技術升級一向是存儲芯片公司間競爭的主要策略。存儲芯片具有高度標準化的特性，且品種單一，較難實現產品的差異化。這導致各廠商需要集中在工藝技術和生產規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當市場格局出現新舊轉換，廠商往往打出技術牌，以期通過新舊世代產品的改變，提高產品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

根據集邦咨詢發(fā)布數據，第三季度DRAM市場價格已經扭轉原先的跌勢，轉為持平，其中8月DRAM合約價與前月持平，DDR4 8GB均價來到25.5美元。至于NAND閃存市場，上季度便已扭轉了下滑的態(tài)勢。在智能手機、筆記本電腦以及服務器等需求面皆有所復蘇的情況下，NAND閃存市場已經擺脫此前一直出現的跌跌不休態(tài)勢，出現轉機。

目前多數存儲廠商均已開始看好明年市場的復蘇前景。在此情況下，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術工藝的推進力度，以圖通過新舊世代的產品交替克服危機，并在新一輪市場競爭中占據有利地位。

1z nm工藝

DRAM具有高密度、架構簡單、低延遲和高性能的特性，兼具耐用和低功耗的特性。盡管不斷有新型存儲技術開發(fā)，但目前為止，在片外系統(tǒng)當中DRAM仍然牢牢占據市場主流地位。與NAND閃存不同的是，DRAM需要制作電容器，比較難堆疊芯片層數，因此制造商大多只能以減少電路間距的方式，提高性能、效率。拉近電路距離的好處包含提高信號處理速度、降低工作電壓，以及增加每個硅片的DRAM產量，這也是各大制造商展開納米競爭的緣由。因此，在新一輪競爭當中，廠商間不斷通過工藝微縮，強化競爭優(yōu)勢。