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[導(dǎo)讀]電阻測(cè)試法是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦裕瑴y(cè)試其正向有電阻讀值與反向截止無(wú)讀值來(lái)判斷其是否好壞,這套測(cè)量整流橋的好壞方法是很常見(jiàn)的一種。

電阻測(cè)試法

電阻測(cè)試法是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦?,測(cè)試其正向有電阻讀值與反向截止無(wú)讀值來(lái)判斷其是否好壞,這套測(cè)量整流橋的好壞方法是很常見(jiàn)的一種。

測(cè)試工具與對(duì)象:一臺(tái)正常的萬(wàn)用表與一款待判斷的整流橋。

測(cè)試條件設(shè)定:萬(wàn)用表打到20K歐姆檔位,紅筆萬(wàn)用表正極,黑筆萬(wàn)用表負(fù)極。

測(cè)試方法與步驟為:紅筆接整流橋負(fù)極,黑筆分別接兩個(gè)交流腳位,若均有讀值顯示則說(shuō)明負(fù)極與交流之間的兩顆芯片正常;黑筆接整流橋正極,紅筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位,若均有讀值顯示則表明整流橋正極與交流間的兩顆芯片為正常。

測(cè)試結(jié)果總結(jié):若測(cè)試過(guò)程中結(jié)果反饋如上所述,則表示該整流橋4顆芯片均正常,萬(wàn)用表讀值為該測(cè)試芯片的內(nèi)阻值;若出現(xiàn)非一致的情況,比如數(shù)值為1(無(wú)窮大)則說(shuō)明整流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。

壓降測(cè)試法

壓降測(cè)試法是利用萬(wàn)用表二極管檔位直接測(cè)試整流橋內(nèi)部二極管芯片的方法,讀值為壓降的參考值或近似值。測(cè)試方法與電阻測(cè)試法大致類似,也是很常見(jiàn)的一種測(cè)量整流橋好壞的方法。

測(cè)試工具與對(duì)象:一臺(tái)萬(wàn)用表與一款待判斷的整流橋產(chǎn)品。

測(cè)試條件設(shè)定:萬(wàn)用表打到二極管檔位,紅筆萬(wàn)用表正極,黑筆萬(wàn)用表負(fù)極。

測(cè)試方法與步驟為:紅筆接整流橋負(fù)極,黑筆接整流橋正極,此時(shí)測(cè)試結(jié)果為整個(gè)整流橋的壓降參考值;如需分別測(cè)試每顆芯片的壓降值,則方法為黑筆接整流橋正極,紅筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位;紅筆接整流橋負(fù)極,黑筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位,此時(shí)所測(cè)結(jié)果為內(nèi)部獨(dú)立二極管芯片的壓降參數(shù)值。

測(cè)試結(jié)果總結(jié):上述測(cè)試結(jié)果為該整流橋內(nèi)部二極管芯片壓降的參考值,有示數(shù)說(shuō)明該芯片正常,可以輔助判斷整流橋通斷與好壞情況。如有非一致的情況出現(xiàn),比如數(shù)值為1

(無(wú)窮大)則說(shuō)明整流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。

用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔或指針表的100或1000檔,測(cè)量?jī)山涣鬏斎攵说秸鳂蜉敵稣说淖柚?,若為開(kāi)路或短路說(shuō)明整流橋已壞。正常值應(yīng)為400到2000歐姆。

還可測(cè)正端到輸入端的阻值應(yīng)為無(wú)窮大,否則為已壞。負(fù)端到輸入端的阻值也應(yīng)為400到2000才算正常。

如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時(shí),可以不必檢查整流二極管,而是檢測(cè)電源變壓器,因?yàn)閹字徽鞫O管同時(shí)出現(xiàn)相同故障的可能性較小。

對(duì)于某一組整流電路出現(xiàn)故障時(shí),可按前面介紹的故障檢測(cè)方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進(jìn)行在路檢測(cè)時(shí)會(huì)相互影響,所以準(zhǔn)確的檢測(cè)應(yīng)該將二極管脫開(kāi)電路 。


在橋堆的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作,通過(guò)二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率橋堆進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn),該全波橋堆采用塑料封裝結(jié)構(gòu)(大多數(shù)的小功率橋堆都是采用該封裝形式)。

大功率整流橋在絕緣層外添加鋅金屬殼包封,增強(qiáng)散熱。整流橋品種多:有扁形、圓形、方形、板凳形(分直插與貼片)等,有GPP與O/J結(jié)構(gòu)之分。最大整流電流從0.5A到100A,最高反向峰值電壓從50V到1600V。

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