摘 要：基于0.18 mm工藝設(shè)計(jì)了一種可集成到低電源電壓數(shù)字IC或數(shù)?；旌螴C的上電復(fù)位電路。該P(yáng)OR(Power On Reset)具有電源上電和掉電檢測(cè)功能，且對(duì)電源上電的速度不敏感，故可通過(guò)使用遲滯比較器實(shí)現(xiàn)對(duì)電...

閾值電壓 (Threshold voltage)：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電...

閾值電壓通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。

閾值電壓受襯偏效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，零點(diǎn)五微米工藝水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè)...

閾值電壓 (Threshold voltage)：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電壓隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電...

閾值電壓通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。

摘 要 ：基于 UMC0.25 μm BCD 工藝，設(shè)計(jì)了一種高精度低溫漂的過(guò)溫保護(hù)電路。相對(duì)傳統(tǒng)電壓比較器結(jié)構(gòu)的過(guò)溫保護(hù)電路，無(wú)電壓比較器結(jié)構(gòu)的過(guò)溫保護(hù)電路利用雙極型晶體管的溫度特性和閾值電壓來(lái)檢測(cè)芯片內(nèi)部溫度和控制...

本文來(lái)研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)

過(guò)去幾年，采用多線(xiàn)程或多內(nèi)核CPU的微處理器架構(gòu)有了長(zhǎng)足的發(fā)展?，F(xiàn)在它們已經(jīng)成為臺(tái)式電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置，并且在高端嵌入式市場(chǎng)的CPU中也已非常普及。這種發(fā)展是想要獲得更高性能的處理器設(shè)計(jì)師推動(dòng)的結(jié)果。但硅片技術(shù)

在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題，因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅(qū)動(dòng)電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。 但是