[導(dǎo)讀]大家好，我是記得誠。有個讀者在群里發(fā)了一個問題，是這樣的。是一個BOOST電路，輸入Vin是9~12.6V，VOUT輸出是12.8V，在芯片的SW管腳，加R53和C52后，DC-DC概率性的損壞，不加這個RC，試了70塊板子沒有損壞，基本可以確定是這個導(dǎo)致的，但是是怎么壞的呢？加...
大家好，我是記得誠。
有個讀者在群里發(fā)了一個問題，是這樣的。
是一個BOOST電路，輸入Vin是9~12.6V，VOUT輸出是12.8V，在芯片的SW管腳，加R53和C52后，DC-DC概率性的損壞，不加這個RC，試了70塊板子沒有損壞，基本可以確定是這個導(dǎo)致的，但是是怎么壞的呢？
加C52和R53是為了吸收SW上尖峰的，C35和R51是自舉電路，正常一個C35就夠了，這地方R51貼的是0R，R51和C35構(gòu)成RC充電，R越大，DC-DC內(nèi)部MOSFET開的越慢，SW尖峰小，EMI好一些；R越小，MOSFET開越快，SW上尖峰大，EMI差一些，SW上加RC（C52、R53）是為了吸收這個尖峰。
讀者測試了SW的電壓和電流波形，對比了正常情況下的波形和出現(xiàn)異常時的波形
將損壞的芯片寄給原廠做了切片分析，外觀檢驗和X-Ray未發(fā)現(xiàn)異常。
開帽分析，芯片的PIN7(SW)、PIN8(VOUT)、PIN12(VIN)、PIN13(BST)?EOS異常。
小伙伴們，怎么看？為什么在SW管腳上加了RC，會出現(xiàn)芯片損壞的情況，歡迎留言區(qū)討論。
有個讀者在群里發(fā)了一個問題，是這樣的。
是一個BOOST電路，輸入Vin是9~12.6V，VOUT輸出是12.8V，在芯片的SW管腳，加R53和C52后，DC-DC概率性的損壞，不加這個RC，試了70塊板子沒有損壞，基本可以確定是這個導(dǎo)致的，但是是怎么壞的呢？
加C52和R53是為了吸收SW上尖峰的，C35和R51是自舉電路，正常一個C35就夠了，這地方R51貼的是0R，R51和C35構(gòu)成RC充電，R越大，DC-DC內(nèi)部MOSFET開的越慢，SW尖峰小，EMI好一些；R越小，MOSFET開越快，SW上尖峰大，EMI差一些，SW上加RC（C52、R53）是為了吸收這個尖峰。
讀者測試了SW的電壓和電流波形，對比了正常情況下的波形和出現(xiàn)異常時的波形
將損壞的芯片寄給原廠做了切片分析，外觀檢驗和X-Ray未發(fā)現(xiàn)異常。
開帽分析，芯片的PIN7(SW)、PIN8(VOUT)、PIN12(VIN)、PIN13(BST)?EOS異常。
小伙伴們，怎么看？為什么在SW管腳上加了RC，會出現(xiàn)芯片損壞的情況，歡迎留言區(qū)討論。
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