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[導(dǎo)讀]MOS 閾值電壓

施加在柵極上的電壓由氧化物和半導(dǎo)體分擔


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

氧化物分擔的電壓與半導(dǎo)體中的總電荷有關(guān),


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

閾值電壓指施加在柵極上使半導(dǎo)體進入強反型時對應(yīng)的電壓


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

將方程式帶去得


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

簡化得


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

由上式可得,閾值電壓與氧化物的厚度成正比,與摻雜濃度的平方根成正比

實際中,閾值電壓與兩方面的因素有關(guān)

1 柵電極和半導(dǎo)體不相等的功函數(shù)

由于功函數(shù)差可以在表面產(chǎn)生空間電荷區(qū),導(dǎo)致表面勢產(chǎn)生變化,從而改變閾值電壓

2 氧化物中存在電荷

氧化物中的電荷可以分為4種,1)可移動電荷,主要是堿金屬離子,來自清洗劑,2)氧化物中缺陷引入的陷阱電荷,3)位于半導(dǎo)體表面由于不完全氧化引入的固定電荷,這些電荷在器件工作過程中并不能充電放電,4)由于半導(dǎo)體晶格突然終止,引入的界面電荷,這些電荷在器件工作中與半導(dǎo)體發(fā)生充電和放電,這些電荷與半導(dǎo)體表面取向和氧化條件有關(guān)。

氧化物電荷的存在同樣可以使得閾值電壓降低,假設(shè)所有的電荷位于金屬氧化物界面處,則閾值電壓可以由下式獲得


閾值電壓與氧化層電荷的關(guān)系

為了避免柵極總線在施加偏壓時下方形成反型層,需要使用場氧化物厚度大于600nm 。

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