.5μA

輸入電壓范圍：2.3V至6V 可實現(xiàn)最低壓降的100%占空比

在輕負載條件下實現(xiàn)高效率的省電模式

輸出放電功能

短路保護功能

電源正常輸出

熱關(guān)斷

采用2mm x 2mm，8引腳晶圓級小外形無引線(WSON)封裝

應(yīng)用范圍

電池供電類便攜式器件

負載點穩(wěn)壓器

系統(tǒng)電源軌電壓轉(zhuǎn)換

8.1概述

TPS6208x同步開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器基于DCS-Control?(帶直接控制)無縫轉(zhuǎn)換到省電模式)。這是一種結(jié)合了先進的調(diào)節(jié)拓撲結(jié)構(gòu)滯后，電壓和電流模式控制的優(yōu)點。DCS-Control拓撲結(jié)構(gòu)在脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式下工作，適用于中到重負載條件在輕負載電流下處于省電模式。在PWM模式下，轉(zhuǎn)換器以其標(biāo)稱開關(guān)工作頻率為2 MHz，在輸入電壓范圍內(nèi)具有受控的頻率變化。作為負載電流降低，轉(zhuǎn)換器進入省電模式，降低開關(guān)頻率并最小化IC靜態(tài)電流可在整個負載電流范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率。 DCS-Control支持兩者操作模式(PWM和PFM)使用單個構(gòu)建塊，具有從PWM到Power的無縫轉(zhuǎn)換保存模式，不影響輸出電壓。固定輸出電壓版本提供最小的溶液尺寸結(jié)合最低的空載電流消耗。 TPS6208x具有出色的直流電壓和出色的性能負載瞬態(tài)調(diào)節(jié)，結(jié)合極低的輸出電壓紋波，最大限度地減少對RF電路的干擾。該設(shè)備配備了貪睡模式功能，可通過MODE引腳啟用。貪睡模式

在低于2 mA的最低輸出電流下支持高效率轉(zhuǎn)換。如果沒有繪制負載電流，則超低至6.5μA的靜態(tài)電流足以維持輸出電壓。這延長了電池運行時間

在電池驅(qū)動的應(yīng)用中，在最低或無負載條件下降低靜態(tài)電流。對于mainsoperated

電壓供應(yīng)，貪睡模式可降低系統(tǒng)的待機能耗。在關(guān)機期間(EN =低電平)，該器件將能耗降至1μA以下。

8.3.1電源良好

TPS6208x具有電源良好輸出，當(dāng)輸出電壓低于其標(biāo)稱值時，該輸出變?yōu)榈碗娖健Ｔ?

一旦輸出高于調(diào)節(jié)電壓的95%，電源良好就是高阻抗，并被驅(qū)動為低電平一次

輸出電壓通常低于調(diào)節(jié)電壓的90%。 PG引腳是開漏輸出，可以

下沉至0.5 mA。 電源良好輸出需要一個上拉電阻。 當(dāng)設(shè)備因禁用而關(guān)閉時，UVLO或熱關(guān)斷時，PG引腳為高阻態(tài)(見表1)。 PG信號可用于通過連接到其他轉(zhuǎn)換器的EN引腳來排序多個電源軌。 保持PG引腳不連接什么時候不用。

8.3.4軟啟動

當(dāng)EN設(shè)置為啟動器件操作時，器件在大約40μs的延遲和VOUT上升后開始切換斜率約為10mV /μs(典型啟動操作見圖27和圖29)。這避免了過多浪涌電流并產(chǎn)生平滑的輸出電壓上升斜率。它還可以防止電壓過高原電池和具有高內(nèi)阻的可充電電池。如果在軟啟動時間內(nèi)未達到輸出電壓，例如在負載較重的情況下，轉(zhuǎn)換器進入正常運作。因此，電感器電流限制如下所述操作。 TPS6208x是能夠啟動預(yù)偏置輸出電容。轉(zhuǎn)換器從施加的偏置電壓開始并斜坡上升輸出電壓達到其標(biāo)稱值。

8.3.5欠壓鎖定

為避免器件在低輸入電壓下誤操作，需要關(guān)閉欠壓鎖定 在低于VUVLO的電壓下降低器件，典型遲滯為120 mV。

8.3.6熱關(guān)斷

一旦結(jié)溫超過TJSD，器件就會進入熱關(guān)斷狀態(tài)。一旦設(shè)備溫度低于閾值減去滯后，設(shè)備自動恢復(fù)正常運行。

8.3.7電感電流限制

電感器電流限制可防止器件受到高電感電流的影響，并從器件中吸取過大的電流

電池或輸入電壓軌。短路/飽和電感器或重電感可能會產(chǎn)生過大電流負載/短路輸出電路狀況。

內(nèi)置的電感峰值電流限制可測量高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET中的電流。

一旦高端開關(guān)電流限制跳閘，高端MOSFET關(guān)斷，低端MOSFET關(guān)斷接通以降低電感電流。當(dāng)電感電流下降到低側(cè)開關(guān)電流時

限制，低端MOSFET關(guān)閉，高端開關(guān)再次打開。此操作重復(fù)直到電感電流未達到高側(cè)開關(guān)電流限制。由于內(nèi)部傳播延遲，真實

電流限制值可以超過電氣特性中的靜態(tài)電流限制。