閾值電壓通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。
在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
如MOS管,當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí),要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),器件的柵電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數(shù)之一。
MOS管的閾值電壓等于背柵(backgate)和源極(source)接在一起時(shí)形成溝道(channel)需要的柵極(gate)對(duì)source偏置電壓。如果柵極對(duì)源極偏置電壓小于閾值電壓,就沒(méi)有溝道。
偏置電壓指晶體管放大電路中使晶體管處于放大狀態(tài)時(shí),基極-射極之間,集電極-基極之間應(yīng)該設(shè)置的電壓。因?yàn)橐咕w管處于放大狀態(tài),其基極-射極之間的pn結(jié)應(yīng)該正偏,集電極-基極之間的pn應(yīng)該反偏、
因此,設(shè)置晶體管基射結(jié)正偏,集基結(jié)反偏,使晶體管工作在放大狀態(tài)的電路,簡(jiǎn)稱為偏置電路。直流偏置電壓是指晶體管放大電路中使晶體管處于放大狀態(tài)時(shí),基極-射極之間及集電極-基極之間應(yīng)該設(shè)置的電壓。
穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時(shí)電流會(huì)急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓,表現(xiàn)出此時(shí)的動(dòng)態(tài)電阻 Rz,也就是增加的 電壓除以增加的電流 ,所得到的比值比較小,這樣就會(huì)使得外部電壓的波動(dòng)對(duì)穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓二極管 動(dòng)態(tài)電阻 電流意法半導(dǎo)體新推出的SMB15F系列1,500 W瞬態(tài)電壓抑制二極管(采用SMB Flat封裝)已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證。與SMC封裝相比,SMB Flat封裝的體積減少了50%。除了空間方面的改進(jìn),價(jià)格更有優(yōu)勢(shì),為企業(yè)節(jié)約了預(yù)算。此...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 二極管 電流當(dāng)通過(guò)繼電器的電流減小到低于其整定值時(shí)就動(dòng)作的繼電器,稱為欠電流繼電器。當(dāng)檢測(cè)的電流大于欠電流設(shè)定值時(shí),欠電流輸出繼電器吸合,否則輸出繼電器釋放。欠電流設(shè)定值通過(guò)面板按鍵設(shè)置,設(shè)置范圍為測(cè)量范圍,控制精度高。面板有欠電流...
關(guān)鍵字: 繼電器 電流 報(bào)警蜂鳴器